Увеличению вероятности

Как было показано выше, ООС по току способствует увеличению выходного сопротивления усилителя. Для параллельной ООС по току /?вых ос увеличивается пропорционально возрастанию Ft.

Как видно из 16.40, транзистор перешел в режим насыщения при токе базы, равном /Б4. Дальнейшее увеличение тока базы до значения /Б5 уже не приводит к заметному увеличению выходного тока /к; при этом лишь увеличивается степень насыщения транзистора и величина неравновесного заряда в базе.

В общем случае, когда основное устройство и устройство обратной связи представляют собой более сложные устройства, имеющие сложные выражения для их передаточных функций К. (р) и W (р), все же можно говорить о положительной обратной связи, когда она способствует увеличению выходного напряжения, и об отрицательной обратной связи, когда она способствует снижению этого напряжения.

Как видно из (3.7) и (3.8), введение обратной связи способствует увеличению коэффициента усиления каскада сдвига уровня. Однако обратная связь приводит к увеличению выходного сопротивления каскада

Глубокая обратная связь по току приводит к увеличению выходного сопротивления каскада, что в ряде случаев может оказаться полезным. Обратная связь по току способствует уменьшению выходной емкости каскада и тем самым снижению уровня линейных искажений в области малых времен. Уменьшаются также искажения, обусловленные рекомбинацией в базе транзистора.

приводит к увеличению выходного напряжения 1)®ъ,х = 1/кэн + + 1^д.вых (где ^д.вых - падение напряжения на диоде Двых). Увеличение 1/вЫХ сопровождается уменьшением помехоустойчивости (/„ом- В схемах на 7.18 уменьшение помехоустойчивости на l/д вых « 0,8 ч- 0,9 В компенсируют путем соответствующего увеличения напряжения стабилизации 1/ст.см диода Дсм. Высокопомехоустойчивые ИМС работают при более высо-

Параллельно-последовательное соединение четырехполюсника /< и четырехполюсника В (см. 2.4, г) в современных одиночных усилительных каскадах встречается редко. Это связано с тем, что параллельная ОС по входу способствует уменьшению входного сопротивления усилительного каскада, а последовательная ОС по выходу— увеличению выходного сопротивления каскада. Такая трансформация входного и выходного сопротивлений усилительного каскада с помощью параллельно-последовательной ОС усложняет согласование каскадов в усилителе, что является одной из причин ее редкого использования в одиночных каскадах. В усилителях параллельно-последовательная ОС находит применение.

Противофазное изменение напряжения С/нв создает так называемую реакцию выходной цепи: с ростом ивх, /э и /к напряжение f/кв падает, вследствие чего оно .должно противодействовать увеличению выходного тока./к- Однако, поскольку ток /к практически очень мало зависит от напряжения ?/кв (выходные характеристики идут почти параллельно оси абсцисс), эта реакция, как и в пентоде, весьма незначительна.

Запуск по истоковым или эмиттерным входам встречается сравнительно редко. Использование указанных входов неизбежно связано с включением резистора в цепь истока или эмиттера, которое приводит к увеличению выходного сопротивления триггера, в результате чего уменьшается нагрузочная способность триггера и его быстродействие. Существенным недостатком запуска по эмиттерным и истоковым входам является также сравнительно большое потребление мощности от источника спусковых импульсов.

Противофазное изменение напряжения С/нв создает так называемую реакцию выходной цепи: с ростом ивх, /э и /к напряжение f/кв падает, вследствие чего оно .должно противодействовать увеличению выходного тока./к- Однако, поскольку ток /к практически очень мало зависит от напряжения ?/кв (выходные характеристики идут почти параллельно оси абсцисс), эта реакция, как и в пентоде, весьма незначительна.

В отличие от схемы с обратной связью по напряжению отрицательная обратная связь по току приводит к увеличению выходного сопротивления схемы:

Вновь повторив серию из N испытаний, мы, наверное, получим новое значение р. При этом возможны такие значения р, которые находятся в достаточно близкой окрестности точного значения р, однако могут быть получены значения р и далекие от р. Таким образом, р является случайной величиной, характеризуемой некоторым распределением ( 12.3). Если задать некоторую область допустимых погрешностей [— Ад, Ад] — доверительный интервал, то вероятность Рд получения решения, не выходящего из этой области, может быть сделана как угодно близкой к единице путем выбора достаточно большого N. На 12.3 показано, что увеличение N приводит к увеличению вероятности Рд получения решения р с допустимой погрешностью:

бивного напряжения при тун- прещенной зоны уменьшается. Следовательно, при этом уменьшается и толщина потенциального барьера при той же напряженности электрического поля, что приводит к увеличению вероятности туннелирования носителей сквозь потенциальный барьер. Поэтому пробивное напряжение при туннельном пробое уменьшается с увеличении температуры ( 3.20).

Для векторного представления можно дать следующую трактовку работы приемника, реализующего правило (2.13). Оптимальный приемник разбивает УИ-мерное сигнальное пространство на т непересекающихся областей решений Zk. Все точки области Zk находятся ближе к концу вектора ЕЭС uft, чем к концу любого другого вектора и/. Если zeZ/;, то выносится решение bk. Например, для системы сигналов, которые можно представить двумерными векторами (см. 2.4, д), области решений оптимального приемника изображены на 2.7, а. Любой другой выбор областей решений приведет к увеличению вероятности ошибки.-

Из (3.25) и (3.26) следует, что расширение зоны стирания, вызывающее рост рс, приводит к увеличению вероятности правильного приема и, следовательно, наличие обратной связи повышает вер-ность передачи дискретных сообщений. В то же время это повышение сопровождается увеличением времени передачи за счет роста числа передач. Аналогичный вывод можно сделать, рассматри-

Введение ограничений на размахи изменений напряжения для источников света вызвано условиями охраны труда. При быстром изменении напряжения наблюдается резкое изменение светового потока, что приводит к зрительной утомляемости людей, снижению производительности труда, увеличению вероятности травматизма, особенно при использовании газоразрядных источников света (возможен стробоскопический эффект).

Процесс коррозии интенсифицируется с ростом температуры металла трубы, которая прежде всего зависит от теплопроводности и структурного состояния (пористости) продуктов коррозии. Образующиеся на поверхности трубы продукты коррозии обычно имеют пористые слои, отличающиеся низкой теплопроводностью. Повышение температуры стенки трубы приводит к росту температуры набивной массы и увеличению вероятности протекания реакций между ее поверхностным слоем и жидким

Термоэлектронная ионизация Френкеля. Электрическое поле Ё, созданное в полупроводнике, действует на электрон, связанны» с атомом примеси, с силой F = —q$ и тем самым понижает потенциальный барьер, удерживающий его около атома. Это приводит к увеличению вероятности перехода электрона в зону проводимости: и росту концентрации свободных электронов в полупроводнике в. области низких температур (до истощения примеси). Теория этого, явления, получившего название термоэлектронной ионизации, бы-, ла развита Я- И. Френкелем.

На выбор количества КТ и периода времени между соседними КТ влияют различные факторы. С одной стороны, уменьшение периода позволяет уменьшить объем обесцененной наработки и расход резерва времени, что приводит к увеличению вероятности выполнения задания и улучшения других показателей надежности. С другой стороны, следует учитывать, что на образование каждой КТ затрачивается некоторое постоянное или случайное время tk. Накопление суммарного времени на образование всех КТ до выполнения задания уменьшает резервное время и вероятность восстановления работоспособности и как следствие уменьшает вероятность выполнения задания. Именно поэтому существует оптимальное количество КТ и оптимальный период между ними. Далее рассмотрим несколько конкретных моделей надежности, на основе которых проводится поиск оптимальных значений.

Напротив, если затравочный кристалл, ось которого совпадает с [100], огранить боковыми гранями, совпадающими с плоскостями {110}, то области формирования граней {111} смещаются на плохо подплавляе-мые средние части боковых поверхностей затравочного кристалла. В сочетании с переохлаждением расплава это приводит к увеличению вероятности одновременного двойникования по всем нижним плоскостям {111}, что приводит к образованию сложного двойникового комплекса, монокристаллические индивиды в котором отделены двойниковыми границами второго порядка [27, 28]. Таким приемом можно получить четырехсекторные кристаллы, содержащие четыре монокристалла (индивида) ориентации [122] каждый и разграниченные двойниковыми плоскостями второго порядка {122} ( 28). Применяя затравку, содержащую двойники определенной ориентации, можно получить более сложные комплексы [например, двух- и трехсекторные кристаллы с границами второго порядка (122) и (114)]. Основой при создании разных комплексов является то, что в двойниковых кристаллах кремния, индивиды в которых связаны между собой границами второго порядка, входящие двух-, трех и четырехгранные октаэдрические углы, образованные гранями- {111} различных индивидов сростка, являются местом зарождения нового кристалла, находящегося в двойниковом положении ко всем индивидам сростка. Интересно отметить, что однажды сдвойникованный по одной из плоскостей (111) индивид двойнику ется еще раз по общим плоскостям {111} с прилегающими к нему индивидами. Это явление было названо авторами [29] вторичным двоиникованием и в зависимости от симметрии двойникового комплекса и последовательности процессов двойникования оно может приводить к реставрации комплекса до монокристалла либо к перестройке в другой комплекс [29].

Возникновение автоэлектронной эмиссии объясняется тем, что сильное электрическое поле у катода изменяет потенциальный барьер на поверхности металла. Это изменение сводится, во-первых, к понижению высоты барьера (уменьшению работы выхода) и, во-вторых, к уменьшению толщины барьера. Оба эти обстоятельства приводят к увеличению вероятности прохождения электронов через поверхностный потенциальный барьер. Если деформация потенциального барьера достаточно велика, то уже при низкой температуре заметная доля электронов проводимости оказывается в состоянии выйти из металла, и тогда возникает автоэлектронная эмиссия. Более детальное объяснение этого явления, однако, возможно только на основе квантовой теории, что лежит за пределами настоящей книги.

Рекомендациями МККТТ предусмотрены следующие основные скорости передачи по телефонным каналам с частотным диапазоном 300-3400 Гц: 200, 600, 1200, 2400, 4800 бит/с и дополнительные скорости 1800, 2000, 3600, 4200 бит/с. Для телефонных каналов с частотным диапазоном 300 — 2400 Гц скорость передачи информации теоретически может достигать 1800 — 2400 бит/с, однако повышение скорости выше 1200 бит/с приводит к снижению достоверности передаваемой информации и увеличению вероятности влиянля смежных каналов. Наряду с телефонными могут быть созданы широкополосные (с диапазоном частот до десятков и сотен килогерц) каналы для передачи по ним информации в кодовой форме со скоростями 9800, 19 600 бит/с и более.

Это свидетельствует о том, что низкие напряжения в ТШ7 в основном обусловлены низким напряжением в ЦП при малых нагрузках. Для улучшения режима напряжения в ТП17 целесообразно повысить напряжение в ЦП в часы малых нагрузок на 2,5 %, что приведет к увеличению вероятности попадания в интервалы — 2,5-=-0 % и 0-=- +2,5% соответственно до 0,63 и 0,85, вероятность попадания в допустимый диапазон повысится до 1.