Включенных параллельно

Предположим сначала, что цепь стока разомкнута. При напряжении ?/зи =0, т. е. коротком замыкании между выводами затвора и истока, в приграничном слое подложки с диэлектриком вследствие контактных явлений образуется обогащенный слой (см. 10.9). Однако при этом токопроводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Это объясняется тем, что между полупроводником подложки и-типа и полупроводниками областей стока и истока р-типа образуются два р-n перехода, включенных навстречу друг другу.

Параметроны выполнены на магнитопроводе сложной формы с тремя отверстиями. Большое отверстие предназначено для входной обмотки. Изменение тока в этой обмотке с частотой / вызывает изменение магнитного потока в магнитопроводе и определяет начальное значение индуктивности выходной обмотки, состоящей из двух идентичных, включенных навстречу друг другу секций. Этим предотвращается непосредственный переход энергии в контур из первичной цепи. Через малые отверстия пропущен также провод, играющий роль обмотки возбуждения и получающий питание от источника с частотой 2/.

Решение. На участке насыщения (область I на 1.10, б) имеет место инжекция двух переходов, включенных навстречу друг другу. Рост эмиттерного тока сопровождается ростом напряжения С/э . Соответственно, чтобы создать ток инжекции коллектора, способный скомпенсировать возросший эмиттер-ный ток, надо увеличить прямое напряжение на коллекторном переходе.

истока, в приграничном слое подложки с диэлектриком вследствие контактных явлений образуется обогащенный слой (см. 10.9). Однако при этом токонроводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Это объясняется тем, что между полупроводником подложки n-типа и полупроводниками областей стока и истока р-типа образуются два р-n перехода, включенных навстречу друг другу.

Предположим сначала, что цепь стока разомкнута. При напряжении ?/зи =0, т. е. коротком замыкании между выводами затвора и истока, в приграничном слое подножки с диэлектриком вследствие контактных явлений образуется обогащенный слой (см. 10.9). Однако при этом токопроводящий канал между стоком и истоком отсутствует. Это объясняется тем, что между полупроводником подложки л-типа и полупроводниками областей стока и истока р-типа образуются два р-п перехода, включенных навстречу друг другу.

В МОП-транзисторе с каналом n-типа на сток подают положительное по отношению к истоку напряжение С/си- В отсутствие напряжения на затворе в таком транзисторе канал отсутствует, а области истока и стока образуют как бы два включенных навстречу друг другу диода. Ток стока /с очень мал.

Работа транзистора со структурой п—р— «-типа, включенного в электрическую цепь ( 13), происходит следующим образом. Между верхней и нижней областями (коллектором К и эмиттером Э, см. 12, б) прикладывается напряжение Ек. При этом вне зависимости от его полярности ток протекать не будет, так как транзистор представляет собой как бы два включенных навстречу друг другу диода, один из которых оказывается всегда включенным в запирающем направлении.

Статические характеристики идеализированного транзистора. В качестве основы для определения характера аналитических зависимостей (12-64) и (12-67) можно использовать модель транзистора ( 12-8, а), включенного по схеме с общей базой. В этой схеме электронно-дырочные переходы изображены в виде двух диодов, включенных навстречу друг другу. Это позволяет рассматривать работу транзистора в активном и инверсном режимах. Коллектирование носителей зарядов, инжектируемых через эмит-

Статические характеристики идеализированного транзистора. В качестве основы для определения характера аналитических зависимостей (12-64) и (12-67) можно использовать модель транзистора ( 12-8, а), включенного по схеме с общей базой. В этой схеме электронно-дырочные переходы изображены в виде двух диодов, включенных навстречу друг другу. Это позволяет рассматривать работу транзистора в активном и инверсном режимах. Коллектирование носителей зарядов, инжектируемых через эмит-

«Односторонние» означает, что входные и выходные выводы ИС расположены на противоположных сторонах корпуса. Существуют также ИС-приемо/передат-чиков с соответствующей нагрузочной способностью; они могут использоваться как буферы данных в любом направлении благодаря применению на каждой линии данных параллельных пар буферов с 3-я состояниями, включенных навстречу друг другу; вход «направление» определяет, в какую сторону будут передаваться данные. Другие типы приборов приведены в табл. 8.4 и табл. 8.5.

Приемники с металлическими термопарами содержат два идентичных включенных " навстречу друг другу приемника, холодные части которых находятся в хорошем тепловом контакте. Один из приемников рабочий, второй засветке не подвергается. Такое включение уменьшает влияние локальных флуктуации температуры и позволяет повысить чувствительность приемников.

Одним из наиболее перспективных направлений микроэлектроники является направление функциональных схем. Функциональная схема отличается от обычной интегральной тем, что она не делима на отдельные компоненты: в ней активную роль играют не только составляющие её элементы, но и связи между ними. Поэтому любое её разделение приводит к определенному сокращению её функциональных возможностей. Так, например, транзистор нельзя представить как два включенных навстречу друг другу диода без потери основного его свойства —¦ способности усиливать электрические сигналы.

С целью сокращения длины1 проводов низковольтных сетей, а они имеют значительное сечение, и бесперебойного снабжения электроэнергией приемников целесообразно устанавливать не один трансформатор на один цех или промышленное предприяие, а несколько и включить их параллельно. При аварийном выходе из строя или профилактическом ремонте одного из них остальные обеспечат электроэнергией приемники. С той же целью бесперебойного снабжения промышленных предприятий на электрических станциях устанавливаются несколько трансформаторов, включенных параллельно. На 8.18, и изображена схема двух параллельно включенных трехфазных трансформаторов.

индуктивность и постоянная времени включенных параллельно обмоток подмагничивания малы.

9.22. Определить суммарное значение сопротивления выпрямителя в прямом направлении лп и добавочного сопротивления гг, включенных параллельно обмотке реле для предотвращения искрообразования ( 9.22). Напряжение питания U = 60 В; сопротивление обмотки R — = 500 Ом.

Для симметричной линии последний результат должен быть •удвоен, так как центральная полоска образует по отношению к обеим заземленным плоскостям как бы два конденсатора, включенных параллельно.

На случай аварии с потерей подачи питательной воды в ПГ предусмотрена установка трех аварийных питательных насосов (АПН) 25, включенных параллельно главным питательным насосам.

Возможны разные варианты реализации АК, удовлетворяющих условиям (12.13), (12.14). В первом варианте ( 12.8) АК состоит из трех каналов, включенных параллельно. Верхний — канал основного (исходного) сигнала, второй и третий — каналы второй (D2) и

Итак, получили два треугольника, включенных параллельно друг другу ( 1.8, б). Проводимости сторон таких треугольников складываются:

Регулятор усиления верхних частот ( 6.30, а) состоит из конденсатора С„ и переменного резистора RB, включенных параллельно

В некоторых схемах из конструктивных соображений нельзя делать вывод от катушки контура, а применение катушки обратной связи также нежелательно. В этом случае напряжение обратной связи можно получить с помощью емкостного делителя напряжения ( 7.6), состоящего из двух последовательно соединенных конденсаторов G! и С2, включенных параллельно катушке контура.

Кроме того, необходимо, чтобы суммарный ток накала всех ламп, включенных параллельно (см. 10.5 б), был равен номинальному току бареттера:

Эквивалентная схема p-n-перехода, отображающая его работу в режиме малого сигнала ( 13), состоит из соединенных последовательно дифференциального сопротивления р-п-перехода гд и сопротивлений участков полупроводника гб (от долей до единиц ома), примыкающих к p-n-переходу (сопротивление тела полупроводника), а также включенных параллельно гл барьерной и диффузионной емкостей С6 и Сдиф-При обратной напряжении дифференциальное сопротивление лд становится очень большим - до десятков и сотен мегаом, а С^ф становится равной нулю.