Выходными характеристиками

Очевидно, МДП структура получится, если непосредственно на подложку последовательно нанести диэлектрический и металлический слои. Такой случай реализуется, если в структуре, показанной на 16.20,6, отказаться от создания области с проводимостью «-типа, расположив там часть подложки р-тнпа. Теперь, если к затвору приложить достаточно большой положительный заряд, то по закону электростатической индукции в канале индуцируется соответствующий отрицательный заряд, увеличивается концентрация подвижных носителей и-типа и возникает проводящий канал. Такой транзистор получил название МДП ПТ с индуцированным каналом и-типа. Области п+ используются для создания низкоомных омических (невыпрямляющих) контактов стока и истока. Они же препятствуют протеканию существенного тока между выходными электродами ПТ при нулевом или отрицательном заряде на затворе. Это объясняется тем, что и+-области и часть р-подложки образуют два последовательно встречно включенных между истоком и стоком электронно-дырочных перехода.

Максимально допустимое напряжение между выходными электродами: С/Кэтах ДЛЯ бИПОЛЯрНЫХ ТраНЗИСТОрОВ И Смитах ДЛЯ

В этом случае усилительный элемент во время работы находится в одном из двух состояний: или закрыт и текущий через него ток равен нулю, или открыт и падение напряжения между выходными электродами близко к нулю.

Конструктивное исполнение и геометрические размеры преобразователей Холла могут быть самыми разнообразными. Чаще всего они изготовляются в форме плоской четырехугольной пластины. К поперечным граням такой пластины присоединяются сплошные электроды, служащие для подведения электрического тока. Середины продольных граней снабжены так называемыми холловскими (выходными) электродами, выполненными, как правило, в виде точечных контактов.

ление между выходными электродами. Если выходные контакты точечные, то выходное сопротивление определяется удвоенным сопротивлением растекания точечного контакта (см. § 3.21):

Поэтому .напряжение питания транзисторных каскадов мощного усиления желательно брать возможно более высоким. При питании от выпрямителя и хорошо .сконструированном выходном трансформаторе его можно брать равным (0,3-=-0,4) Uмакс , где U'маКс — максимальное допустимое напряжение между выходными электродами, указанное в справочных данных для применённого способа включения транзистора.

Напряжение питания транзисторов U0 для уменьшения входной мощности сигнала и коэффициента гармоник в режиме В желательно брать возможно более высоким, но не выше 0,44-0,45 максимально допустимого напряжения между выходными электродами для применённого способа включения. Способ включения транзисторов выбирают согласно рекомендациям, приведённым на стр. 101—103 и 237.

В транзисторных каскадах мощного усиления сопротивления-нагрузки выходных цепей транзисторов и напряжение питания* невелики. Поэтому в двухтактных транзисторных каскадах, работающих в режиме В, для устранения искажений из-за отсечю-г тока в первичной обмотке выходного трансформатора последнюю, наматывают в два провода с половинным числом витком w\n~ После намотки и сборки трансформатора конец одного провода соединяют с началом другого и полученную таким образом среднюю точку присоединяют к источнику питания выходной цепи; оставшиеся начало и конец соединяют с выходными электродами транзисторов.

Поэтому напряжение питания транзисторных каскадов мощного усиления желательно брать возможно более высоким. При питании от выпрямителя и хорошо сконструированном выходном трансформаторе его можно брать равным (0,3-f-0,4) Uшкс, где •^макс — максимально допустимое напряжение между выходными электродами, указанное в справочных данных для применённого способа включения транзистора.

Напряжение питания транзисторов U0 для уменьшения входной мощности сигнала и коэффициента гармоник в режиме В желательно брать возможно более высоким, но не выше 0,4-7-0,45 максимально допустимого напряжения между выходными электродами для применённого способа включения. Способ включения транзисторен выбирают согласно рекомендациям, приведённым на стр. 101 —103 и 237.

В транзисторных каскадах мощного усиления сопротивление нагрузки выходных цепей усилительных элементов и напряжение питания невелики. В двухтактных транзисторных каскадах, работающих в режиме В, для устранения искажений из-за отсечки тока в первичной обмотке выходного трансформатора последнюю наматывают в два провода с половинным числом витков wln . После намотки и сборки трансформатора конец одного провода соединяют с началом другого и полученную таким образом среднюю точку присоединяют к источнику питания выходной цепи; оставшиеся начало и конец соединяют с выходными электродами транзисторов.

форме отражать реальные взаимосвязи между входными и выходными характеристиками изделия, геометрическими параметрами заготовок, электрофизическими характеристиками исходных материалов, параметрами комплектующих изделий, режимами технологического оборудования, параметрами инструмента и др. Полнота и детальность математического описания реальных воздействий, состояния оборудования и выходных параметров изделия зависят от типа и уровня рассматриваемой технологической задачи. В простейшем случае может оказаться вполне достаточным использовать алгебраические соотношения между числовыми значениями нескольких параметров, а в наиболее сложных — привлекать последние достижения новейашх разделов математики.

1. Находим приращения напряжения смещения Д?Б , компенсирующие разброс параметров транзистора. Не имея данных о корреляции между выходными характеристиками Л21Э, будем вести расчет на худший случай, когда имеют место предельные отклонения, требующие изменения напряжения смещения с одним знаком.

Прямая MN, называемая линией нагрузки, построена по двум точкам, соответствующим режиму холостого хода и короткого замыкания (координаты точки Af :/к^=0, ?/к=?к; координаты точки N: С/к=0, /к=?к//?к). Точки пересечения линии нагрузки с выходными характеристиками транзистора определяют ток /к и напряжение на транзисторе С/к при любом заданном значении тока базы /Б .

Переходная, или передаточная, характеристика усилителя /К=/(/Б ) построена по точкам пересечения линии нагрузки с выходными характеристиками транзистора. Из 2.2 видно, что передаточная характеристика нелинейна, но на ней можно выделить линейный участок ab.

Задача 1.35. Пользуясь выходными характеристиками транзистора для схемы с общим эмиттером ( 1.16, б) в рабочей точке с напряжением UK3 = 25 В и током базы 300 мкА, определить параметры /z2i3 и Л22э-

Решение. 1. По расстоянию между выходными характеристиками можно судить о параметре

Выходные характеристики транзисторов в схеме с ОЭ представляют зависимость /к = f ((/кэ) при фиксированных значениях /Б. Они имеют больший наклон по сравнению с выходными характеристиками [в схеме с ОБ. Это объясняется тем, что в схеме с ОЭ коэффициент передачи тока базы сильнее зависит от напряжения (/кэ, а также в более сильной степени сказывается эффект умножения носителей заряда в коллекторном переходе. При (/кэ = 0 ток коллектора становится равным нулю, поэтому все выходные характеристики транзистора сходятся в начале координат.

Например, для схемы с ОБ на графике с выходными характеристиками /к = / (VКБ) проводят ряд вертикальных линий для различных значений ?/КБ,И находят точки пересечения каждой из них со всеми выходными характеристиками. Затем для этих точек пере-

В качестве примера рассмотрим способ определения /1-парамет-ров схемы с ОБ ( 6.6, а), для которой входными величинами являются ?/ЭБ и /э, а выходными i/кв и /к. Зависимость между этими параметрами выражается входными и выходными характеристиками ( 6.19). Предположим, что напряжение (/& изменяется на величину Л1/^, тогда ток /э изменится на величину Л/э, а на выходе имеют место приращения Д?/к,ь и А/к.. В соответствии с ра-

На 2.17, б приведены выходные ВАХ биполярного транзистора, включенного по схеме ОЭ. По сравнению с выходными характеристиками транзистора, включенного по схеме ОБ, они имеют больший наклон, т. е. на их вид большое влияние оказывает эффект Эрли. Главной особенностью выходных ВАХ схемы ОЭ является то, что они полностью расположены в первом квадранте. Ток /кэо, протекающий в цепи коллектор — эмиттер транзистора при оборванном входном электроде — базе (/б — 0), намного больше обратного тока коллекторного перехода:

Устройство может характеризоваться несколькими выходными характеристиками t/i, которые являются функциями параметров PI, Р2,-.;РП элементов и могут быть представлены в форме