Увеличивается медленнее

При отсутствии освещения через диод протекает темновой ток, представляющий собой обратный ток запертого диода /Обр> вызванный тепловой генерацией носителей в полупроводнике. При освещении кристалла дополнительно к тепловым носителям возникают пары зарядов электрон — дырка, вызванные световым возбуждением. При возрастании светового потока увеличивается концентрация возбужденных неравновесных носителей вблизи перехода и возрастает ток через него. При воздействии света на р—п-переход между выводами фотодиода возникает разность потенциалов (фото-э. д. с.) f/ф, которая является по отношению к р—

При вымораживании и кристаллизации воды увеличивается концентрация электролита вокруг коллоидных частиц шлама, что способствует их коагуляции.

Значительная зависимость параметров от температуры является принципиальной особенностью транзисторов, обусловленной физическими свойствами полупроводников. Изменение температуры транзистора сопровождается изменением токоа в его цепях. Это объясняется тем, что с ростом температуры увеличивается концентрация неосновных носителей за счет образования новых пар электрон — дырка. Так как на движение неосновных носителей поля р—«-переходов оказывают ускоряющее действие, то через эмиттерный и коллекторный переходы увеличатся обратные токи. Зависимость обратного тока коллектора /КбО от температуры имеет важное значение для герма-ниевых транзисторов. Будучи очень небольшим при нормальной, температуре, ток /кео при нагреве резко возрастает по экспоненциальной характеристике ( 50). Значение этого тока у германиевых транзисторов удваивается при увеличении температуры на 8—10° С. В соответствии с ростом тока /Кбо происходит смещение выходных характеристик в область больших коллекторных токов, а входные характеристики смещаются влево — в область меньших напряжений ( 51).

Очевидно, МДП структура получится, если непосредственно на подложку последовательно нанести диэлектрический и металлический слои. Такой случай реализуется, если в структуре, показанной на 16.20,6, отказаться от создания области с проводимостью «-типа, расположив там часть подложки р-тнпа. Теперь, если к затвору приложить достаточно большой положительный заряд, то по закону электростатической индукции в канале индуцируется соответствующий отрицательный заряд, увеличивается концентрация подвижных носителей и-типа и возникает проводящий канал. Такой транзистор получил название МДП ПТ с индуцированным каналом и-типа. Области п+ используются для создания низкоомных омических (невыпрямляющих) контактов стока и истока. Они же препятствуют протеканию существенного тока между выходными электродами ПТ при нулевом или отрицательном заряде на затворе. Это объясняется тем, что и+-области и часть р-подложки образуют два последовательно встречно включенных между истоком и стоком электронно-дырочных перехода.

При освещении p-n-перехода фотоны, попавшие на полупроводники, образуют пары свободных зарядов электрон — дырка. В результате в областях р- и «-ти-пов увеличивается концентрация свободных электронов и дырок соответственно.

Действительно, при нагревании металлов наблюдается рост удельного сопротивления и сопротивления всего провода. При нагревании электролитов и угля, кроме уменьшения подвижности Ь, увеличивается концентрация электронов п. В результате, несмотря на уменьшение Ь, удельное сопротивление этих проводников при нагревании не растет, а уменьшается.

Токи в транзисторе сильно зависят от температуры окружающей среды, что является общим недостатком полупроводниковых приборов. Рассмотрим зависимость тока коллектора от температуры при постоянном входном токе базы. В (1.4) входят члены, зависящие от температуры. Во-первых, с ростом температуры растет ток /КБО (значение его удваивается через каждые 8—10 °С), так как увеличивается концентрация неосновных носителей в слоях. Во-вторых, коэффициент передачи тока базы р при увеличении температуры также увеличивается. Это объясняется тем, что при повышении температуры центры рекомбинации (дефекты кристаллической решетки) постепенно заполняются и вероятность рекомбинации носителей в базе падает, при этом увеличиваются коэффициенты передачи токов в транзисторе а и, следовательно, р=а/(1—а). При нагреве на 20—30 °С /к может изменяться на десятки процентов.

Так как величина рН характеризует концентрацию ионов водорода, а с уменьшением концентрации ионов водорода всегда увеличивается концентрация ионов ОНг, то равновесный потенциал двуокисномарганцевого электрода зависит от рН. При рН>7 потенциал сдвигается на 0,058 В в отрицательную сторону «а каждую единицу увеличения рН. Эта величина соответствует коэффициенту перед членом, определяющим влияние состава раствора на равновесный потенциал в уравнении Нернста для токообразующего процесса с участием одного электрона на грамм-молекулу двуокиси марганца.

Средние значения параметров, характеризующих метеорологические условия, и вероятности их отклонения для различных местностей могут быть существенно разными. Наряду с относительным постоянством этих показателей на больших территориях могут наблюдаться и резкие местные изменения; Например, вблизи некоторых крупных промышленных предприятий, в районах с солончаковыми почвами и на морских побережьях резко увеличивается концентрация загрязняющих веществ в воздухе, снижающих влаго-разрядные напряжения изоляторов. Поэтому на территории страны выделяются климатические зоны, отдельные районы классифицируются по степени и характеру загрязненности атмосферы, а внешняя изоляция оборудования проектируется для этих зон или районов с учетом их особенностей.

проводнике уменьшается во столько раз, во сколько увеличивается концентрация основных носителей, поэтому для полупроводников «-типа справедливо соотношение п„р„ = ад( = п? = pf, а для полупроводников р-типа - соотношение ррпр ~ п? =р?, где и„ и р„ — концентрации основных, а рр и пр — концентрация неосновных носителей зарлд" соответственно в полупроводнике п и р-типа.

Влияние температуры на характеристики транзистора. Температура окружающей среды существенно влияет как на входные, так и выход-лые характеристики транзистора ( 17.9, а, б соответственно). Это объясняется тем, что при увеличении температуры увеличивается энергия электронов, вследствие чего увеличивается концентрация свободных носителей заряда во всех областях транзистора, их подвижность и др. Особенно сильно возрастание температуры сказывается на обратном токе коллекторного перехода /Ко, который часто называют тепловым током.

Магнитные и электрические потери при постоянстве Ли/ пропорциональны массе активных материалов. Принимая приближенно, что механические и вентиляционные потери пропорциональны массе машины, сумма потерь Pzs=m = L3 или Ps==P*'*. Следовательно, сумма потерь в машине увеличивается медленнее, чем ее мощность, а КПД машин при увеличении мощности растет; приходящаяся на единицу мощности сумма потерь jP2/P = sps/ypsP-1/4. Поверхность охлаждения машин S = L2 или Ss= = Р1/2; приходящаяся на единицу поверхности охлаждения сумма потерь Pz/Ss=L3/L2s5L = PV4. С увеличением мощности машины поверхность охлаждения растет медленнее потерь, следовательно, чем больше мощность машины, тем более интенсивны должны быть ее способы охлаждения. Если у машины малой мощности может применяться закрытое исполнение с естественным охлаждением, то для машин большой мощности требуются специальные вентиляционные устройства, усиливающие охлаждение машин.

Магнитные и электрические потери при постоянстве Л и 7 пропорциональны массе активных материалов. Принимая приближенно, что механические и вентиляционные потери пропорциональны массе машины, сумма потерь P2==m=L3 или Р2 = Ра/4. Следовательно, сумма потерь в машине увеличивается медленнее, чем ее мощность, а КПД машин при увеличении мощности растет; приходящаяся на единицу мощности сумма потерь P2/Ps= _рз/ур=/>_1/4_ Поверхность охлаждения машин S = L2 или S = ==Р1/2; приходящаяся на единицу поверхности охлаждения сумма потерь Ps/SsE=L3/L2=Ls=P1/*. С увеличением мощности машины поверхность охлаждения растет медленнее потерь, следовательно, чем больше мощность машины, тем более интенсивны должны быть ее способы охлаждения. Если у машины малой мощности может применяться закрытое исполнение с естественным охлаждением, то для машин большой мощности требуются специальные вентиляционные устройства, усиливающие охлаждение машин.

Если еще более увеличить напряжение накала, то установится динамическое равновесие, .соответствующее большему значению тока эмиссии. Анодный ток, однако, при этом увеличивается медленнее, чем ток эмиссии, так как потенциальный барьер у катода становится выше (кривая 4 на 2-2).

Введение золота в базу диода повышает быстродействие и увеличивает ток генерации /г. В германиевых диодах до 70, а в кремниевых — до 200 °С ток генерации больше теплового тока. Поэтому с ростом температуры обратный ток импульсных диодов увеличивается медленнее, чем в выпрямительных.

Если еще более увеличить напряжение накала, то установится динамическое равновесие, .соответствующее большему значению тока эмиссии. Анодный ток, однако, при этом увеличивается медленнее, чем ток эмиссии, так как потенциальный барьер у катода становится выше (кривая 4 на 2-2).

Полезная мощность Р2 — М2со = М2-2ятг/60 с увеличением нагрузки увеличивается медленнее, чем вращающей момент, вследствие значительного уменьшения скорости вращения ( 8-19).

Подведенная мощность Рг = UJ пропорциональна току двигателя и также увеличивается медленнее вращающего момента ( 8-19).

Полученные зависимости не вполне точны, так как произведение В&Аа в действительности увеличивается медленнее, чем / (см. § 4-2). Однако эти зависимости вполне четко выявляют общие закономерности и тенденции и притом в одинаковой степени как для машин 'постоянного, так и для машин переменного тока.

Из рисунка видно, что при отсутствии дополнительной нагрузки от льда и ветра начальное тяжение То составляет 8,3 кН; максимум тяжения быстро увеличивается по мере увеличения тока (кривая 7). При наличии дополнительной нагрузки начальное тяжение составляет 14 кН; максимум тяжения увеличивается медленнее (кривая 2). Объясняется это значительной массой проводника и, следовательно, меньшим углом отклонения. Кривые 1 и 2 пересекаются. В рассматриваемом примере точка пересечения соответствует значению тока 54 кА. Максимум тяжения при отклонении проводников зависит от тока КЗ и его продолжительности, а также от расстояний между фазами, сечения проводников, пролета и стрелы провеса.

Полученные зависимости не вполне точны, так как произведение В{,Аа в действительности увеличивается медленнее, чем / (см. § 4-2). Однако эти зависимости вполне четко выявляют общие закономерности и тенденции и притом в одинаковой степени как для машин постоянного, так и для машин переменного тока.

При достаточно высоких уровнях инжекции концентрация неравновесных носителей у р—n-перехода сильно увеличивается и^поэтому даже в несимметричном р—n-переходе начинает играть заметную роль вторая компонента тока. Коэффициент инжекции начинает отличаться от единицы и убывать с ростом тока. В этом случае определяющую роль даже у границы слоя объемного заряда начинает играть дрейф носителей в электрическом поле. Проводимость толщи увеличивается медленнее, чем растет ток, и -вольт-амперная характеристика существенно отличается от экспоненциальной. В достаточно длинных диодах она хорошо описывается степенным законом (для базы п-типа):