Увеличить быстродействие

Напряжение зажигания тиратрона Ua зависит от величины напряжения смещения t/co, а напряжение погасания практически не меняется и равно 10 -*- 15 в. Следовательно, увеличивая отрицательное смещение на сетке тиратрона, можно значительно повысить напряжение зажигания U3 и этим увеличить амплитуду пилообразного напряжения.

1. Необходимо, чтобы прл изменениях управляющего напряжения на сетке или базе рабочая точка оставалась в пределах линейной (или другой требуемой) зависимости между входным и выходным сигналами. Если входной сигнал изменяется только в одну сторону, то СРТ целесообразно сместите, что позволит увеличить амплитуду входного сигнала.

Чтобы увеличить амплитуду входного сигнала и использовать весь допустимый диапазон от

Из (14.6) следует, что для увеличения ширины полосы умножения необходимо увеличить амплитуду m-й гармоники тока синхронизирующего напряжения. Это может быть осуществлено в схеме па 14.8, в которой имеется два нелинейных сопротивления (ЯС п ИС-2), одно из которых создает ток г'1Ш, другое ieo-Ток ('„„, возникает под действием напряжения и, действующего на НС\, и должен обеспечивать самовозбуждение в системе; ток iB« возникает под действием синхронизирующего напряжения ес и должен иметь возможно большую амплитуду m-й гармоники. Для этого необходимо обеспечить оптимальный угол отсечки тока.

это, необходимо увеличить амплитуду входного импульса или уменьшить нагрузку усилителя, т. е. увеличить минимальную величину RH наим. Транзистор можно также «разгрузить», увеличивая индуктивность намагничивания выходного трансформатора Lt, но при этом возрастают пределы изменения длительности выходного импульса с изменением нагрузки, амплитуды входного сигнала, а также параметров транзистора.

На практике в усилителях-расширителях часто применяются согласующие трансформаторы ( 4.9). Трансформатор на входе позволяет увеличить амплитуду базового тока, что способствует повышению коэффициента насыщения /Снас> а следовательно, и удлинению плоской вершины импульса. Амплитуда базового тока достигает максимальной величины при коэффициенте трансформации

Если расчетное значение f/вых m оказывается меньше требуемого из-за чрезмерно большой интегрирующей емкости С0, то рекомендуется подключать нагрузку Rs к расширителю через эмиттерный повторитель и уменьшать величину С0 на выходе расширителя. Если же расчетное Значение емкости С0 < Скр# и при уменьшении С0 не удается увеличить амплитуду выходного импульса до требуемой величины, то для усиления входного сигнала следует включить предусилитель.

За счёт сложения токов сигнала отдельных ламп в анодной линии каскад с бегущей волной позволяет увеличить амплитуду выходного напряжения, облегчая тем самым решение второй задачи широкополосного усиления.

За счёт сложения токов сигнала отдельных ламп в анодной линии каскад с бегущей волной также позволяет увеличить амплитуду выходного напряжения, облегчая тем самым решение второй задачи широкополосного усиления.

Из формулы (3) следует, что при введении в усилитель цепи ООС его коэффициент усиления уменьшится в (I + К Р) раз. Для восстановления коэффициента уси." ля до первоначального значения (бе^ введения цепи ОС]) -^обходимо либо увеличить число усилительных каскадов, либо увеличить амплитуду входного сигнала, что не всегда возможно.

Электромагнитный момент тормозного характера формируется, если вектор потокосцепления ротора опережает по фазе вектор потокосцепления статора. Ширина и амплитуда импульса тормозного момента зависят от направления и скорости этих векторов. При согласном направлении вращения (второй квадрант характеристик) переходный процесс аналогичен начальному участку переходного процесса повторного включения АД с ненулевыми начальными электромагнитными условиями. Поэтому торможение без изменения порядка чередования фаз питающего напряжения можно назвать торможением импульсным повторным включением. При встречном направлении вращения векторов потокосцеплений (четвертый квадрант) переходный процесс аналогичен начальному участку переходного процесса реверса АД, и поэтому его можно назвать торможением импульсным противовключением. В обоих случаях использование начальных электромагнитных условий, формирующих импульсы момента заданного знака, способствует дополнительному возбуждению потокосцепления обмотки ротора и позволяет значительно увеличить амплитуду и средний момент. Амплитудные и средние значения тормозного момента в несколько раз превышают номинальный момент АД. Наибольшее возбуждение потокосцепления ротора и наибольшие моменты наблюдаются в диапазоне скоростей ротора cor=±(0,2-=-0,6).

При четвертом методе, в котором сумма частичных произведений неподвижна, можно совмещать во времени операции сдвига и сложения и за этот счет -увеличить быстродействие АЛ У при выполнении умножения (деления).

Информация об использовании энергии высших гармоник магнитного поля в системах регулирования напряжения синхронных генераторов встречается как в отечественных, так и в зарубежных изданиях. Применение систем гармонического компаундирования позволяет уменьшить массу и габариты генератора и регулирующей аппаратуры, увеличить быстродействие процесса регулирования напряжения, уменьшить провалы и выбросы напряжения при внезапных подключениях и отключениях нагрузки, что очень важно при работе генераторов на импульсную нагрузку.

Для современного этапа научно-технического прогресса характерен быстрый рост огромных потоков передаваемой информации. В связи с этим возникла острая необходимость в новых средствах связи, способных увеличить быстродействие используемых технических устройств и обеспечить экономичность самого процесса обмена сообщениями.

и транзисторного усилителя, позволяет увеличить быстродействие, снизить потребляемую мощность и усовершенствовать технологию изготовления микросхемы.

Номенклатура показателей РЭС, их количественные и качественные значения изменялись с развитием элементной базы. Такие показатели, как сложность РЭС (число элементов), масса, габариты, надежность, стоимость, энергопотребление, были актуальны для всех поколений Однако количественные значения этих показателей непрерывно изменялись в сторону снижения массы, габаритов, стоимости и в сторону увеличения сложности и надежности. Для РЭС на дискретных элементах важнейшим показателем качества являлось число электровакуумных приборов, имевших низкую надежность, большие габариты, потребляемую мощность, стоимость. Поэтому число активных элементов старались уменьшить. При использовании элементов в интегральном исполнении (в составе ИС) в ряде случаев избыточность активных элементов полезна. Например, при использовании транзисторной структуры в качестве диодов или резисторов уменьшается площадь последних, а увеличение числа адресных формирователей в полупроводниковой памяти позволяет увеличить быстродействие (благодаря укорочению линий выборки) и повысить выход годных устройств памяти (в результате исключения неисправных регистров).

Разработка микропроцессоров на 16 и 32 разряда требует увеличения числа внешних выводов ИС. Увеличение разрядности позволяет увеличить быстродействие вычислительной системы и объем адресуемой памяти. Ожидается появление корпусов микросборок с числом выводов 68, 128, 256, 512 и более. Однако площадь 40-выводного корпуса с двумя рядами выводов в несколько раз превышает площадь расположенного в нем кристалла. Это объясняется тем, что при шаге расположения выводов 2,5 мм длина корпуса с двухрядным расположением выводов получается очень боль-

Существенно снизить потребление энергии питания и увеличить быстродействие позволяет использование КМОП-транзи-сторов. В частности, на 99, б приведена схема такого вида. Транзисторы VT1 и VT2 имеют р-каналы и открываются, если на их затворы подается напряжение логического 0 (так как на их затворы, соединенные с плюсом источника питания, подается отрицательное напряжение в отпирающей полярности). При этом транзисторы VT3 и VT4, имеющие я-каналы, оказываются запертыми и напряжение на выходе Q близко к напряжению источника пи-тания.т. е. к напряжению логической 1. Если хотя бы на одном из входов действует напряжение логической 1, то один из транзисторов VT1 или VT2 закрывается, а поскольку они соединены последовательно, схема отключается от источника питания и на выходе Q напряжение равно 0. В добавление к этому открывается один из транзисторов VT3 или VT4 (включенных параллельно) и выход соединяется с общим проводом через весьма малое сопротивление 100—300 Ом. Таким образом, элемент действует в полном соответствии с таблицей истинности ИЛИ-НЕ. Следует отметить, что схема чрезвычайно экономична и потребляет ток только в очень краткие мгновения, во время переключения, когда одни транзисторы открываются, а другие еще не успели закрыться.

2. Можно ли увеличить быстродействие интегрирующего АЦП? Насколько это целесообразно?

С развитием и совершенствованием технологии базовым для схем ТТЛ стал ключ со сложным инвертором — двухполярный ключ ( 6.10, а). Использование сложного инвертора позволило по сравнению с простой схемой увеличить быстродействие, помехоустойчивость, нагрузочную способность и снизить требования к параметрам транзисторов, что привело к повышению процента выхода годных ИМС.

Гетероэпитаксия кремния на изолирующих подложках является одним из перспективных направлений в технологии ИМС, так как в этом случае естественным путем решается проблема изоляции элементов схемы на подложке. Так, при использовании подложек из лейкосапфира можно почти на два порядка увеличить быстродействие микросхем с автоэпитаксиальными слоями за счет исключения паразитных емкостей и утечек изолирующих р-и-переходов. При этом плотность элементов и радиационная стойкость микросхем также увеличиваются.

Разделительный конденсатор С1 на входе операционного усилителя совместно с интегрирующим конденсатором С развязывает выход интегрирующей цепи от выхода ИОУ и тем самым исключает влияние дрейфа нуля на ее работу. При соответствующем подборе емкости конденсатора Ci можно увеличить быстродействие ЯС-цепи. Это объясняется тем, что по мере заряда конденсатора С\ уменьшается напряжение на входе и соответственно на выходе ИОУ, поэтому уменьшается эффективная постоянная времени ЛС-цепи.