Увеличении отношения

Прямой ток /пр полупроводникового диода сначала увеличивает-ется по экспоненциальному закону, а при Ua > 0,5 В его а. в. х. близка к линейной. Обратный ток /обр при увеличении обратного напряжения ?/0бр изменяется тоже сначала по экспоненте, а потом прямолинейно.

Закрытый p-n-переход облагает электрической емкостью, которая зависит от его площади и ширины, а также от диэлектрической проницаемости запирающего слоя. При увеличении обратного напряжения ширина p-n-перехода возрастает и емкость С р-п-перехода уменьшается. Зависимость емкости закрытого p-n-перехода от обратного напряжения показана на 1.4.

тик, соответствующих электрическим пробоям (лавинному и туннельному) ( 4.5). Тепловой пробой может наступить как следствие электрического пробоя, который при увеличении обратного тока переходит в тепловой.

В отличие от идеализированных выходных ВАХ реальные характеристики транзистора всегда имеют некоторый наклон: ток коллектора возрастает (хотя и слабо) при увеличении выходного напряжения С/кб. Это определяется эффектом Эрли, сущность которого состоит в том, что при увеличении обратного напряжения на коллекторном /г-и-переходе он расширяется, причем расширение происходит в сторону базы, как более высокоомный слой; при этом ширина базы уменьшается. Уменьшение ширины базы приводит к тому, что большее количество неосновных носителей проходит базу не рекомбинируя в ней и, следовательно, больше носителей заряда попадает в коллектор, вызывая рост тока коллектора.

как сечение канала максимально. При увеличении обратного напряжения ?7ЗН обедненные слои р-п-переходов расширяются, уменьшая сечение канала, проводящего ток между истоком и стоком. В результате уменьшается значение тока стока /с. При напряжении отсечки U3H OTc сечение канала уменьшается практически до нуля, и ток /с прекращается. При этом сток и исток оказываются изолированными друг от друга. Рассмотренные процессы иллюстрирует стокозатворная (входная) характеристика /с = ф(?Лн)исн== const ( 2.20, а). Таким образом, управление током стока (основной цепи) почти бестоковое, поскольку на затвор подается обратное напряжение и через него проходит только обратный ток перехода.

общая емкость Сд — емкость, измеренная между выводами :диода при заданном обратном напряжении ?/0бр- При увеличении обратного напряжения емкость диода уменьшается. При прямом напряжении, приложенном к диоду, емкость увеличивается. Кроме перечисленных выше электрических параметров, в паспортах диодов указывают параметры предельного режима работы диода, при которых обеспечивается заданная надежность при длительной работе. К ним относятся: максимально допустимое обратное напряжение ?/0бртпах, максимально допустимый средний прямой ток /пр.сртах, максимально допустимый средний выпрямленный ток /вишах, предельная частота выпрямления /д (ниже 50 кГц), обратное напряжение пробоя ?/Проб (при ?/Проб -обратный ток через переход достигает заданного значения).

Условное графическое обозначение и вольт-амперная характеристика стабилитрона изображены на 21. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики у стабилитрона такого же вида, экак у обычного диода. С ростом обратного напряжения обратный ток будет изменяться очень незначительно, пока обратное напряжение t/обр не достигнет значения напряжения пробоя ?/цроб- При •напряжении ?/Прсб наступит пробой, и ток через прибор мгновенно возрастет. При дальнейшем увеличении обратного напряжения, подаваемого на стабилитрон, будет меняться ток, а падение ^напряжения на приборе останется почти постоянным.

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода гк обусловлено расширением области объемного заряда при увеличении обратного смещения и описывается выражением

При увеличении обратного напряжения обратный ток почти равномерно возрастает.

через диоды, а также мощность, выделяемая в р-п переходе. Повышение температуры кристалла усиливает генерацию неосновных носителей, поэтому увеличивается обратный ток. При увеличении обратного тока в свою очередь растет мощность, температура перехода еще более повышается, что в конечном счете приводит к разрушению р-п перехода и выходу прибора из строя. Этот вид пробоя, приводящий к разрушению прибора, является наиболее нежелательным.

Проводимость канала определяется его сечением. Изменяя напряжение на затворе U3, смещающее при указанной на 3.25, а полярности источника ?3 переходы в обратном направлении, можно изменять сечение канала за счет расширения или сужения обедненных слоев переходов, а следовательно, сопротивление канала и значение проходящего через него тока. При U3 = 0 ток стока /0 проходящий через канал, имеет максимальное значение, так как сечение канала максимально. При увеличении обратного напряжения U, обедненные слои р-п-переходов расширяются, уменьшая сечение канала, проводящего ток между истоком и стоком. В результате уменьшается ток стока /с. При определенном напряжении, называемом напряжением отсечки [73„ сечение канала уменьшается практически до нуля и возрастание тока 1К прекращается. При этом сток и исток оказываются изолированными друг от друга. Таким образом, управление током стока (основной

Уменьшение напряжений при увеличении отношения /i = r/L учитывают коэффициентом k ( 11.37).

ко по мере уменьшения расстояния между зондами при расположении системы зондов в центре пластины возникает закорачивание ЭДС Холла периферийной областью образца. Это явление называют вторичным эффектом Холла. Поэтому в формулу (2.12) необходимо вводить поправочную функцию f(d/s), зависящую от отношения диаметра пластины к расстоянию между зондами. При увеличении отношения d/s образец приближается к пластине бесконечных размеров и, следовательно, ЭДС Холла уменьшается. Значения поправочной функции f(d/s) приведены в табл. 2.2.

это отношение велико (края сравнительно широки), предельное значение Л = 0,307. Так как значение коэффициента k резко падает от 1 до 0,307 при увеличении отношения с/6, то практически при с:/6> 1 можно брать k ==0307. На 1.8,а условно показано выпучивание силовых линий по краям прямоугольного полюса. Для нахождения магнитных проводимостей применяются также аналитические выражения, полученные на основе зависимости (1.19). Так, если пренебречь искажающим влиянием краев, то между наклонными полюсами ( 1.8,6) линии магнитной индукции между двумя непараллельными плоскостями, расположенными под углом ф, будут представлять собой дуги окружностей с центрами, лекащлми на линии пересечения плоскостей. В пределах полюсов ( 1.8,6) для элементарного слоя, заключенного между двумя смежными линиями магнитной индукции, проводимость dk--\i0bdx: (ф.с), где b — размер полюса в направлении, перпендикулярном плоскости чертежа. Проинтегрировав это выражение в пределах or л до rz, получим формулу для 11 р о в о д и м о с т и между д в у м я наклоненным и прямоугольными полюсами

существенно ниже, чем на его поверхности, причем при увеличении отношения R0/r0 разность потенциалов U — ф0 увеличивается. Например, при R0/r0 = 12,5 значение ф0 = 0,7U.

сительное влияние индуктивности возрастает при увеличении отношения 7\/Тф, т. е. при уменьшении длительности фронта тф и удельного сопротивления грунта и при увеличении длины заземлителя.

Уменьшение напряжений при увеличении отношения n=r/L учитывают коэффициентом k ( 9-37).

Для изготовления цилиндрических полых деталей с отношением высоты к диаметру больше 0,6 обычно требуют две и более вытяжные операции, что увеличивает их 'стоимость. Для деталей прямоугольной формы число операций увеличивается при увеличении отношения большей стороны к меньшей; для алюминиевых деталей прямоугольной формы, с высотой в два раза превышающей наи-

На 1.8 представлены зависимости для больших и малых отношений толщины нагреваемого тела к глубине проникновения, когда за единицу принята плотность мощности на поверхности в середине широкой стороны поперечного сечения. Как видно из 1.8, а, эквипотенциали близки по форме к прямоугольному контуру, и действительное распределение вполне можно заменить выделением мощности в узком поверхностном слое. При увеличении отношения сторон поперечного сечения распределение мощности еще больше будет приближаться к поверхностному. Данный случай возможен при нагреве на промышленной частоте алюминиевых слябов толщиной 280 мм.

Уменьшение напряжений при увеличении отношения ц = rIL учитывают коэффициентом к ( 8.37).

где Аф - коэффициент формы. Он может быть определен по кривым 6.5. Нижняя кривая относится к очень тонким пластинам, поставленным на ребро; для них коэффициент формы меньше единицы. По мере увеличения отношения h/h от 0 до 1 кривые приближаются к горизонтальной прямой с ординатой, равной 1. При дальнейшем увеличении отношения b/h кривые расположены вышеуказанной горизонтальной прямой. Коэффициент формы имеет наибольшее значение для тонких полос, расположенных в одной плоскости (см. верхнюю кривую — b/h = со).

При R/X = 10 напряжение на первом разрыве увеличивается относительно быстро, максимум его достигает приблизительно 90% напряжения сети. Сопротивление цепи увеличивается приблизительно в 10 раз. Следовательно, отключаемый ток во втором разрыве уменьшается до 10% полного тока КЗ. При дальнейшем увеличении отношения R/X на процесс восстановления напряжения начинает оказывать влияние емкость, которая в этом анализе принята равной нулю. Когда R превысит критическое значение, процесс примет колебательный характер и максимум ПВН превысит амплитуду напряжения сети.