Внутреннего отражения

^ "- Лампа, внутреннего освещения щита. Потолок щита.

Осветительная сеть состоит из трех трансформаторов, два из которых (Т01 и Т02) трехфазные напряжением 380/127 В, а один (Т04)—однофазный напряжением 127/12 В. Трансформатор Т01 предназначен для питания пяти прожекторов наружного освещения; Т02 — светильников для внутреннего освещения; Т04 — для питания ламп переносного освещения. Для питания сирены установлен трансформатор ТОЗ напряжением 380/127 В.

Метод коэффициента использования светового потока учитывает освещенность, создаваемую отраженным световым потоком и применяется для расчета внутреннего освещения помещений производственных и служебных зданий.

Нормируемая освещенность для искусственного освещения одинакова для установок внутреннего освещения

Для освещения цехов с высоким расположением светильников используются лампы ДРЛ и ДРИ. Для установок внутреннего освещения в целях экономии электроэнергии перспективным считается применение натриевых ламп высокого давления в сочетании с лампами ДРИ и

Отметим особенности фазировки светильников в многофазных линиях. При питании светильников фазным напряжением в трехфазных группах внутреннего освещения рекомендуется присоединить светильники в следующем порядке: А, В, С, А, В, С — для снижения пульсаций освещенности от газоразрядных ламп, а также в случаях, когда при отключении одной или двух фаз необходимо сохранить сниженную освещенность по всему помещению; А, А, ..., В, В, ..., С, С, ... — при необходимости со-

внутреннего освещения. Эффективность светильника для наружного освещения в основном характеризуется перераспределением светового потока лампы и обычно определяется кривыми распределения силы света в горизонтальной и вертикальной плоскостях.

и минимальной нагрузок: в силовых электросетях ±5% в нормальном режиме, в аварийном режиме допускается отклонение напряжения до ±10% от номинального. В электроосветительных сетях понижение напряжения у наиболее удаленных ламп внутреннего освещения, а также для прожекторного освещения промышленных установок и для аварийного освещения не должно быть более 2,5% от номинального напряжения ламп, у наиболее удаленных ламп наружного и аварийного освещения — до 5% и в сети 12—36 В — не более 10%. Наибольшее напряжение на лампах не более 102,5% от их номинального напряжения.

Светильники преимущественно отраженного и отраженного света в производственных помещениях, как правило, не применяются. Они используются в основном в установках архитектурного освещения общественных зданий. Для внутреннего освещения практически не применяются светильники с широким типом кривой силы света (Ш), которые целесообразны для наружного освещения.

Лампы внутреннего освещения

для внутреннего освещения

Для создания стекловолокон используется широкий класс явлений, обусловленных прохождением света через оптически прозрачное вещество в результате полного внутреннего отражения от границы раздела двух сред с разными коэффициентами преломления. Оптическая среда представляет собой волновод, входное и выходное сечения которого линейно связаны с изменением масштаба изображения.

Еще большие возможности открываются при использовании световодов — волноводов оптического диапазона частот. Наиболее перспективным вариантом световода является прозрачная нить из специальных сортов диэлектриков высокого качества. Световые волны распространяются вдоль нити согласно явлению полного внутреннего отражения, известному из курса физики. «Информационная емкость» светового диапазона огромна. Практическое использование его пока еще затруднено из-за необходимости совершенствовать лазеры, разработку и изготовление усилителей, модуляторов, демодуляторов волн этого диапазона.

Многократное внутреннее отражение увеличивает длину пути светового луча в образце и приводит к увеличению угла Фарадея. С учетом многократного внутреннего отражения угол Q'F связан с углом 9^ (6.42) соотношением

( 6.4). Излучение интенсивностью /1 отражается от поверхности слоя, остальное излучение распространяется в слое под углом преломления фь После отражения от подложки в точке В световой луч преломляется в точке С и раслространяется параллельно отраженному лучу. Эффектом многократного внутреннего отражения пренебрегаем.

В состав элементной базы оптоэлектроники входят световодные кабели, обеспечивающие передачу на расстояние светового потока в результате многократного внутреннего отражения луча внутри стеклянной основы световодной жилы, имеющей диаметр около 40 мкм. Стеклянное волокно световодной жилы имеет покрытие, позволяющее набирать волокна в пучок в виде световодного кабеля.

При создании опт оэлектронных устройств необходимо сопрягать фотоизлучатели и фотоприемники так, чтобы спектральная полоса излучения перекрывалась спектром фоточувствительности. Эффективную оптическую связь между элементами оптрона осуществляют с помощью средств волоконной оптики, а именно с помощью тонких нитей из прозрачного материала, сигнал по которым передается по сложной траектории на основе эффекта полного внутреннего отражения. С помощью волокон можно производить поэлементную передачу изображения с высокой разрешающей способностью.

раздела полупроводника и окружающей атмосферы под углом, превышающим критический угол полного внутреннего отражения (.кр == arc sin(l/«r), где п, — коэффициент преломления полупроводника. Обычно фкр^ 17°.

Таким образом, из полупроводникового излучателя, имеющего простейшую плоскую структуру ( 9.3, а), в окружающее пространство выходит только часть фотонов, возникших в выпрямляющем электрическом переходе или вблизи него. Внешний квантовый выход удается увеличить при использовании более сложных конструкций полупроводниковых излучателей со структурой в виде полусферического кристалла полупроводника ( 9.3, б) или плоской структуры с прозрачным полусферическим покрытием ( 9.3, а). В полупроводниковых излучателях с полусферической структурой для всей поверхности угол падения фотонов оказывается меньше критического угла полного внутреннего отражения при большом отношении радиусов R и г ( 9.3, б), т. е. при

Значительно проще технология изготовления полупроводниковых излучателей с прозрачным полусферическим (или параболическим) покрытием из различных пластических материалов с высоким коэффициентом преломления для увеличения критического угла полного внутреннего отражения в полупроводнике.

2. Потери на полное внутреннее отражение (излучение 2) При падении излучения на границу раздела оптически более плотной среды (полупроводник)1 с оптически менее плотной (воздух) для частиц излучения выполняется условие полного внутреннего отражения. Эта часть излучения отразившись внутри кристалла, в конечном счете теряется за счет самопоглощения.

следует, во-первых, уменьшать потери излучения квантов в зоне генерации, полного внутреннего отражения на границе раздела полупроводник — оптическая среда и потери торцевого и обратного излучения светодиода; во-вторых, увеличивать коэффициент инжекции электрического перехода светодиода и, в-третьих, сокращать доли безызлуча-тельной и конкурирующей рекомбинации в переходе светодиода, т. е. повышать внутренний квантовый выход. С этой целью необходимо выбирать материалы светодиодов, использовать в их структуре гетеропереходы, улучшать конструкцию прибора. Так, например, в мезаструктуре р-п-пе-рехода светодиода на арсениде галлия, легированного кремнием, GaAs(Si) резко снижена безызлучательная рекомбинация, получен предельно высокий коэффициент инжекции. Из-за различий спектральных характеристик излучения (Ам = 0,94 мкм) и поглощения (Хгр^О.ЭО мкм) этого материала потери самопоглощения малы.