Включения транзисторов

Электровакуумный триод может быть включен но схеме с общим катодом, с общим анодом и с общей сеткой аналогично трем схемам полупроводникового транзистора. Однако наибольшее практическое распространение имеет схема включения электровакуумного триода с общим катодом ( 11.3), подобная схеме включения транзистора сОЭ (см. 10.62).

На 5-12 приведены схемы включения электронного триода и соответствующие им схемы включения транзистора. Аналогия между схемами включения электронного триода и транзистора основана на том, что эмиттер выполняет функции катода, коллектор — функции анода, база — роль сетки.

Т-образная схема замещения транзистора, приведенная на 5-11, относилась к схеме с общей базой ( 5-12, в). Для других вариантов включения транзистора могут быть получены аналогичные схемы замещения с учетом того,

6.7. Три основных способа включения транзистора в схему..... 102

6.7. Три основных способа включения транзистора в схему

Различают три основных способа включения транзистора в схему в зависимости от того, какой из его электродов является общим для входной и выходной цепей ( 6.6): с общей базой (ОБ),*'общпм эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК). Для всех схем, использующих транзисторы типа р — п — р, полярность источников

6.6. Схемы включения транзистора с общей базой (а), общим эмиттером (б) и общим коллектором (в),

Характеристики транзистора описывают связь между напряжениями и токами на входе и выходе транзистора для различных способов включения транзистора в схему. При построении характеристик применяется следующий принцип: одну из четырех величин (входной ток, входное напряжение, выходной ток и выходное напряжение) выбирают в качестве аргумента (независимая переменная), другую—в качестве функции (зависимая переменная). Из оставшихся двух величин одну поддерживают постоянной, другую оставляют свободной Задавая различные значения фиксированной величине, получают семейство статических характеристик транзистора.

При- практических расчетах применяются входные и выходные характеристики транзистора. Входные характеристики представляют собой зависимость входного тока от входного напряжения при фиксированных значениях выходного напряжения, а выходные характеристики определяют зависимость выходного тока от выходного напряжения при фиксированных значениях входного тока для разных схем включения транзистора.

Замыкание ключа происходит в два этапа. На первом этапе входная емкость Свх транзистора заряжается до потенциала, соответствующего отпиранию его эмиттерного перехода. При этом напряжение на выходе ключа не меняется. Время, в течение которого напряжение на выходе ключа постоянно, называют временем задержки включения транзистора Г3.вкл- На втором этапе транзистор работает в активной области статической характеристики, переходя от точки А к точке В ( 11.19,6). Время, в течение которого транзистор работает в активной области статической характеристики, — время фронта включения транзистора ?ф.вкл- Оно уменьшается с ростом отпирающего тока базы, при использовании высокочастотных транзисторов, а также при уменьшении паразитной емкости Свых, шунтирующей коллекторную цепь транзистора. Общее время включения

Основной схемой включения биполярного транзистора является схема с общим эмиттером (ОЭ). На 2.15 приведена схема ОЭ для нормального включения «-^-«-транзистора. Напряжение [7бэ смещает эмиттерный переход в прямом направлении. Поскольку напряжение ?/6э значительно меньше, чем напряжение икэ(и5э <0,7 В, а [/„ обычно составляет единицы или десятки вольт), то коллекторный переход оказывается смещенным в обратном направлении, т. е. имеется нормальное включение транзистора.

Схемы включения транзисторов 160

Различают два способа включения транзисторов в электронные фильтры: последовательно и параллельно нагрузочным устройствам. Последовательное включение транзисторов характерно для выпрямителей, имеющих высокое выходное напряжение (300—• 400 В). Параллельное включение осуществляется при низких выходных напряжениях, не превышающих нескольких десятков вольт.

Глава 2 посвящена расчетным соотношениям для усилителей на дискретных элементах. Здесь затрагиваются методы расчета режима и усилительных параметров при различных способах включения транзисторов. Сюда же включены задачи по расчету важнейших транзисторных структур, таких, как дифференциальный каскад, схема сдвига уровня, генератор стабильного тока и выходной каскад на комплементарной паре.

зуют таким образом, что один из его электродов является входным, а другой — выходным. Третий электрод является общим относительно входа и выхода. В цепь входного электрода включают источник входного переменного сигнала, а в цепь выходного — сопротивление нагрузки. В зависимости от того, какой электрод является общим, различают три схемы включения транзисторов: с общей базой (ОБ), общим эмиттером (ОЭ) и общим коллектором (ОК.) ( 2.12). При этом каждая схема включения транзистора характеризуется двумя независи-

Практически интегральные транзисторы, используемые в качестве диодов, применяют по четырем различным схемам включения ( 3.4). Схемы включения транзисторов, в которых используется коллекторный переход, показаны на 3.4, а, б; эмиттерный переход — на 3.4, в, г.

В схеме с общей базой (ОБ), которая уже была рассмотрена на 3.23, г, общим электродом для входной и выходной цепей является база транзистора. Источник э. д. с. Еэ6 и переход эмиттер — база транзистора в этом случае следует рассматривать как входную цепь, а источник э. д. с. Ек6 и переход коллектор — база транзистора — как выходную цепь. Для каждой из трех схем включения транзисторов основными являются входные и выходные статические характеристики. На 3.25 показана схема для снятия статических характеристик транзистора.

Формулы пересчета малосигнальных параметров в физические и обратно для трех схем включения транзисторов приведены в табл. 3.2.

3.21. Схемы включения транзисторов:

§ 12. Принцип действия, режимы работы и схемы включения транзисторов

§ 12. Принцип действия, режимы работы и схемы включения транзисторов. § 13. Характеристики и параметры транзисторов. § 14. Работа транзисторов на высоких частотах. § 15. Малосигнальные эквивалентные схемы транзисторов, х 16. Работа транзисторов в кпючевом режиме, g 17. Виды и применение транзисторов § 18. Принципы действия, параметры и применение тиристоров.

2. Укажите схемы включения транзисторов.