Внутренней структурой

Уравнение (3.17) дает исчерпывающее описание марковской цепи, так как оно определяет закон распределения вероятностей состояний цепи во времени. Однако при анизотропности и больщих размерах матрицы Р использование соотношения (3.17) в качестве расчетного затруднительно. Значительные трудности возникают при попытке получить закон распределения вероятностей времени отладки радиоэлектронного блока. Для практических целей часто достаточно знать лишь первые моменты распределения и в первую очередь математическое ожидание. Оно может быть получено с помощью фундаментальной матрицы [32], которая строится с уче-i том внутренней структуры множества возможных состояний.

Пользователь чаще всего не имеет дела с пультом ЭВМ, а общается с ЭВМ через дисплей. Пользователей современных ЭВМ интересуют такие характеристики, как производительность ЭВМ, форма общения (пакетный режим, разделение времени, работа с базой данных), совместимость с ранее использовавшейся ЭВМ на уровне языков высокого уровня и управляющего языка операционной системы. А вот для системного программиста, поддерживающего через операционные системы весь сервис пользователю, вопросы внутренней структуры ЭВМ, системы ее команд и автокод, объемы памяти всех уровней и взаимодействие между ними, организацию общения центрального процессора с периферией, т. е. те характеристики, которые мы отнесли к понятию архитектуры, остаются по-прежнему важными.

Многослойные маховики. Исследования по увеличению удельной энергии привели к созданию различных конструкций супермаховиков на основе металлических проволок и лент, а также композитных волокнистых неметаллических материалов. Известно, что стальная проволока или лента (вследствие своей внутренней структуры, образованной волочением или холодной прокаткой) допускает стр, в несколько раз превосходящие предельные напряжения массивных изделий из того же металла. Следовательно, в навитом из проклеенных слоев непрерывной ленты маховике ( 4.7, а) можно получить

В соответствии с требованием п. «б» изображение внутренней структуры микросхемы А\ заменено изображением ее контактной группы. В соответствии с п. «в» изображения резисторов /?« и Кг подняты вверх и повернуты, что позволило исключить два пересечения. Изучение габаритных чертежей прочих элементов показало, что их размещение не добавит пересечений на схеме.

Из схемы замещения транзистора (- 6.5) видно, что она содержит резко разграниченные входные и выходные цепи, имеющие две пары зажимов для соединения с другими устройствами. Следовательно, эквивалентную схему транзистора независимо от внутренней структуры можно представить в виде четырехполюсника, имеющего два входных и два выходных внешних зажима ( 6.16).

метод обеспечивает определение и контроль размеров движущихся по конвейеру деталей, контроль качества обработки поверхностей и внутренней структуры деталей, автоматическое управление работой кузнечных прессов, бесконтактное измерение и автоматическое регулирование ширины листов, проходящих через прокатный стан, и т, п. Приведенный краткий и далеко не полный перечень применений установок промышленного телевидения показывает, что этой области электроники принадлежит одно из ведущих мест при усовершенствовании и автоматизации производственных процессов.

5) слабой связью внутренней структуры конструкции с ее внешним оформлением.

Для большинства пищевых продуктов скорость подъема температуры ограничена значением 0,4—1 К/с. Более высокий темп нагрева может привести к разрушению внутренней структуры изделия из-за чрезмерно интенсивного парообразования [30].

Использование составных сигналов повышает помехоустойчивость и точность синхронизации многоканальной системы связи. Обработка сигналов синхронизации осуществляется «в целом» и основана на знании внутренней структуры этих сигналов. Для приема составных сигналов используются пассивные согласованные фильтры [35].

Исследования показали, что жидкостные системы имеют ряд важных преимуществ перед системами на основе твердых тел, прежде всего к ним следует отнести компактность и многофункциональность жидкостных элементов, где в небольшом объеме может происходить одновременно с разной скоростью множество разнообразных физико-химических процессов. Эти системы надежны и обеспечивают возможность изменения своей внутренней структуры, т. е. внутреннего управления. Наибо.те характерным примером жидкостной системы является человеческий мозг.

Два четырехполюсника, имеющие одинаковые системы параметров, независимо от их внутренней структуры, числа элементов и т. д., характеризуются, очевидно, одинаковыми уравнениями передачи. Такие четырехполюсники называются эквивалентными, и при включении любого из них между одними и теми же внешними цепями на их зажимах устанавливаются одинаковые режимы.

Идея создания БИС, функции которой задавались бы не схемой соединения между узлами (жесткая логика), а реализовались бы программным путем, привела к созданию микропроцессорных БИС и мик-роЭВМ с гибкой внутренней структурой, позволяющей реализовать широкий набор выполняемых операций. Этот набор определяется информацией (программой), записанной в памяти микропроцессора или микроЭВМ.

Приведенные в книге примеры использования МП иллюстрируют богатые возможности решения многих радиотехнических задач программным путем, причем повышенная разрядность, быстродействие и расширенный состав МПК нового поколения, к которому относится рассмотренный в книге комплект К1810, существенно расширяют область их применения в С помощью МП можно реализовать более сложные алгоритмы обработки сигналов, приближающиеся к оптимальным и, следовательно, улучшить технические и тактические параметры систем, придать им ряд новых функций. Так, высокая производительность микропроцессоров нового поколения значительно облегчает решение задачи объединения и совместной обработки информации от различных источников при создании радиотехнических комплексов. Становится возможным расширить комп-лексирование, увеличив степень интеграции устройств и систем, входящих в состав радиотехнического комплекса, для повышения точности и надежности его работы. От комплексирования в основном при вторичной обработке информации осуществляется переход к более глубокому комплексированию, включающему уровень первичной обработки. Эффективность такого перехода резко возрастает, если предусмотрено управление внутренней структурой комплекса при изменении решаемой задачи или условий ее решения, а также при отказах различных устройств и систем, входящих в состав комплекса.

Для упрощения анализа электронных схем на транзисторах используют эквивалентные схемы (модели) формальные и физические, приближенно описывающие транзистор. Формальная эквивалентная схема представляет собой четырехполюсник с "неизвестной" внутренней структурой, характеризуемый четырьмя параметрами. В физической эквивалентной схеме каждый элемент соответствует элементу конструкции транзистора или физическому процессу в нем.

Для исследования сложных приборов, к числу которых относится и транзистор, а также расчета электронных схем, в которые они входят, разработана особая методика. В соответствии с этой методикой исследуемый транзистор рассматривается как «черный ящик» с произвольной внутренней структурой, имеющий два входных и два выходных зажима. Как известно, такое устройство называют четырехполюсным — по числу зажимов (полюсов).

Можно проследить связи между характером выходной информации и параметрами исследуемых величин, с одной стороны, и внутренней структурой ИИС — с другой. Так, например, при количестве исследуемых взаимосвязанных величин i^>2' для получения результатов оценки каждой величины необходимо организовать часто нетривиальные и не простые процедуры их раздельной оценки (см. гл. 17). С другой стороны, при независимых величинах, количество которых невелико (t'^20), регистрация их может быть произведена, положим, многоканальными

Во-первых, они выбираются по допустимому изменению формы усиливаемых сигналов. Это связано с тем, что искажения импульсного сигнала в идентичных схемах, например усилительных каскадах, реализованных на биполярных и полевых транзисторах, заметно различаются. Объясняется это различной внутренней структурой самих приборов и различным характером их работы в импульсном режиме.

тегральных ОУ при разработке электронной аппаратуры на их основе, необходимо познакомиться с их внутренней структурой, параметрами и характеристиками.

Передаточная функция для линейного четырехполюсника определяется только внутренней структурой четырехполюсника и параметрами ее элементов и не зависит от характера возмущения.

При достаточном сближении частиц между ними возникают силы взаимодействия. Независимо от природы этих сил, общий характер их остается одинаковым ( 1.1, а): на относительно больших расстояниях возникают силы притяжения Fnp, увеличивающиеся с уменьшением расстояния между частицами г (кривая /); на небольших расстояниях возникают силы отталкивания FOT, которые с уменьшением г увеличиваются значительно быстрее, чем Fnp (кривая 2). Так, для ионных кристаллов Fnp со 1/r2, a .FOT со 1/г8. На расстоянии г = г0 силы отталкивания уравновешивают силы притяжения и результирующая сила F обращается в нуль (кривая 3). Так как F = — дИ/дг, где U — энергия взаимодействия частиц, то при г = г0 величина U достигает минимального значения, равного — UCB ( 1.1, б). Поэтому состояние частиц, сближенных на расстояние г0, является состоянием устойчивого равновесия, вследствие чего под влиянием сил взаимодействия частицы должны были бы выстраиваться в строгом порядке на расстоянии г0 друг от друга, образуя тело с правильной внутренней структурой.

Со структурной точки зрения эти три состояния вещества различаются порядком расположения частиц друг относительно друга — своей внутренней структурой.

Значительно более заманчивым является использование левой ветви этой кривой, отвечающей получению бездефектных кристаллов. В настоящее время в этом направлении сделаны первые шаги — получены тонкие нитевидные кристаллы, обладающие ~почти идеальной внутренней структурой. Их называют часто «усами». Толщина усов колеблется обычно от 0,05 до 2 мкм, длина — от 2—3 мм до 10 мм. Замечательным свойством таких кристаллов является исключительно высокая прочность, близкая к теоретической величине. Так, у нитевидных кристаллов железа предел прочности оказался равным 1,3 • 1010 Н/м2 (1300 кгс/мм2), у меди 0,3 • 1010 Н/м2 {300 кгсм/см'2) и т. д., в то время как обычные кристаллы этих металлов обладают пределом прочности, равным соответственно 3 . 108 Н/м2 (30 кгс/мм2) у железа и 2,6 • 10е Н/м2 (25 кгс/мм2) у меди. Упругая деформация у нитевидных кристаллов достигает нескольких процентов; по достижении этой деформации кристаллы хрупко разрушаются. Напомним, что у обычных кристаллов уже при деформации в сотые доли процентов начинается заметное пластическое течение. Это свидетельствует о том, что у нитевидных кристаллов из-за отсутствия дислокаций сдвиг по плоскостям скольжения протекает в форме жесткого смещения одной части решетки относительно другой с преодолением связи одновременно у всех атомов плоскости скольжения. Необычно высокая упругая деформация «усов» обусловлена отсутствием легко подвижных дислокаций, которые у обычных кристаллов вызывают пластическую деформацию уже при очень низких напряжениях.