Вероятность нахождения

в плазме на некоторое время и увеличивает вероятность ионизации. Процесс ионизации сопровождается деионизацией (рекомбинацией): положительные ионы захватывают «медленные» электроны, в результате чего появляются возбужденные атомы, излучающие избыток энергии в виде фотонов инфракрасного, ультрафиолетового или видимого света. В процессе ионизации также принимают участие ионы: двигаясь к катоду, они соударяются с атомами газа и, если скорость достаточно велика, то производят ионизацию. Достигая катода, ионы вызывают появление вторичных электронов, после этого рекомбинируют.

Частицы газа движутся с различными скоростями, им присущи разные температуры, соответствующие закону максвелловского распределения частиц по скоростям. Большинство частиц обладает наиболее вероятной скоростью. Однако имеются частицы со скоростями выше и ниже вероятной. Практически при r<2000-f 3000 К вероятность ионизации газовых частиц предельно мала. При более высокой температуре степень термической ионизации становится существенной; в дуговом разряде этот вид ионизации преобладающий.

Вакуум является идеальной изоляционной средой, так как вероятность ионизации молекул газа путем соударения с ними электронов чрезвычайно мала. Однако опыт показывает, что при достаточно большой напряженности электрического поля ~ 106 — 10е В/см даже в самом совершенном техническом вакууме появляется электрический ток, который быстро возрастает при дальнейшем увеличении напряженности поля вплоть до пробоя.

Важное значение в теории газового разряда имеет коэффициент ударной ионизации электрона а, который представляет собой число ионизации, осуществленных электроном на единичном пути при движении его вдоль силовых линий электрического поля. Коэффициент а равен произведению числа столкновений на единичном пути электрона с молекулами газа и вероятности того, что столкновение закончится ионизацией. Эта вероятность (Ри) равна 0, если энергия электрона W меньше энергии ионизации данного газа ( 7-46). Максимальная вероятность ионизации Лиане наступает при энергии электрона W, в несколько раз большей энергии ионизации.

Так как отношение п.,4 к п0 определяет вероятность ионизации на длине одного свободного пробега Ке, то число ионизации на единице длины пути, равное 1А,е, определяющее собой коэффициент объемной ионизации а, может быть на основании (1-68) найдено. из равенства

клонения от термодинамического равновесия роль, выполняемая отдельными ловушками, может изменяться, т. е. ловушки захвата могут стать рекомбинационными ловушками и наоборот. Чтобы установить количественный критерий отличия этих энергетических уровней, введены понятия демаркационных уровней, для которых вероятность ионизации с образованием носителя одного знака равна вероятности захвата носителя заряда противоположного знака.

При дальнейшем увеличении температуры концентрация свободных электронов практически не увеличивается (участок кривой между точками 2 и 3), так как все примеси уже ионизированы, а вероятность ионизации собственных атомов полупроводника еще ничтожно мала. Участок кривой, соответствующий постоянной концентрации носителей заряда, называют участком истощения примесей. Первые два участка кривой (/—2 и 2—3) соответствуют примесной электропроводности полупроводника.

С повышением температуры возрастает вероятность ионизации ловушек захвата, что означает более быстрое их опустошение и уменьшение постоянных времени.

Следует отметить, что не всякий электрон, имеющий энергию выше энергии, соответствующей VH, ионизирует нейтральную частицу, так как только часть таких электронов приходит в должное соприкосновение с нейтральными частицами. При энергиях, меньших энергии, соответствующей Уя, вероятность ионизации толчком равна нулю, при больших энергиях эта вероятность возрастает.

1000 км/с. Вероятность ионизации перемещающимися в газе положительными ионами намного меньше, чем электронами. Это связано -е-тем^ чтет положительные ионы обладают меньшей подвижностью.

Следует отметить, что не всякий электрон, имеющий скорость выше скорости, соответствующей [/„, ионизирует нейтральную частицу, так как только часть таких электронов .приходит и должное соприкосновение с нейтральными частицами. При скоростях, меньших скорости, соответствующей 1/и, вероятность ионизации толчком равна нулю, при больших скоростях эта вероятность возрастает.

Рассмотрим этот случай на конкретном примере эксплуатации нефтяного месторождения. Обработка данных геологических, сейсмологических и каротажных исследований плюс общие геологические данные позволяют определить вероятность нахождения нефтеносных пластов в исследуемом районе, но они недостаточны, чтобы точно установить их контуры и значение характеристик. Начинается бурение. Первые скважины бурятся при недостаточных знаниях обстановки. Они могут «промазать» нефтеносную область, могут попасть в вершину месторождения, где скопились высоконапорные газы, могут попасть в нефтеносный горизонт. После того как некоторые скважины попали в нефтеносный слой пород, начинается использование месторождения. Из одних скважин идет нефть, из других газ, из третьих ничего не идет, но колонки грунта и каротажные данные уточняют модель. Постепенно буровые доставляют новую информацию: о геологическом строении области, об электрических характеристиках пластов (каротажные данные) и давлении газов в пласте и т. п.

Вероятность нахождения элемента в восстановительном ремонте после его отказа оценивается коэффициентом вынужденного простоя

Вероятность нахождения элемента в плановом ремонте определяется коэффициентом ремонтного простоя

Вероятность нахождения элемента в восстановительном и плановом ремонтах оценивается коэффициентом ремонтного режима

В горизонтальный ряд таблицы вносят у'-е ремонтные элементы с коэффициентами, характеризующими вероятность их нахождения в плановом и восстановительном ремонтах, которые находятся по формуле (1.1). Вероятность нахождения схемы в нормальном (рабочем) состоянии для п ремонтных элементов

В дальнейшем для расчета принимается округленное значение qp.f = 0,008 1/год. Вероятность нахождения схемы РУ в нормальном состоянии по (2.34) ?ро = 1-0,008-9 = 0,928.

В дальнейшем для всех выключателей принимается qv, = 0,008. Вероятность нахождения схемы в нормальном режиме
При нагреве часть электронов начинает покидать валентную зону и переходить в зону проводимости. В этом случае вероятность нахождения электронов в зоне проводимости отличается от нуля. Вероятность нахождения электронов в зоне проводимости будет возрастать с увеличением температуры, так как при этом возрастает число электронов, способных перейти из валентной зоны в зону проводимости. Вероятность нахождения электрона на том или ином уровне в зоне проводимости выражается распределением (функцией) Ферми — Дирака. Согласно этой функции вероятность того, что состояние с энергией W при данной температуре Т занято электроном, равна

3.8. Вероятность нахождения в памяти концентратора более N единиц.

Вероятность выражается в долях единицы или в процентах. Рассмотрим некоторый энергетический уровень в валентной зоне. Если он занят электроном, то /п = 1, и вероятность превратилась в достоверность. Если же он не занят, то эта вероятность /„ = 0; сумма вероятностей обоих событий «занят», «не занят» равна единице. Но вероятность того, что энергетический уровень в валентной зоне не занят электроном, есть вероятность нахождения на этом уровне дырки /р. Таким образом, /р = 1, если /„ = 0, а сумма этих вероятностей /„ + /р = 1 • Отсюда можно найти выражение для /р. Отняв от единицы выражение (1.4), получим соотношение

Вероятность выражается в полях единицы итти р процентах. Рассмотрим некоторый энергетический уровень в валентной зоне. Если он занят электроном, то/„=1, и вероятность превращается в достоверность. Если же он не занят, то эта вероятность fn=0\ сумма вероятностей обоих событий «занят», «не занят» равна единице. Но вероятность того, что энергетический уровень в валентной зоне не занят электроном, есть вероятность нахождения на этом уровне дырки fp. Таким образом, fp=l, если/„=0, а сумма этих вероятностей fn+fp~l- Отсюда можно найти выражение для^,. Отняв от единицы выражение (3.2), получим соотношение