Включенных транзисторов

Для нормальной работы параллельно включенных трансформаторов необходимо, чтобы при холостом ходе в их обмотках не возникало так называемых уравнительных токов — это будет при условии, если линейные напряжения первичных и вторичных обмоток трансформаторов соответственно одинаковы по модулю и вторичные линейные

напряжения совпадают по фазе, т. е. LfeM1) = t/ „j,(2). Действнгелъно, из уравнения электрического состояния вторичной пени параллельно включенных трансформаторов, составленного по второму чакону Кирхгофа,

8.20. Упрощенная схема замещения двух параллельно включенных трансформаторов

Из упрощенной схемы замещений двух параллельно включенных трансформаторов ( 8.20) следует, что

Наиболее распространенным является метод построения графиков нагрузки по разности показаний электрических счетчиков. Эти показания заносят в протокол, через каждые 15 — 30 мин вычитают из последующего показания предыдущее, получают разность показаний. В результате деления разности показаний на 0,25 или 0,5 для перехода к часовой нагрузке и умножения на коэффициент счетчика получают величину средней нагрузки. Кроме суточных графиков нагрузки большое значение имеют также годовые графики по продолжительности. Они показывают длительность работы установки в течение года с различными нагрузками. Ими пользуются при планировании работы трансформаторов на подстанциях для определения наиболее целесообразного числа включенных трансформаторов. Годовой график по продолжительности строится по характерным суточным графикам нагрузок электрической установки.

Внутренние разряды (перекрытия) с образованием электрической дуги в масле. Перекрытия могут возникать между обмотками высшего и низшего напряжения, между обмоткой высшего напряжения и стенкой бака трансформатора, а также по поверхностям фарфоровых изоляторов. Они образуются вследствие снижения электрической прочности масла при его увлажнении и загрязнении либо вследствие возникновения перенапряжений, вызываемых атмосферным электричеством или коммутационными процессами в системе нескольких включенных трансформаторов. В загрязненном и увлажненном масле, как правило, происходит длительный искровой разряд, который может перейти в дугу, вызывающую термическое разложение масла и даже его воспламенение. При перенапряжениях искровые разряды образуются даже в чистом масле.

работы релейной защиты сетей (примерной стабилизации уровня /о при разном числе включенных трансформаторов) часть нейтралей трансформаторов может разземляться, если их выполнение это допускает (например, при ?/Ном= = 110 кВ).

С перестройкой областей самопроизвольного намагничивания связано явление м а г и и т о с т р и к ц и и (изменение размеров) при намагничивании. Этим явлением частично вызвано гудение включенных трансформаторов; магнитострикция используется для получения ультразвуковых колебаний.

В некоторых случаях приходится соединять несколько трансформаторов параллельно, приключая их первичные обмотки к общей питающей сети, а вторичные — к общей сети потребления. Такой случай может быть при расширении существующей установки или при больших колебаниях нагрузки, когда выгодно подключать или отключать отдельные трансформаторы, чтобы обеспечить оптимальную нагрузку включенных трансформаторов для получения максимума к. п. д.

Стоимость потерь энергии группы одинаковых параллельно включенных трансформаторов, руб/год,

Ц. Патера мощности гриппы оЗинако1ых параллельно включенных трансформаторов (автотрансформаторов)

В последние годы в усилителях на дискретных элементах и в интегральных микросхемах стали применять составные транзисторы, представляющие собой комбинацию из двух каскадно включенных транзисторов. Чаще других используют комбинацию, известную под названием схемы Дарлингтона ( 2.8). Как видно из схемы, составной транзистор имеет три вывода, эквивалентные

Электрическая схема двухвходового элемента ИЛИ-НЕ/ИЛИ типа ЭСЛ показана на 98, б. Входами этого элемента являются выводы базы двух параллельно включенных транзисторов VT1 и VT2. Резистор R3 выполняет роль генератора тока. Источник опорного напряжения Uon построен на транзисторе VT6, диодах VD1 и VD2 и резисторах R6, R7 и R8. Схема имеет два выхода: инвертирующий (ИЛИ-НЕ) и неинвертирующий (ИЛИ). Выходные уровни снимаются с двух эмиттерных повторителей на транзисторах VT4 и VT5, снижающих выходное сопротивление логического элемента и сдвигающих (понижающих) напряжения, снимаемые с выводов коллекторов транзисторов VT2 и VT3, на значение падения напряжения на эмиттером переходе.

Низкое значение параметра ти объясняется тем, что при увеличении числа ярусов схемы И требуются МДП-транзисторы с более высокой крутизной характеристик, чем в схемах ИЛИ — НЕ, для сохранения одинакового сопротивления последовательно включенных транзисторов. Кроме того, ярусное включение транзисторов усложняет топологию и уменьшает степень интеграции ИМС на МДП-транзисторах р-типа. Вместе с тем ярусное включение МДП-транзисторов позволяет создавать логические ИМС, обладающие большей гибкостью, чем ИМС на биполярных транзисторах при построении сложных функциональных узлов.

Схема И—НЕ ( 4.18) представляет собой последовательное соединение нескольких МДП-транзисторов. Ее топологические варианты изображены на 4.19. Сопротивления каналов последовательно включенных транзисторов в этой схеме складываются. Для уменьшения сопротивления увеличивают отношение ширины

Если на одном из входов поддерживать напряжение С/°, а на другой подавать изменяющееся напряжение, то передаточная характеристика, напряжения U°, U1 и помехоустойчивость будут такими же, как у инвертора (при тех же KJKa и пороговых напряжениях транзисторов). 3hroT случай является худшим с точки зрения параметров. В другом возможном случае, когда напряжения на обоих входах изменяются" одновременно, напряжение ?/° уменьшается и помехоустойчивость увеличивается. Средняя задержка (в худшем случае) несколько больше, чем для инвертора. В нагрузочную емкость Сн вместо емкости сток— подложка одного активного транзистора теперь входит в т раз большая емкость параллельно включенных транзисторов. Однако она составляет обычно лишь малую часть общей емкости Са. Поэтому

Ослабить этот недостаток можно, используя высокоомную нагрузку в цепи соединенных стоков транзисторов. В этом случае даже при одном включенном транзисторе выходное напряжение, получаемое за счет деления напряжения питания между сопротивлением нагрузки и сопротивлением канала включенного транзистора, близко к нулю. Изменение числа включенных транзисторов почти не отразится на

Пусть на входах действуют уровни логической «1» входных сигналов: Xt = 1, Xz — 1, Х3 — 1. Каждое из этих управляющих напряжений близко к напряжению питания Е. Транзисторы Ti, Г2 и Т3 в этом статическом состоянии включены. Транзисторы Г4> Ть и Т9 выключены, так как между истоком и затвором каждого из транзисторов действует напряжение, меньшее ?а0. В последовательной цепи между клеммами плюс и минус источника питания Е оказываются выключенными транзисторы Т4, Ть и Тв. Напряжение на стоках включенных транзисторов Ti, Tz и Та мало — транзисторы Т4, Т6 и Г, образовали высокоомную нагрузку для ключевых транзисторов. Потребляемая мощность в данном статическом состоянии снова оказывается незначительной. Выходные паразитные емкости, как и в схеме 3.103, перезаряжаются быстро из-за наличия в цепи перезарядки включенного транзистора в каждом из состояний схемы.

5. Предложите конкретные варианты построения цепи управления для схемы, состоящей из параллельно включенных транзисторов (тиристоров).

близко к напряжению питания Е и превышает значение ?30. В последовательной цепи, между клеммами плюс и минус источника питания Е включены запертые транзисторы 7\, Т2 и Т3. Суммарный ток стоков запертых транзисторов, а следовательно, и весь ток рассматриваемой последовательной цепи, очень мал. Падение напряжения, создаваемое этим током в канале включенного транзистора Тц, тоже очень мало. На истоке транзистора Г4 действует практически полное напряжение источника питания Е. По этой причине транзистор Ть, на затворе которого действует сигнал Х2 = 0, также включен. Аналогичным образом можно показать, что. включен и транзистор Т„. Через каналы включенных транзисторов 74, Г5 и Ts напряжение питания Е передается на выход каскада. Потребление энергии от источника питания в рассматриваемом статическом состо* янии очень мало из-за наличия в цепи запертых транзисторов 7\, Та и Т3, ограничивающих потребляемый ток до очень малого значения.

Пусть на входах действуют уровни логической «1» входных сигналов: Х1=1, Х2=1, Х3 = 1. Каждое из этих управляющих напряжений близко к напряжению питания Е. Транзисторы 7\, Т2 и Т3 в этом статическом состоянии включены. Транзисторы 7^, Тъ и Tt выключены, так как между истоком и затвором каждого из транзисторов действует напряжение, меньшее ?30. В последовательной цепи между клеммами плюс и минус источника питания Е оказываются выключенными транзисторы Г4, Г5 и Т1,. Напряжение на стоках включенных транзисторов 7\, Т2 и Т3 мало—транзисторы Tt, Т5 и Т№ образовали высокоомную нагрузку для ключевых тран-

Ослабить этот недостаток можно, используя высокоомную нагрузку в цепи соединенных стоков транзисторов. В этом случае даже при одном включенном транзисторе выходное напряжение, получаемое за счет деления напряжения питания между сопротивлением нагрузки и сопротивлением канала включенного транзистора, близко к нулю. Изменение числа включенных транзисторов почти не отразится на выходных параметрах сигнала, поскольку значение уровня «О» выходного сигнала остается близким к нулю.