Вертикальной установке

В БТ с боковой диэлектрической изоляцией такой необходимости нет. Структура является самосовмещенной. Недостатком данного метода комбинированной изоляции является ограниченный набор компонентов, который может быть реализован в БИС (БТ с вертикальной структурой и эпи-таксиальными резисторами, критичными к толщине пленки).

торных областей БТ и областей для размещения компонентов БИС. На 3.13, а, в приведены соответственно топология и структура БТ типа п-р-п с вертикальной структурой. Кроме этого вида БТ метод обеспечивает формирование компонентов всех видов, которые могут быть созданы в ИМС с изоляцией р-я-перехо-дом. Реализуемая структура является наиболее универсальной из всех известных и позволяет достичь максимальной плотности компоновки за счет самосовмещения областей.

2) совмещение отдельных рабочих областей различных активных компонентов (диодов или транзисторов) с вертикальной структурой (СВТТ);

3) совмещение отдельных областей различных БТ, например типов п-р-п и р-п-р с вертикальной и горизонтальной структурой (СВГТ);

2) совмещение рабочих областей различных активных элементов (диодов или транзисторов), обладающих вертикальной структурой;

обладающих вертикальной структурой (на этом и последующих рисунках интегрированные элементы выделены пунктирной линией). Такая структура позволяет создать обширную группу функционально-интегрированных элементов, занимающих минимальную площадь и потребляющих различную мощность, что достигается изменением толщины и удельного объемного сопротивления коллекторной области. В эту (первую) группу входят

На 3.14 в качестве примера представлены транзисторы с вертикальной структурой, сформированные на полупроводниковой подложке р~-типа и изолированные р-п переходами. Нижний карман п-типа используется для создания р-п-р транзистора. Для уменьшения его коллекторного сопротивления формируется скрытый слой /7+-типа. На дополнительный контакт Кп к области л-типа подается положительное напряжение, что обеспечивает обратное включрние изолирующего р-п перехода р-п-р транзистора. Вертикальный р-п-р транзистор характеризуется более высокими коэффициентом передачи тока базы (30 ... 50) и граничной частотой (100 ... 500 МГц), а также максимально допустимым рабочим током коллектора.

Пример транзистора с вертикальной структурой приведен на 4.16. Она содержит подложку р-типа с нанесенным на нее эпитаксиальным слоем / толщиной 3...4 мкм. На границе между ними формируют скрытый слой 2 «''•-типа, выполняющий функцию стока транзистора (вывод от него не показан, так как он расположен в другом сечении).

2) совмещение рабочих областей различных активных элементов (диодов или транзисторов), обладающих вертикальной структурой;

На 5.4 показан функционально-интегрированный элемент запоминающего устройства, пассивные элементы которого совмещены с коллекторными областями транзисторов, обладающих вертикальной структурой (на этом и последующих рисунках интегрированные элементы выделены пунктирной линией). Такая структура позволяет создать обширную группу функционально-интегрированных элементов, занимающих минимальную площадь и потребляющих различную мощность, что достигается изменением толщины и удельного объемного сопротивления коллекторной области. В эту (первую) группу входят также элементы, пассивные элементы которых совмещены с базовыми областями транзисторов

зонтальную структуру базовой ячейки ( 2.15). В первом случае исток и затвор располагаются на верхней стороне кристалла, а сток — на нижней. Для горизонтальной ячейки характерен планарныи вариант расположения всех основных выводов — сверху кремниевой пластины. В настоящее время все высоковольтные ОМДП-транзисторы изготавливаются только с вертикальной структурой. Исходным материалом опять же является высоколегированная подложка п+-типа (для п-канальных транзисторов). Для вертикального варианта обратная сторона подложки служит контактом к области стока. На подложке выращивается высокоомный эпитаксиальныйлГ-слой, после чего с помощью операций окисления, маскирования и травления переходят к диффузионным процессам по созданию р-области канала и высоколегированного л+-истока. В горизонтальной структуре проводится также диффузия области л+-стока. Затем следует заключительная операция металлизации соответствующих выводов. При сравнительно одинаковой технологии изготовления ЭМДП- и УМДП-транзисторов вертикального типа первые, как правило, имеют более высокое пробивное напряжение, а вторые более низкое сопротивление канала в открытом состоянии. Это связано с тем, что инверсионный слой в р-области ОМДП-транзистора расположен в горизонтальной плоскости, тогда как у V-образного транзистора — под некоторым углом, что уменьшает толщину эпитаксиального слоя, определяющего параметры пробивного напряжения и сопротивления открытого ключа.

Алюминиевые проводники обмотки реакторов покрываются несколькими слоями кабельной бумаги и хлопчатобумажной оплеткой. Обмотка наматывается на специальный каркас, а затем в определенных местах заливается бетоном. Бетон образует колонны, которые закрепляют витки обмотки, предотвращая их смещение под действием собственной массы и электродинамических усилий при протекании токов КЗ. Изоляция реактора от заземленных конструкций, а при вертикальной установке

При вертикальной установке весьма перспективно примене ше крупных осевых насосов со спиральной камерой. Первые исследования, выполненные в ЛПИ, показали [9-1], что осевой насос со спиральной камерой может обладать хорошими энергетическими свойствами.

При вертикальной установке резисторов, конденсаторов и других элементов в отверстия на печатной плате производят формовку их выводов, как показано на 131. Установочный размер выбирают кратным шагу координатной сетки. Формовку выводов элементов при установке их на печатную плату внахлестку выполняют, как показано на 132.

131. Вариант формовки выводов радиоэлементов при вертикальной установке в отверстия на печатную плату

Для работы зеркального гальванометра на подвесе большое значение имеет предохранение прибора от механических сотрясений. Предусмотрены две схемы установки гальванометра: горизонтальная и вертикальная. При вертикальной установке гальванометра для изменения направления светового луча применяется зеркало (призма), прикрепляемое к гальванометру на кронштейне.

наконечник индикатора к середине выступающего конца вала и записывают максимальное и минимальное значения показаний индикатора за один медленный оборот вала. В машинах, имеющих фланец, производят определение радиального биения заточек крепительного фланца. Для этого индикатор закрепляют посередине посадочной части вала или на расстоянии 10 мм от опорного торца крепительного фланца ( 25.4, а). При невозможности закрепления индикатора на валу его закрепляют в вертикальных стойках при вертикальной установке машины с неподвижным зажимом вала ( 25.4, б).

Главные предохранительные клапаны должны устанавливаться в строгом соответствии с указаниями в технической документации. При вертикальной установке отклонение оси клапана от вертикали допускается в переделах не более 0,3 мм на 100 мм высоты клапана. Импульсные клапаны с электромагнитами должны устанавливаться на специальных каркасах, крепящихся к фундаментам. Шток импульсного клапана должен быть установлен вертикально в двух взаимно перпендикулярных плоскостях. Электромагниты устанавливаются на каркасе строго вертикально, при этом их оси должны находиться в одной плоскости с осью штока и рычага. Движение сердечников должно быть свободным. Рычаг с подвешенным грузом не должен иметь перекосов в вертикальной и горизонтальной плоскостях. Соединение сердечников магнитов с рычагом должно исключать перекосы при перемещении рычага включением матнитов. Перемещение сердечников электромагнитов должно быть плавным. Не допускается установка электромагнитов в местах, где он может подвергаться вибрации и толчкам.

Пускорегулирующие аппараты должны быть прочно закреплены и установлены вертикально. Последнее требование особенно тщательно соблюдают при монтаже аппаратов, имеющих измерительные приборы, а также автоматические выключатели и приборы защиты — реле, так как они надежно работают только при строго вертикальной установке.

На 7-12 и 7-13 показаны различные способы расположения однополосных и многополосных шин прямоугольного и коробчатого сечения. Горизонтальное расположение полос или пакетов шин выгоднее с механической точки зрения, так как шины, обращенные друг к другу узкой стороной, имеют на 40 % больший момент сопротивления относительно оси, перпендикулярной электродинамическим силам при к. з., чем шины при вертикальной установке. Следовательно, в соответствии с формулой, определяющей механические напряжения (в паскалях) в материале шин при к. з.,

Для охлаждения реакторов при их. вертикальной установке под камерами устраивается общий продольный вентиляционный канал, из которого охлаждающий воздух подается под реакторы снизу через отверстия в полу или в фундаменте реактора и отводится вверху камеры через вентиляционные отверстия. При горизонтальной установке реакторов рекомендуется устанавливать щиты из асбоцемента, гетинакса, шифера и аналогичных материалов, направляющие воздух на реакторы. Для реакторов, у которых обмотка имеет класс изоляции А по нагревостойкости, температура воздуха, отходящего из камеры реактора, не должна превышать 45 °С. При отсутствии вентиляции пропускная способность реакторов снижается на 25—35 %, что нерационально. Недостаточная по объему или неправильно выполненная вентиляция может привести к недопустимому, перегреву реакторов. Реакторы типов РБАМ и РБАСМ (на токи менее 2000 А), имеющие несколько увеличенные габариты, могут работать без принудительного охлаждения при естественной общеобменной вентиляции помещения.

этом у них изменяются размеры корпуса и ослабевает посадка сердечника). Корпус машины устанавливают в печи горизонтально, поскольку при вертикальной установке может произойти смещение сердечника относительно корпуса из-за ослабления прессовки. При выжиге изоляции обмоток роторов, имеющих контактные кольца, последние предварительно демонтируются. Пазовая изоляция при выжиге обугливается и теряет свою механическую прочность. Выжиг производится в печи при температуре 350 °С в течение 4... 6 ч. Повышать температуру выжига сверх указанной не следует, так как это может привести к нарушению межлистовой изоляции сердечников и ухудшению их магнитных свойств.

Основные требования, которые предъявляются к монтажу пусковых аппаратов, сводятся к тому, чтобы они были прочно закреплены и установлены вертикально. Последнее требование особенно тщательно соблюдают при монтаже аппаратов, имеющих измерительные приборы, а также автоматы и приборы защиты —реле, так как они надежно работают только при строго вертикальной установке.