Увеличивается насыщение

Количество кольцевых сердечников в современной вычислительной машине достигает десятков и даже сотен миллионов штук. Поэтому большое значение имеет уменьшение размеров сердечников. Имеются сердечники с наружным диаметром до 0,3—0,4 мм и с внутренним- диаметром до сотых долей миллиметра. Применение миниатюрных сердечников не только приводит к уменьшению габаритов и массы устройства, но улучшает и другие параметры — повышает быстродействие, уменьшает потребление мощности и т. п. Это объясняется тем, что при одних и тех же амплитудах импульсов тока о уменьшением диаметра увеличивается напряженность возникающего при перемагничивании магнитного поля. Однако изготовление и сборка матриц из сердечников диаметром, менее 1 мм связаны с большими технологическими трудностями, возникающими при прошивке сердечников проводами, их монтаже и др. Эти затруднения существенно уменьшаются при исполь-

На 3.9 показана схема установки для намагничивания ферромагнитногосердечникакатушки.Сувеличениемтокавкатуш-ке пропорционально увеличивается напряженность магнитного поля [см. формулу (3.20)].

Пороговое напряжение слабее зависит от напряжения исток — подложка в транзисторе с коротким каналом, чем с длинным. Действительно, рост (/ип увеличивает высоту потенциального барьера р-п перехода исток — подложка, как и в случае длинного канала. Но одновременно из-за расширения стокового р-п перехода увеличивается напряженность продольного электрического поля, что частично компенсирует рост высоты барьера у поверхности, а значит, и порогового напряжения.

волны ТЕ и ТМ не могли распространяться. Однако при этом надо иметь в виду то обстоятельство, что при уменьшении толщины слоя диэлектрика (Ь—а) увеличивается напряженность электрического поля и диэлектрик может быть пробит.

не могли распространяться. Однако при этом надо иметь в виду то обстоятельство, что при уменьшении толщины слоя диэлектрика (Ь — и) увеличивается напряженность электрического поля и диэлектрик может быть пробит.

линии h и уменьшении радиуса провода гпр. Это вполне естественно, так какв обоих случаях при заданном напряжении и увеличивается~напряженность поля на поверх-

При этом поток намагниченности во внешнем пространстве у поверхности образца имеет направление, совпадающее с потоком свободного тока, и суммарная индукция в этих местах увеличивается. Напряженность, измеренная у поверхности тела, будет больше эффективной напряженности И;.

Низкие рабочие напряжения ДШ прежде всего связаны с наличием «краевых» эффектов при лавинном пробое перехода, которые имеют место на периферии металлического контакта. Дело в том, что с увеличением обратного напряжения увеличивается напряженность электрического поля в ОПЗ ДШ. При критических полях 300 кВ/см в кремнии начинается ударная ионизация электронно-дырочных пар и их лавинное размножение, приводящее к сильному

Пусть \U3u]> I Uпор], т. е. имеется проводящий р-ка-нал, и на сток относительно истока подано отрицательное напряжение (7:и- Тогда распределение потенциала в канале по оси х становится неравномерным: в точке х = 0 (вблизи истока — 4.7, б) потенциал определяется только полем затвора и равен t/зи—fnop, а в точке x=L — совместным действием полей затвора и стока и равен ?/зи—^пор—^си- При увеличении напряжения \Uc\\\ ток стока /с также будет увеличиваться по линейному закону, так как увеличивается напряженность поля стока вдоль канала (по оси х). Ток стока вдоль канала — дрейфовый ток дырок.

Реальные характеристики при малой длине канала существенно отличаются от (5.6) и (5.7). При уменьшении длины канала увеличивается напряженность продольного электрического поля; &y^Ucn/L. Это вызывает снижение подвижности электронов (см. § 1.4); следовательно, реальные токи будут меньше тех значений, которые получаются из выражений (5.6) и (5.7). В сильных полях дрейфовая скорость электронов в канале не зависит от напряженности электрического поля и близка к скорости насыщения. Эффект сильного поля можно учесть, если в (5.6) ввести подвижность, зависящую от поля в соответствии с (1.15). Напряжение насыщения и ток в пологой области можно най-

при ?/си>^си нас- Сплошная линия соответствует характеристике с учетом зависимости подвижности от поля и эффекта насыщения дрейфовой скорости. Характеристика квадратична только при напряжении С/3и вблизи порогового, равного —2 В. С ростом напряжения О'зи в канале на участке L' увеличивается напряженность продольного электрического поля <Г,, = ?/си насД/~ (?/зи —?Л,ор) Д.'. В результате подвижность электронов снижается, дрейфовая скорость приближается к скорости насыщения и перестает зависеть от напряжения t/зи, а характеристика становится линейной (практически уже при ?Л,и > —I В). Штриховой линией показана характеристика без учета зависимости подвижности от поля. Этой зависимостью можно пренебречь только для длинного канала, удовлетворяющего условию Ь>(?/зи — ?Aiop)W(2vHac). Например, для f/зи— ?/пор= = 1 В имеем L»l,25 мкм. Отметим, что в кремниевых транзисторах из-за меньшей подвижности электронов [ц„ = =800 см2/(В-с) при той же концентрации WK = 1017 см~3] зависимостью \ьп(&у) можно пренебречь при значительно меньшей длине канала 1>0,3 мкм (практически достаточно L>2-b3 мкм). Этот же вывод относится и к кремниевым МДП-транзисторам. На 5.20 приведены также стокозатворная характеристика для транзистора с положительным пороговым напряжением ?/пор=0,2 В (кривая /м ) и входная характеристика, т. е. зависимость тока в цепи затвора /з от напряжения затвор—исток. Положительное напряжение соответствует прямому смещению контакта затвор—канал. С ростом напряжения С/зи ток затвора

Одновременно с ростом стримера, направленного от катода к аноду, начинается образование встречного лавинного потока положительно заряженных частиц, направленного к катоду. Положительный стример представляет собой канал газоразрядной плазмы. Это объясняется тем, что электронные лавины оставляют . на своем пути большое число вновь образованных положительных ионов, концентрация которых особенно велика там, где лавины получили свое наибольшее развитие, т. е. около анода. Если концентрация положительных ионов здесь достигает определенного значения (близкого к 101 ионов в 1 см3), то, во-первых, обнаруживается интенсивная фотонная ионизация, во-вторых, электроны, освобождаемые частицами газа, поглотившими фотоны, притягиваются положительным пространственным зарядом в головную часть положительного стримера и, в-третьих, вследствие ионизации концентрация положительных ионов на пути стримера увеличивается. Насыщение электронами пространства, заполненного положительными зарядами, превращает эту область в проводящую газоразрядную плазму. Под влиянием ударов положительных ионов на катоде образуется катодное пятно, излучающее электроны. В результате указанных процессов и возникает пробой газа. Обычно пробой газа совершается практически мгновенно: длительность подготовки пробоя газа при длине промежутка 1 см составляет 10"7 - 10~8 с. Чем больше напряжение, приближенное к газовому промежутку, тем быстрее может развиться пробой. Если длительность воздействия напряжения очень мала, то пробивное напряжение повышается. Электрическая прочность

С возрастанием /Т0рм увеличивается насыщение крайних стержней TALT, /раб трансформируется в w2pa& хуже и поэтому в условиях срабатывания вторичный /с,з,в=/раб увеличивается, хотя /с,р ОТ остается неизменным.

При повышении подведенного напряжения U^ увеличивается насыщение сердечника, вследствие чего ток /„ и потери Р„ растут быстрее, чем подведенное напряжение U1. Поэтому сопротивления /•„ и х0, а также коэффициент мощности cosq>e уменьшаются с ростом напряжения t/1.

Сопротивления схемы замещения трансформатора ZQ, x0, г0 зависят от напряжения. С ростом Их из-за насыщения 20 и Хо уменьшаются и ток увеличивается. Насыщение в трансформаторе — индукция Вт — зависит от приложенного к обмоткам напряжения ?/Ф, числа витков фазы обмотки w и сечения магнитопровода 5: 1/ф =

снижается. С увеличением частоты увеличивается насыщение объемного заряда и разрядное напряжение падает.

ток в РТ, обусловливаемый /ра6 = 1\п + /ш, должен создавать в секциях Wpa6.B складывающиеся э. д. с. С возрастанием /торм увеличивается насыщение крайних стержней, /раб трансформируется в йУраб. в хуже и поэтому в условиях срабатывания /с 3. в = /раб увеличивается, хотя /с р РТ остается неизменным.

положительных ионов на пути стримера увеличивается. Насыщение электронами пространства, заполненного положительными зарядами, превращает эту область в проводящую газоразрядную плазму. Под влиянием ударов положительных ионов на катоде образуется катодное пятно, излучающее электроны. В результате указанных процессов и возникает пробой газа. Обычно пробой газа совершается практически мгновенно: длительность подготовки пробоя газа при длине промежутка 1 см составляет 10~7 — 10~8 с. Чем больше напряжение, приложенное к газовому промежутку, тем быстрее может развиться пробой. Если длительность воздействия напряжения очень мала, то пробивное напряжение повышается. Это повышение обычно характеризуют коэффициентом импульса

Как уже отмечалось, круговая диаграмма верна при условии постоянства параметров машины. В действительности при изменении режима работы эти параметры изменяются, так как: 1) с увеличением токов в обмотках вследствие увеличения потоков рассеяния увеличивается насыщение коронок и тела зубцов, в результате чего индуктивные сопротивления рассеяния хл и х'а2 уменьшаются; 2) с увеличением скольжения и частоты вторичного тока под влиянием поверхностного эффекта сопротивление г'% увеличивается, а Хоз уменьшается.

С возрастанием /Торм увеличивается насыщение крайних стержней TALT, /раб трансформируется в да2Раб хуже и поэтому в условиях срабатывания вторичный /с,з,в = /раб увеличивается, хотя /с,р ОТ остается неизменным.

Как уже отмечалось, круговая диаграмма верна при условии постоянства параметров машины. В действительности при изменении режима работы эти параметры изменяются, так как: 1) с. увеличением токов в обмотках вследствие увеличения потоков рассеяния увеличивается насыщение коронок и тела зубцов, в результате чего индуктивные сопротивления рассеяния хо1 и х'О2 уменьшаются; 2) с увеличением скольжения и частоты вторичного тока под влиянием поверхностного эффекта сопротивление г2 увеличивается, а Ха-г уменьшается.