Ультрафиолетовым излучением

Укрупненная структурная схема АСУ ГАЛ изготовления ТУК приведена на 16.11. Основой комплекса технических средств (КТС) АСУ ГАЛ является управляющий вычислительный комплекс (УВК), построенный на базе микроЭВМ типа «Электрони-ка-60» и содержащий терминальный пункт оператора (ТПО) с пультом управления (ПУ), видеотерминалом (ВТ) и аппаратурой диспетчерской связи (АДС); комплекс ввода — вывода дискретной и аналоговой информации (KB — ВДИ); комплекс ввода аналоговой информации (КВАИ); расширитель ввода — вывода (РВ —В). Основу КТС ЛСУ ГПМ-С составляет УВК, состоящий из устройств ЧПУ автоматизированного ткацкого станка и ТрМ, который с помощью устройств системного интерфейса (моноканал УВК АСУ ГАЛ) подключен в качестве абонента к локальной сети микроЭВМ УВК АСУ ГАЛ изготовления ТУК. Главной задачей оперативно-технологического управления ГПМ-С является за-

ЭХН в целом является комплексным техническим объектом, который помимо батареи ТЭ и вспомогательного оборудования включает целый ряд блоков, имеющих между собой прямые и обратные связи для обеспечения функционирования в заданном рабочем режиме. Можно классифицировать ЭХГ как техническую систему, состоящую из соответствующих подсистем. Укрупненная структурная схема ЭХГ ( 1.5) в качестве главной подсистемы содержит батарею топливных элементов (БТЭ), а также подсистемы: хранения горючего и окислителя ПХГ, ПХО; обработки горючего и окислителя ПОГ, ПОО; подачи горючего и окислителя ППГ, ППО. Кроме того, имеются подсистемы отвода продуктов реакции (ПОПР), теплоотвода ПТО и подсистема контроля и автоматики ПКА. Последняя имеет двухсторонние связи с подсистемами подачи и отвода, показанные встречными стрелками. БТЭ подключена к системе потребления и регулирования электроэнергии (ППРЭ).

Укрупненная структурная 'схема САПР ЭМ показана на 12.1.

12.1. Укрупненная структурная схема САПР

На 8.9 дана укрупненная структурная схема расчета нагрузочных и _тяговых характеристик электромагнита. Исходными данными являются тип и размеры электромагнита, сечение обмоточ-

' 8.9. Укрупненная структурная схема программы ЦВМ для расчета магнитного поля методом конечных элементов

22-2. Укрупненная структурная схема 1 250 1 192 УВМ «Днепр».

На 3.52 приведена укрупненная структурная схема УСАПП. Приведем краткое описание основных узлов устройства.

На 7-13, а приведена укрупненная структурная схема испытательного стенда механических трансмиссий вертолетов,

Укрупненная структурная схема САПР ЭМ показана на 12.1.

12.1. Укрупненная структурная схема САПР

Ионизированные слои атмосферы создаются в основном ультрафиолетовым излучением Солнца. Сложная зависимость температуры атмосферы от высоты и изменение ее плотности с увеличением высоты приводят к тому, что ионизация, характеризуемая числом электронов N в единице объема, изменяется не монотонно, а образуется четыре явно выраженных ионизированных слоя. Они получили условные обозначения D, Е, F\, F2. На 1.9, а показан типичный график зависимости N от высоты ft. Из него видно, что слой D, например, располагается на высоте приблизительно 60 — 80 км, слой Е — на высоте 100 — 120 км, а слои F\ и F? занимают области приблизительно от 200 до 450 км.

4.2. Микросхема ПЛМ со стиранием ультрафиолетовым излучением:

Органические загрязнения обнаруживают с помощью люминесцентного микроскопа при освещении поверхности пластины ультрафиолетовым излучением ртутной лампы. При возбуждении ультрафиолетовым излучением большинство органических соединений люминесцируют в сине-голубой области спектра. Это позволяет не только обнаруживать их на поверх-

Исходной водой для получения высокочистых марок воды является дистиллированная вода. Подаваемая в дистилляторы водопроводная вода проходит предварительную подготовку, состоящую в фильтрации для очистки от грубых механических частиц размером >2 мкм и стерилизации, осуществляемой интенсивным облучением воды ультрафиолетовым излучением для очистки от микроорганиз-

Виды регистрации измерительной информации. Регистрация — представление измерительной информации в форме видимых или скрытых изображений, размещенных на некоторых материальных носителях (бумага, магнитная лента, фотопленка и т. п.). Виды регистрации, применяемые в современных измерительных приборах весьма разнообразны. В самопишущих приборах широко используется запись чернилами на диаграммной бумаге. В осциллографах применяется запись на фотопленке и фотобумаге. Запись чернилами осложнена возможностью засорения пера, высыханием чернил в подводящем капилляре и трением пера о бумагу. Перспективными мерами, направленными на преодоление недостатков чернильной записи, следует считать использование в самопишущих приборах подачи чернил под давлением, переход на запись красящими пастами, применение перьев с волокнистым наконечником. В целях устранения неудобств, связанных с химическим проявлением фотозаписи, были разработаны светолучёвые осциллографы, обеспечивающие получение видимой записи на специальной фотобумаге, не нуждающейся в проявлении. В этих осциллографах применяются источники с ультрафиолетовым излучением и специальная оптика. Основным препятствием к широкому использованию этого метода регистрации является высокая стоимость специальной фотобумаги.

Физический процесс свечения люминесцентной лампы заключается в следующем: между вольфрамовыми электродами лампы под действием приложенного напряжения происходит электрический разряд в парах ртути, образовавшихся в трубке от испарения капли ртути при предварительном нагреве электродов током. Разряд сопровождается интенсивным ультрафиолетовым излучением, под действием которого люминофор начинает излучать свет различных оттенков, определяемых составом люминофора. Таким образом, в люминесцентной лампе происходит двойное преобразование электрической энергии: вначале в ультрафиолетовое, а затем люминесцентное излучение.

Измерение импульсных напряжений с помощью шаровых разрядников имеет ряд особенностей, связанных с явлением запаздывания разряда при кратковременных импульсных воздействиях. Для уменьшения времени запаздывания разряда и получения стабильных результатов необходимо облучение разрядных промежутков при измерении напряжений до 50 кв, и в особенности при измерении коротких импульсов. Облучение ультрафиолетовым излучением ртутно-кварцевой лампы или излучением радиоактивных веществ увеличивает число свободных электронов в промежутке и тем самым уменьшает статистическое время запаздывания разряда.

сюда название структуры транзистора ЛИЗМОП (лавинно-ин-жекционная с изолированным затвором). Попавший на затвор заряд индуцирует проводящий канал между стоком и истоком (как в МОП-транзисторе с изолированным затвором и индуцированным каналом). Изоляция затвора позволяет хранить заряд на нем, а, следовательно, записанную информацию в течение нескольких лет. Для снятия заряда перед перепрограммированием (стирания информации) поверхность транзистора облучают через специальное окно в корпусе ультрафиолетовым излучением.

Все эти излучения представляют собой электромагнитные волны. Хотя привычно и удобно пользоваться приведенными здесь наименованиями различных видов электромагнитного излучения, резких границ между смежными областями электромагнитного спектра, например между рентгеновским и ультрафиолетовым излучением, не существует. И, конечно, никакой измерительный прибор не сможет указать, например, каково происхождение данного фотона с энергией 5 эВ.

даются длинноволновым ультрафиолетовым излучением

Основным источником оптического излучения в этой группе ламп является слой люминесцирующего вещества (люминофора), возбуждаемого ультрафиолетовым излучением электрического разряда в парах ртути. Лампы имеют в 4-—6 раз большую световую отдачу, чем лампы накаливания.