Внутренних цилиндрических

поскольку значение Pt3 прямо пропорционально квадрату напряжения питания. Этот путь был неприемлем на ранних этапах развития микроэлектроники, так как для ИМС малой степени интеграции помехоустойчивость являлась одним из главных параметров. На этапе создания БИС и особенно СБИС помехоустойчивость внутренних элементов не является определяющим параметром. Поэтому снижение напряжения питания является одной из основных тенденций развития схемотехники.

Скрытый п+-слой располагается под базовой областью транзистора и в принципе может простираться до площади непосредственно под коллекторным контактом. Фактическое расстояние между изолирующей стенкой /7-типа и внутренними элементами транзисторной структуры сильно зависят от диффузии в боковых направлениях. При проектировании транзистора полупроводниковой ИМС следует особо учитывать, что длительность процесса изолирующей диффузии намного превышает длительность диффузии атомов примеси, в процессе которой формируется базовая область. Поэтому влияние диффузии в боковых направлениях при формировании изолированных областей и последующих процессах высокотемпературной обработки является очень существенным. Оптимальным считается такое расположение изолирующей стенки р-типа и внутренних элементов транзисторной структуры, при котором расстояние между ними составляет не менее удвоенной глубины эмиттерного перехода.

При возбуждении резонанса точки в поле зрения микроскопа создаются линейные фигуры, которые имеют вид отрезков прямых линий, эллипсов или окружностей. Наибольшее расхождение наблюдаемой фигуры от своего исходного значения фиксируется как основной резонанс. Резонансная частота фиксируется в момент наибольшего расхождения линейной фигуры по частотомеру. Удвоенная амплитуда колебаний измеряется с помощью отсчетной сетки микроскопа (например, МБС-2 .или МИН-4). С целью повышения точности измерения амплитуды колебаний внутренних элементов конструкции на микроскоп устанавливается окулярный микрометр типа АМ-9-4.

С помощью этого метода можно выявлять резонансные частоты внутренних элементов конструкции транзисторов без предварительного вскрытия исследуемых'при-боров, что в совокупности с возможностью записи амплитудно-частотной характеристики резонирующего-элемента определяет его преимущество перед ранее рассмотренными методами.

Коэффициент передачи напряжения ОУ с последовательной ОС по напряжению при бесконечно большом коэффициенте усиления не зависит от параметров внутренних элементов и является только функцией параметров элементов цепи ОС.

Скрытый Л+-СЛОЙ располагается под базовой областью интегрального транзистора и в принципе может простираться до площади непосредственно под коллекторным контактом. Фактическое расстояние между изолирующей стенкой р-типа и внутренними элементами транзисторной структуры сильно зависит от диффузии в боковых направлениях. При проектировании транзистора полупроводниковой ИМС следует особо учитывать, что длительность процесса изолирующей диффузии намного превышает длительность диффузии базовой примеси. Поэтому влияние диффузии в боковых -—направлениях при формировании изолированных областей и последующих процессах высокотемпературной обработки является очень существенным. Оптимальным считается такое расположение изолирующей стенки р-типа и внутренних элементов транзисторной структуры, при котором расстояние между ними составляет не менее удвоенной глубины эмиттерного перехода.

Двухуровневая ПЛМ с памятью ( 3.11,а), в отличие от двухуровневой ПЛМ комбинационного типа, содержит внутренний r-разрядный регистр. Входы регистра соединяются с выходными шинами матрицы М2, а выходы — с входными шинами матрицы MI. Двухуровневую ПЛМ с памятью, имеющую s внешних входов, t внешних выходов,, q промежуточных шин и г внутренних элементов памяти, будем называть ПЛМ (s, t, q, r); функциональное изображение такой ПЛМ показано на 3.11,6.

Многие проектировщики перенесли приемы, свойственные печатным платам, на уровень размещения в кристалле и не учли некоторых особенностей размещения компонентов в кристалле. Проводник на кристалле не расходует кремниевую зону и поэтому оказывает незначительное влияние на размеры кристалла БИС, цену корпуса и т. д. Современные промышленные технологии изготовления кристаллов предполагают наличие большого числа слоев металлических соединений (свыше 5) и следует ожидать, что добавление линий или обеспечение переходов между слоями не будут вызывать значительного удорожания продукции. Более того, большинство фирм-производителей ИС с большой осторожностью подходят к формированию внутренних элементов с тремя состояниями. Очень редко в состав ПЛИС вводятся такие элементы, и, чаще всего, синтезирующие средства заменяют их на мультиплексоры с соответствующим количеством входов. Отказываться от применения элементов с тремя состояниями разработчиков структур ПЛИС заставляют возможности и ограничения синтезирующих средств. Ограничения САПР связаны со сложностью (большим объемом вычислений) определения состояний узлов, объединяющих сигналы от различных источников на одной шине. Большие сложности вызывает выполнение точного статического временного анализа для различных комбинаций разрешающих и запрещающих сигналов.

Принудительный разряд, в том числе со сверхразрядом,— это еще некоторый вид более жестких условий испытаний, особенно если испытаниям подвергают термически изолированный элемент. При этом моделируется работа одного из внутренних элементов батареи (составленной из последовательно соединенных элементов) в условиях не очень хорошего^ теплоотвода. Результаты таких испытаний показаны на 8.30 — в данном случае для элемента типоразмера D, у которого стравливающая система настроена на рекомендуемые значения давления паров и температуры электролита. Элемент был хорошо термоизолирован и разряжался током 10 А (что соответствует удельной мощности 280 Вт/кг) с использованием источника стабилизированного тока. Напря-

Корпус генератора. Его назначение — передача тепла в окружающее пространство от термобатареи, обеспечение герметичности" при заполнении генератора инертным газом, защита внутренних элементов от механического и химического воздействий внешней среды. Для наземных и космических вариантов корпус генератора

Современные магнитные отклоняющие системы позволяют получать чувствительность по отклонению до 1 мм/а - вит. При электростатическом отклонении отклоняющие пластины, помещаемые внутри трубки, обычно собирают вместе с электронным прожектором, и качество электростатической системы во многом зависит от точности сборки внутренних элементов прибора. Магнитная отклоняющая система, устанавливаемая снаружи горловины трубки, механически не связана с элементами электронного прожектора, поэтому установка отклоняющей системы является самостоятельной операцией; от выбора местоположения системы на горловине трубки и точности установки зависят параметры отклонения. В частности, смещение отклоняющей системы вдоль оси трубки может привести к ограничению угла отклонения за счет срезания луча переходной частью (от горловины к конусу) колбы, а перекос отклоняющей системы может вызвать появление дополнительных аберраций при отклонении и, как следствие, уменьшение разрешающей способности и искажение формы растра при развертке луча на экране.

Оболочки предназначены для защиты внутренних элементов кабеля от увлажнения и других внешних воздействий. * Защитные покровы предназначены для защиты оболочки кабеля от внешних воздействий. В зависимости от конструкции кабеля в защитные покровы входят: подушка, бронепокров и наружный покров.

1) наиболее широко применяются станки токарной группы (обработка наружных и внутренних цилиндрических поверхностей, резьб и некоторых фасонных поверхностей на деталях или участках деталей, являющихся телами вращения);

Обработка точных внутренних цилиндрических поверхностей деталей приборов производится в основном на станках токарной группы растачиванием. Процессу растг.чивания предшествует операция (переход) получения предварительного отверстия литьем или сверлением (при изготовления деталей из проката). Тонким и алмазным растачиванием можно получить детали с точностью и шероховатостью поверхностей, аналогичными процессам обработки наружных поверхностей вращения.

Обработка внутренних цилиндрических поверхностей

6-2. ИНДУКТОРЫ БЕЗ МАГНИТОПРОВОДОВ ДЛЯ НАГРЕВА ВНУТРЕННИХ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

Индуктор является основным элементом высокочастотный закалочной установки, во многом определяющим качество закалки и экономичность процесса. Существует огромное число конструкций индукторов, причем даже для нагрева одной детали могут использоваться индукторы различных типов. Можно условно выделить следующие типы индукторов: а) для внешних цилиндрических поверхностей; б) для плоских поверхностей; в) для внутренних цилиндрических поверхностей; г) индукторы для тел сложной формы.

подачи воды, охлаждающей индуктор и нагретую поверхность. Индукторы для нагрева плоских и внутренних цилиндрических поверхностей часто снабжают магнитопроводами, повышающими КПД

6-2. Индукторы без магнитопроводов для нагрева внутренних цилиндрических поверхностей............... 87

3.28, а—в показаны эскизы индукторов соответственно для закалки внутренних цилиндрических поверхностей (для улучшения КПД индуктора применяются магнитопроводы), для одновременной закалки двух ва-

Анодно-гидравлическая размерная обработка осуществляется в станках, универсальных или специализированных (например, для обработки турбинных лопаток, обработки штампов и пресс-форм, прошивки отверстий, обработки внутренних цилиндрических поверхностей, рез:ш материалов, шлифювания, снятия заусенцев и Т.П.). Каждый такой станок содержит рабочую камеру, обычно закрытую прозрачным щитком для наблюдения за ходом процесса, в которую введены шпиндели с держателями инструмента (катода) и изделия. Шпиндели могут получать поступательные (подача) и вращательные движения от суппортов с электромеханическими приводами, находящихся вне рабочей камеры на станине станка. В рабочую камеру вводят электролит, вспрыскиваемый под давлением в межэлектродный зазор. Последний весьма мал: расстояния между электродами в зависимости 6т процесса составляют от 0,1 до 0,5 мм. В зазорах скорость электролита достигает 5—40 м/с. В состав станка входят также насос, источник питания, баки для хранения и приготовления электролита и устройство для очистки последнего.

РАСЧЕТ ИНДУКТОРОВ ДЛЯ ЗАКАЛКИ ПЛОСКИХ И ВНУТРЕННИХ ЦИЛИНДРИЧЕСКИХ ПОВЕРХНОСТЕЙ

7-1. Особенности нагрева плоских и внутренних цилиндрических :