Увеличивается количество

При ухудшении уравновешивания увеличивается коэффициент формы нагрузочной кривой Кф. Недогрузка двигателя по нагреву, т. е. работа при Рэ<Рн, в свою очередь снижает его КПД и cos ф.

Число фаз обмоток переменного тока возбудителя не ограничивается внешними условиями и определяется на основе анализа надежности, стоимости и габаритов вращающегося выпрямителя. Влияние числа фаз на выпрямленное напряжение противоречиво. С увеличением числа фаз увеличивается надежность работы, снижается коэффициент пульсаций выпрямленного напряжения, но, с другой стороны, увеличивается коэффициент типовой мощности, увеличиваются масса и габариты возбудителя. Для шестифазной однополупериодной схемы выпрямления коэффициент типовой мощности А1,. =1,81, т.е. мощность возбудителя должна в 1,81 раза превышать мощность, необходимую для питания обмотки возбуждения генератора постоянным током. Следовательно, возбудитель имеет плохое использование конструкционных материалов, но обладает линейной характеристикой "вход-выход" и высокой надежностью схемы выпрямления.

При питании регулятора частоты от гармонической обмотки увеличивается коэффициент усиления системы, так как приращению частоты в основной обмотке генератора соответствует приращение частоты в гармонической обмотке, увеличенное в три раза, что эквивалентно увеличению коэффициента усиления системы. Точность регулирования пропорциональна коэффициенту усиления системы.

ции в зубцах и ярме. Кроме того, необходимо учитывать влияние размерных соотношений пазов на индуктивное сопротивление обмотки ротора. При любой конфигурации паза уменьшение ширины верхней части стержней и увеличение их высоты приводят к увеличению пускового момента, но одновременно увеличивается коэффициент магнитной проводимости паза и растет индуктивное сопротивление обмотки ротора. Это в некоторых случаях может играть положительную роль — как фактор, ограничивающий пусковые токи, но в то же время увеличение индуктивного сопротивления ротора приводит к ухудшению коэффициента мощности при номинальном режиме работы и к снижению Мтах.

Однако при открытых пазах увеличивается коэффициент воздушного зазора, возрастают пульсация магнитного потока и зубцовые гармонические электромагнитного момента. Увеличиваются также поверхностные и пульсационные добавочные потери в магнитной системе.

Наличие положительного потенциала на сетке €2 уменьшает проникновение поля анода в промежуток сетка С,—катод, в результате уменьшаются проходная емкость и проницаемость сетки С j и увеличивается коэффициент усиления. С другой стороны, наличие положительного потенциала на сетке 0.^ приводит к перераспределению тока между анодом и сеткой О.^ — динатронно-му эффекту.

В машинах мощностью 100 ... 2000 кВт ставятся роликовые подшипники, способные выдерживать большую нагрузку, чем шариковые. Потери в них определяются по той же формуле (8.3), но увеличивается коэффициент трения ?тр= 0,002 ...0,003.

Обычно принимают ?min~l,0, так как при меньших значениях резко увеличивается коэффициент искажения поля. Допустимая степень ослабления поля

При введении в цепь якоря добавочного сопротивления увеличивается коэффициент &2 и механические характеристики двигателей компаундного и последовательного возбуждения располагаются ниже, чем их естественные характеристики (штриховые линии на XIII.34).

Таким образом, ток холостого хода /0=/ /2-(-у2 увеличивается. Коэффициент мощности и реактивная мощность двигателя равны

б) увеличивается коэффициент магнитного рассеяния главных i добавочных полюсов;

рованной и плавающей точками, над десятичными числами, обработка алфавитно-цифровых слов переменной длины и др. Характер выполняемой АЛУ операции задается командой программы. В процессоре может быть одно универсальное АЛУ для выполнения всех основных арифметических и логических преобразований или несколько специализированных для отдельных видов операций. В последнем случае увеличивается количество оборудования процессора, но повышается его быстродействие за счет специализации и упрощения схем выполнения отдельных операций.

ми и шинами, поскольку выход из строя одной группы линий и шин не влияет на работу других устройств. При использовании индивидуальных линий и шин упрощаются адресация и идентификация, но увеличивается количество оборудования. Индивидуальные линии и шины используются в основном для связи вычислительной машины с устройствами технологической автоматики.

Первое направление — это создание крупно структурированных ВС из небольшого количества процессоров максимальной производительности. Процессоры этих ВС по-прежнему относятся к векторно-конвейер-ному типу, но в самих процессорах увеличивается количество конвейерных функциональных линий, увеличивается число команд, одновременно вызываемых из программы для обработки и исполнения. Таким образом, увеличивается степень параллельности внутри каждого процессора. Для этих систем планируется наличие от 4-х до 64-х процессоров. Для их объединения разрабатываются коммутационные сети с пропускной способностью 10—100 Гбит/с. Считается, что эти ВС воспримут ПО, которое создается для существующих супер-ЭВМ.

Ивановским и Московским энергетическими институтами предложена серия усовершенствованных схем РУ с рабочими и обходной системами сборных шин (табл. 2.10) [1]. По сравнению с известными схемами РУ с рабочими и обходной системами сборных шин предложенные схемы РУ имеют следующие преимущества: соединение систем сборных шин осуществляется через два выключателя, что повышает надежность РУ (исключается полное погашение двух систем сборных шин при отказе секционного выключателя); количество выключателей не увеличивается, а в некоторых схемах уменьшается— в схеме е на один, а в схемах д, з, и — на два выключателя, что говорит об экономичности схем; упрощается вывод в ремонт части выключателей; увеличивается количество одновременно выводимых в ремонт выключателей, для чего обходная система сборных шин секционируется разъединителями; наиболее ответственные присоединения, например блоки генератор- трансформатор, подключаются через два выключателя, что существенно повышает их надежность при повреждениях на системах сборных шин или отказах выключателей.

через навигационные зоны в рабочих каналах насоса. С ростом давления или температуры свойства жидкостей меняются так, что увеличивается количество тепла, затрачиваемого на образование определенного объема пара. Поэтому на горячей воде указанному объемному расходу через кавитационные зоны соответствует более глубокое падение давления ниже насыщения перед кавитаци-онными зонами и, следовательно, меньшее по сравнению с холодной водой значение кавитационного запаса Д/i на входе в насос. Поэтому равенство (2.97) не выполняется при изменении температуры перекачиваемой воды.

электронов из валентной зоны в зону проводимости. Поскольку сильно увеличивается количество электронов и дырок (собственная электропроводность преобладает над примесной), то проводимость полупроводника резко возрастает. Температура гкр, начиная с которой происходит возрастание проводимости, называется критической или температурой вырождения. Хотя ?кр и зависит от концентрации примесных носителей, определяющим параметром для нее является ширина запрещенной зоны (чем шире запрещенная зона, тем больше и /хр). Так, если для кремния г1р«330°С, то для германия Гкряй 100°С.

Для уменьшения объема кубовых остатков в однокорпусных выпарных установках применяют доупариватели, в результате этого увеличивается количество концентрата, выводимого из основного аппарата, уменьшается его солесодержание и снижается интенсивность накипеобразования. Основная масса вторичного пара, вырабатываемая в выпарном аппарате, становится чище, а загрязненный пар доупаривателя подвергается дополнительной очистке (см. 84).

Вид вольт-амперной характеристики диода в значительной степени зависит от температуры. При повышении температуры р—л-перехода уменьшаются прямое и обратное сопротивления диода. Наиболее сильно меняется обратное сопротивление диода постоянному току и обратный ток. Это объясняется тем, что с увеличением температуры увеличивается количество неосновных: носителей за счет образования новых пар носителей электрон — дырка. В результате обратный ток диода возрастает ( 16). С повышением температуры пробивное напряжение также будет уменьшаться. Температура, при которой начинается резкое снижение пробивного напряжения, принимается за предельную. У германиевых диодов предельная рабочая температура обычно не более +70° С, а у кремниевых диодов не более +150° С. Для уменьшения разогрева мощных диодов прямым током принимают специальные меры, способствующие их охлаждению: монтаж на радиаторах (теплоотводах), обдув и т. д.

На 7, а приведены вольт-амперные характеристики терморезистора с отрицательным ТКС (кривые А, В) и позистора (кривая С). При малых токах в терморезисторе выделяется малое количество тепла и терморезистор имеет свойства обычного резистора. С увеличением тока возрастает количество выделяемого тепла, увеличивается количество электронов проводимости и сопротивление начинает уменьшаться. Если у терморезистора хороший теплоотвод, то сопротивление уменьшается сравнительно

При разработке топологии МДП-ИМС важно также учитывать возможность исключения паразитных транзисторов, образуемых при пересечении шинами разводки диффузионных областей одного типа электропроводности. Так как металлизация обычно проходит по толстому слою оксида, то пороговое напряжение паразитных МДП-транзисторов обычно составляет 10—15 В и их крутизна невелика. Однако присутствие в МДП-ИМС паразитных транзисторов может увеличить потребляемую мощность, уменьшить уровни выходных напряжений, снизить входное сопротивление и даже привести к нарушению нормального режима работы схемы. При разработке КМДП-ИМС вероятность образования паразитных транзисторов увеличивается по сравнению с МДП-ИМС на транзисторах с каналами одного типа электропроводности. Это объясняется тем, что в топологии КМДП-ИМС увеличивается количество диффузионных областей, и всегда под металлом разводки, соединяющей затворы транзисторов с каналами п- и р-типов, возникает инверсный слой. Для уменьшения влияния паразитных транзисторов обычно используют следующие способы:

Увеличивается количество пар свободных носителей заряда