Вероятность одновременного

Таким образом, вероятность образования стекла при охлаждении расплава тем выше, чем больше скорость его охлаждения и вяз-

дукт одновременно содержит кристаллическую фазу и стекло-фазу — это керамика. Подобные условия могут быть при переохлаждении до температуры Т3, т. е. АТ3 ~ Т0 — Т3. Вероятность образования при этом центров кристаллизации невелика и получаемый материал представляет собой кристаллы, распределенные среди массы, застывшей в аморфном состоянии. Для ряда расплавов, особенно содержащих так называемые стеклообразующие оксиды, например SiO2, B2O3, Р2О5, возможно создание условий, при которых центры кристаллизации вообще не образуются. В этом случае говорят о получении стекла.

примесей в испаряемой воде и снижается вероятность образования отложений накипи из труднорастворимых солей CaSO4, Mg(OH)2 на внутренних поверхностях испарителя. Однако увеличение продувки приводит к снижению экономичности работы испарителя за счет потерь теплоты с продувочной водой, поэтому ее ограничивают до 1—5%. Кроме продувки для уменьшения скорости накипеобразования умягчают поступающую в испаритель воду до таких пределов, чтобы при ее упаривании концентрация СаСО3, Mg(OH)2 и CaSO4 не достигала пределов их растворимости. Рабочее давление испарителя составляет 0,5— 1,0 МПа, производительность — 8— 21 т/ч.

При разработке топологии МДП-ИМС важно также учитывать возможность исключения паразитных транзисторов, образуемых при пересечении шинами разводки диффузионных областей одного типа электропроводности. Так как металлизация обычно проходит по толстому слою оксида, то пороговое напряжение паразитных МДП-транзисторов обычно составляет 10—15 В и их крутизна невелика. Однако присутствие в МДП-ИМС паразитных транзисторов может увеличить потребляемую мощность, уменьшить уровни выходных напряжений, снизить входное сопротивление и даже привести к нарушению нормального режима работы схемы. При разработке КМДП-ИМС вероятность образования паразитных транзисторов увеличивается по сравнению с МДП-ИМС на транзисторах с каналами одного типа электропроводности. Это объясняется тем, что в топологии КМДП-ИМС увеличивается количество диффузионных областей, и всегда под металлом разводки, соединяющей затворы транзисторов с каналами п- и р-типов, возникает инверсный слой. Для уменьшения влияния паразитных транзисторов обычно используют следующие способы:

больше степень компенсации, тем более резко изменяется реактивная мощность, потребляемая из системы. Вместе с тем применение поперечной емкостной компенсации снижает вероятность образования дефицита реактивной мощности в системе и эти два фактора должны приниматься во внимание при выборе мощности конденсаторов по условиям экономического режима работы электрических установок.

Основным условием образования на поверхности подложки зародышей второй фазы является создание пересыщения исходной фазы осаждаемым компонентом. Чем выше пересыщение потока у поверхности подложки и чем больше концентрация дефектов на этой поверхности, тем выше вероятность образования зародыша и тем меньше его критический радиус — минимальный размер области скопления атомов, обеспечивающий стабильное существование зародыша на поверхности без реиспарения. Зародыши от скоплений атомов (кластеров) отличаются тем, что они воспроизводят кристаллическую решетку осаждаемого вещества, их появление на поверхности — начальная стадия роста новой фазы. Кластеры, размеры которых меньше, чем критический радиус, называют иногда докритическими зародышами. Их рост сопровождается увеличением свободной энергии ( 4.3, кривая 2). По достижении критического размера рост скоплений атомов происходит с убыванием свободной энергии, что характеризует переход системы в устойчивое состояние. Свободная энергия образования кластера

Существенное влияние на скорость диффузии оказывают атомы примеси и другие дефекты, присутствующие в кристалле. Локальная деформация решетки вблизи примесного атома приводит к уменьшению энергии связи между соседними атомами, что увеличивает вероятность образования вакансий. При вакансионном механизме диффузии это приводит к увеличению скорости диффузии. Энергия активации процесса диффузии может изменяться также вследствие кулоновского взаимодействия между атомами диффузанта и присутствующей в решетке примеси. Так, в германии и кремнии наличие акцепторной примеси ускоряет, а наличие донорной примеси замедляет процесс диффузии атомов донора.

Распределение радиационных дефектов в кристалле в общих чертах повторяет распределение внедренных атомов, однако максимумы этих распределений для дефектов сдвинуты в сторону поверхности мишени по сравнению с максимумами профилей внедрения ( 6.13). Причина наблюдаемого сдвига заключается в следующем. Внедренный ион создает на своем пути области с высокой концентрацией дефектов (средняя глубина их залегания XD), которые задерживают часть ионов с энергией Е ^ ?,,, выполняя тем самым функции своеобразных экранов по отношению к глубинным слоям и уменьшая вероятность образования дефектов в этих слоях (табл. 6.8).

Ионное легирование полупроводниковых соединений интересно прежде всего с точки зрения введения примесей при пониженных температурах, когда значительно уменьшена или практически исключена вероятность образования тепловых дефектов. Появляется также возможность сохранить стехиометрию соединения в отличие, например, от легирования диффузией примесей, когда изменение состава в той или иной мере неизбежно. В ряде случаев в процессе ионного легирования можно инвертировать в поверхностном слое тип электропроводности путем введения избыточного по сравнению с равновесным количества примеси. Наконец, при ионном легировании удается синтезировать в поверхностных слоях тройные твердые растворы на базе бинарных соединений AniBv, что важно в производстве оптоэлектронных приборов.

туры, поскольку с температурой уменьшается вероятность образования крупных кластеров и возрастает способность решетки к восстановлению за счет взаимодействия быстро мигрирующих дефектов. Так, при бомбардировке GaAs ионами Ne+ доза аморфизации возрастает от 5-Ю14 до 1017 см"2 при изменении температуры мишени от 20 до 40 °С.

Длинные, расположенные на значительном удалении от поверхности расплава нагреватели типа, показанного на 4.53, б, используют для отжига выращенных монокристаллов, снимающего остаточные термические напряжения. Короткие нагреватели кольцеобразной формы, располагаемые на расстоянии 1—2 мм от поверхности расплава в газовой атмосфере или во флюсе, смещают область интенсивного охлаждения монокристалла вблизи фронта кристаллизации в сторону более низких температур. Это повышает устойчивость монокристаллического роста и уменьшает плотность дислокаций, вероятность образования двойников и мозаичной структуры. Одновременно с этим стабилизация температуры вблизи области переохлажденного расплава, из которого растет монокристалл (см. 4.2), стабилизирует его диаметр.

явка, поступившая в момент времени t. Система является ординарной, т. е. вероятность одновременного поступления заявки и окончания обслуживания в бесконечно малый промежуток времени — бесконечно малая величина. Стохастическое уравнение, описывающее систему, имеет вид:

Вероятный недоотпуск электроэнергии при нарушении нормальной эксплуатации электростанции определяется по ве;юятности аварийного состояния оборудования. Так, например, при наличии в энергосистеме «1 блоков одного типа и н2 блоков другого типа вероятность одновременного выхода из строя mt и w2 блоков каждого типа будет иметь вид

И, наконец, для двухцепных линий электропередачи, выполненных на двухцепных или одноцепных опорах, но проходящих по одной трассе, должны быть отдельно известны вероятность повреждения каждой из цепей отдельно и вероятность одновременного повреждения обеих цепей (соответственно q' и q"). Тогда вероятность перерыва электроснабжения в резервированной схеме ( 14-3) будет равна (без учета влияния ячеек выключателей) :

где вероятность одновременного отключения двух параллельных цепей

Вероятность одновременного отключения источников питания (см. §4.4)

1) Вероятность одновременного отключения источников питания q,*

12.12. Как определить вероятность одновременного запуска нескольких двигателей и как ПОДОЙТР к определению влияния их запуска на напряжение в узле нагрузки, питаемого от генератора?

Для того чтобы пробивное напряжение большого образца было больше t/np, необходимо, чтобы у каждого из п малых образцов оно также было больше (7пр. По теореме умножения вероятностей вероятность одновременного осуществления п независимых событий равна произведению вероятностей каждого из них. Следовательно, функция распределения пробивных напряжений большого образца F {Unp} определяется равенством

где Т — абсолютная температура; k — постоянная Больц-мана; &Fn, <§FP — уровни Ферми для электронов и дырок. Функции fc и f0 характеризуют вероятность того, что уровень энергии <§ занят, т. е. вероятность заполнения данного уровня электроном. Тогда функции (1 — fc) и (1 — — f») определяют вероятность того, что данный уровень свободен от электрона, или, что то же самое, занят дыркой. Значит, вероятность одновременного наличия электрона в зоне проводимости и дырки в валентной зоне равна произведению /с(1 — fv)- Вероятность обратного совпадения — электрон в валентной зоне, а дырка в зоне проводимости — равна /„(1 — fc). Обозначим вероятность перехода между зонами проводимости и валентной зоной в единицу времени через Бизл для испускания фотона и В„ для поглощения фотона. Тогда скорости испускания и поглощения фотонов можно записать в виде

В основном нас будет интересовать вероятность одновременного нахождения некоторого числа поездов в рассматриваемой зоне. Если максимальное число поездов, которое может вместить рассматриваемая зона, равно п, и время хода поезда по этой зоне равно t, то, очевидно,

В соответствий о изложенным в начале п.- 7.12 число т надлежит выбирать в зависимости от поставленной задачи Для расчетов, соответствующих движению о минимальным интервалом попутного следования, для каждого пути принимают m = п (здесь п = t/Q). Для всех остальных случаев следует подставлять различные значения т > /иор и устанавливать вероятность соответствующей потери напряжения На двухпутных участках вероятность одновременного появления /п/ поездов на пути / и т„ на пути // будет равна произведению вероятностей появления т/ на пути / и тп — пути //.