Выдерживать воздействие

t/нас — напряжение между коллектором и эмиттером в режиме насыщения; /ктах —максимальное значение коллекторного тока; Um —напряжение питания; / —частота преобразования; тф —длительность фронта импульса тока гк. Транзистор должен выдерживать напряжение в двухтактной схеме

Недостатками рассмотренной схемы являются снижение КПД из-за увеличения потерь при многократном преобразовании электрической энергии и повышение стоимости, обусловленное применением в коммутаторе полярности высоковольтных транзисторов, которые должны выдерживать напряжение Ua. Несмотря на это, большой выигрыш в массе и габаритах делает рассмотренную схему особенно привлекательной в миниатюрной автономной и переносной аппаратуре.

Для определения падений напряжения на изоляторах гирлянды применяются штанги с измерительным искровым промежутком. При измерениях расстояние между электродами промежутка может изменяться с помощью шнура из изоляционного материала. На конце штанги имеется указатель расстояния, отградуированный в киловольтах. Включенный последовательно с искровым промежутком конденсатор должен выдерживать напряжение наиболее нагруженного изолятора и предназначен для предотвращения перекрытия гирлянды в случаях, когда штанга наложена на хороший изолятор, а в гирлянде имеются один или несколько поврежденных.

Многие требования, предъявляемые к диэлектрикам конденсаторов и изолирующих слоев, являются общими. Диэлектрики должны выдерживать напряжение 100 В и более при незначительных потерях. В диэлектрическом слое не должно быть проколов и трещин. Первые возникают в результате печатания на шероховатой поверхности проводящего слоя или при наличии пузырьков и раковин, появляющихся во время обжига диэлектрика. Уменьшение количества проколов обычно достигается двойным печатанием диэлектрической пасты. Трещины могут появляться при несогласовании коэффициентов теплового расширения материалов пленки и подложки.

ции, механическом расчете напряжений и деформаций (гл. 34), гидравлическом (гл. 36) и тепловом (гл. 35) расчетах системы охлаждения. Изоляция между витками должна быть рассчитана на напряжение между витками, корпусная изоляция должна выдерживать напряжение между проводниками обмоток и сталью заземленного магнитопровода.

питающим Pf'l, являются соединенные в разомкнутый треугольник вторичные обмотки пятистержневого ТН ТНЗ или трех однофазных ТЫ, устанавливаемых на выводах генератора ( 8-14, а), или дополнительная вторичная обмотка дугогасящего реактора ( 8-14, б). Для периодического контроля напряжения на РН1 и ориентировочного определения места расположения возникшего Кз" применяется чувствительный вольтметр 4, включаемый кнопкой 5. Реле РН1 дл.ч отстройки от воздействия на него высших гармоник нулевой последовательности, кратных трем, должно иметь (предполагается встроенный внутрь) фильтр основной частоты. При действии защиты на сигнал оно должно длительно выдерживать напряжение

Однако здесь изоляция наматываемых вместе проводников должна выдерживать напряжение источника анодного питания, которое оказывается приложенным между ними. Это заставляет применять для первичной обмотки провод с высокой электрической № механической прочностью изоляции (ПЭВ, ПЭЛШО и др.) и позволяет использовать схему лишь в каскадах небольшой мощности,, имеющих анодное напряжение не выше 300-f-400 в.

Однако здесь изоляция наматываемых вместе проводников должна выдерживать напряжение источника анодного питания, которое оказывается приложенным между ними. Это заставляет применять для первичной обмотки провод с высокой электриче ской и механической прочностью изоляции (ПЭВ, ПЭЛШО и др.) и позволяет использовать схему лишь в каскадах небольшой мощности, имеющих анодное напряжение не выше ЗСЮч-400 в.

Недостатками рассмотренной схемы являются снижение КПД из-за увеличения потерь при многократном преобразовании электрической энергии и повышение стоимо-. сти, обусловленное применением в коммутаторе полярности высоковольтных транзисторов, которые должны выдерживать напряжение Un. Несмотря на это, большой выигрыш в массе и габаритах делает рассмотренную схему особенно привлекательной в миниатюрной автономной и переносной аппаратуре.

Учитываем, что 1/Е=??/я. и ICm = Itm=Itm*E/Zb ( 3.36). Поскольку транзисторы в схеме 3.40 должны выдерживать напряжение UCe= = Е, находим, принимая некоторый запас по напряжению, UCe=

Для снижения стоимости разработаны переключатели отводов, в которых тиристоры связаны с механическим коммутатором (гибридные переключатели). При простейшем решении ограничительные резисторы заменяются двумя парами встречно-параллельных тиристоров { 5.41,6). Тиристоры должны выдерживать напряжение ступени (с соответствующим коэффициентом запаса) и должны быть рассчитаны на кратковременное прохождение тока нагрузки. При переключении с одного отвода на соседний сначала отпирается одна пара тиристоров, а затем после перевода переключателя SL в положение //—/// отпирается другая пара тиристоров в момент перехода тока через нуль. Ток короткого замыкания через контакты переключателя нагрузки SL при этом отсутствует. Таким образом, достигается высокий срок службы этого механического переключателя, а также исключается загрязнение трансформаторного масла продуктами его разложения, что имеет место в случае электрической дуги между контак-тами. Возможны и другие варианты с разделением переключателя, осуществляющего выбор ступени, и переключателя нагрузки [5.25].

Частичные неполные самостоятельные разряды по поверхности изоляционного материала в местах с большой напряженностью электрического поля, не распространяющиеся на весь промежуток между электродами, называются коронным разрядом (короной) и также приводят к ухудшению поверхностных свойств изоляции. Способность диэлектрика выдерживать воздействие коронного разряда без недопустимого ухудшения свойств называется короностойкостью диэлектрика.

Развитие таких процессов возможно как при низких напряжениях и больших плотностях токов, так и при высоких напряжениях и малых плотностях токов утечки по поверхности. В первом случае основную роль играют тепловые процессы, во втором — эрозионные и химические. И в том, и в другом случае происходят необратимые ухудшения свойств изоляционного материала в слое, прилегающем к поверхности, появляются токопроводящие низкоомные каналы — треки, развиваются недопустимо большие токи утечки вдоль треков. Процесс образования под воздействием электрического поля электропроводящих каналов (треков) на поверхности твердого диэлектрика называют трекингом, а способность диэлектрика выдерживать воздействие поверхностных пробоев без трекинга — трекингостойкостью.

Под радиационной стойкостью электроизоляционных материалов понимают способность выдерживать воздействие ионизирующих излучений, т. е. излучений, вызывающих ионизацию атомов и возбуждение электронов. Среди разнообразных видов таких излучений наибольшую опасность для электроизоляционных материалов представляют гамма-излучение и нейтронное излучение, способные проникать в вещества на большую глубину — порядка десятков сантиметров. При использовании электроизоляционных материалов в ядерном реакторе они подвергаются воздействию смешанного излучения, в котором главную роль играют составляющие гамма- и нейтронного излучения.

Электрорадиоэлементы и механические части РЭС характеризуются термостойкостью, под которой понимается способность материалов и компонентов кратковременно выдерживать воздействие высоких и низких температур, а также резких изменений температуры (термоударов). Термостойкость определяют по температуре, соответствующей началу существенных изменений свойств или параметров компонентов, обусловленных различными физико-химическими процессами. Например, термостойкость р-и-переходов транзистора ограничена при высоких температурах собственной проводимостью кристалла полупроводника, а также явлением кумулятивного разогрева, приводящего к недопустимому возрастанию нулевого тока коллектора и пробою /ья-перехода. Считается, что допустимая температура для германиевого перехода составляет 85... 110°С, для кремниевого 125...150°С, для непропитанных волокнистых материалов (бумага, картон, натуральный шелк) +90 °С; для материалов из стекловолокна, пропитанного эпоксидными лаками, +133°С. В тех случаях, когда конструкция не обеспечивает нормального теплового режима обычных элементов, могут быть использованы элементы, работающие в широком температурном диапазоне благодаря введению устройств термокомпенсации. Это усложняет электрическую схему и конструкцию, ухудшает энергетические и массогабаритные параметры, стоимость РЭС и не всегда обеспечивает требуемую надежность.

Нагревостойкость (теплостойкость) диэлектриков характеризует их способность длительно выдерживать воздействие высоких температур без изменения свойств. ГОСТ 8865—70 предусматривает следующие 7 классбв нагревостойкости (табл. 1.4):

Требования к кратковременной электрической прочности изоляционных конструкций в виде величин испытательных напряжений устанавливают -путем анализа возможных перенапряжений (§ 11-2). Необходимая длительная электрическая прочность определяется по существу наибольшим рабочим напряжением и требуемым сроком службы оборудования. Чтобы обеспечить длительную электрическую прочность изоляции, на основании специальных исследований и опыта эксплуатации устанавливают допустимые значения мощности ЧР и других параметров, косвенно характеризующих способность изоляции длительно выдерживать воздействие рабочего напряжения (§ 104—10-6).

Повреждение поверхности твердого диэлектрика вследствие поверхностного пробоя, вызывающего образование проводящих следов, называется трекингом диэлектрика. Способность диэлектрика выдерживать воздействие поверхностных пробоев без трекин-га характеризуется трекингостойкостью. Трекингостойкость определяется повремени /тр, в течение которого при стандартных формах электродов и напряжении на них i/Tp ток, протекающий между электродами по поверхности диэлектрика, достигает заданного значения /тр. Во время испытаний поверхность диэлектрика, расположенная между электродами, смачивается электролитом путем падения на нее определенного числа капель или нанесения на поверхность тонкого, медленного стекающего слоя электролита. Возможны загрязнение поверхности синтетической пылью и последующее ее увлажнение.

Способность диэлектрика выдерживать воздействие на его поверхность электрической дуги без недопустимого ухудшения свойств называют дугостойкостью. Дугостойкость диэлектрика на переменном напряжении частоты 50 Гц определяется током дуги /д и временем tA. При определении ?дблиз поверхности плоского образца диэлектрика размещают два электрода, к которым приложено напряжение 1000 В. и горит дуга, ток которой равен /д. Возникающая дуга воздействует на поверхность диэлектрика, в результате чего через время /д на поверхности образуется токопроводящая перемычка.

Способность полупроводникового прибора кратковременно или длительно выдерживать воздействие повышенной температуры, а также резкие изменения температуры характеризуют его теплостойкость. Нарушение теплостойкости определяют, как правило, по началу существенных необратимых изменений параметров — критериев годности приборов: температура структуры полупроводникового прибора при этом достигает своего максимально допустимого или предельного значения Т) max.

ТропикостойКость и тропическая защита радиоматериалов. Тро-пикостойкостью называется свойство материала или изделия выдерживать воздействие тропических условий: интенсивного солнечного облучения, высокой или очень малой влажности, повышенной температуры, грибковой плесени и др. микроорганизмов, насекомых (главным образом термиты), грызунов, морской воды и других факторов, без недопустимого ухудшения практически важных свойств. Сильное воздействие на материалы в тропическом влажном климате оказывает влага, проникновение и постоянное присутствие которой при повышенной температуре резко снижает электрические, механические и физико-химические свойства. Защитой от влаги служит применение влагостойких материалов, гидрофобизация, т. е. пропитка и покрытия водо-

Нагревостойкость — это свойство электроизоляционных материалов и изделий выдерживать воздействие повышенной температуры в течение времени, сравнимого со сроком нормальной эксплуатации изделия, без разрушения и недопустимого ухудшения важных свойств. Определяют-по началу существенного изменения.электрических свойств: заметному росту tg6 или снижению р, Епр, ?/пр материалов и макетов изоляции. Величину нагревостойкости оценивают значением температуры, при которой появились эти изменения.