Величиной отрицательной

где а • — постоянная величина для определенного материала и определенной температуры, причем с увеличением температуры а уменьшается; обычно а — 0,6 — 1 сек-а/м; Нк — критическая напряженность, зависящая от материала и скорости процесса перемагничивания, которая в свою очередь определяется величиной отношения Н/НК: обычно Нк = 50 — 200 а/м. При достаточно больших отношениях Н/НК можно принять То = а/Н, т. е. полагать, что время 70 обратно пропорционально величине тока /.

Степень расширения диффузора 1 ,6 2 Определяется величиной отношения D,

В общем случае изображение на выходе СПИ характеризуется многими параметрами: размерами, яркостью, контрастом, числом воспроизводимых градаций яркости, четкостью, форматом изображения, цветовыми параметрами, наличием окантовок и тянущихся продолжений, степенью координатных искажений, зашумленностью и др. Некоторые из них определяются только параметрами воспроизводящего устройства, большинство же других обеспечивается техническими параметрами и характеристиками СПИ: числом строк разложения, частотой кадров в секунду, формой резуль-t тирующих характеристик — амплитудной, амплитудно- и фазоча-' стотной (или переходной), величиной отношения сигнала к помехе и др.

где а — постоянная величина для определенного материала и определенной температуры, причем с увеличением температуры а уменьшается; обычно а = 0,6 — 1 сек-а/м; Як — критическая напряженность, зависящая от материала и скорости процесса перемагничивания, которая в свою очередь определяется величиной отношения Я/ЯК: обычно Як = 50 — 200 а/м. При достаточно больших отношениях Я/ЯК можно

при соединениях 24-2 значения отношения В\\/В\ даны в табл. 24-1. При этом мы для простоты считаем, что ko6i = &обп-Величина отношения ВцГВ{ тесно связана с величиной отношения моментов Ми/Mi, развиваемых двигателем при двойном и одинарном числе пар полюсов. Действительно, вращающий момент можно выразить фор- ^ I мулой: \ \ \ \ V М = —— m ау& брф /2 cos'ib,, (24-3)

Для установления связи" между заданной величиной отношения Лш/ю0 и требуемым относительным изменением емкости или индуктивности колебательной системы автогенератора допустим, что модуляция осуществляется по схеме 12.18, и отклонению емкости на величину АС относительно исходного значения С0 соответствует изменение частоты на величину Лео относительно исходной частоты ю0. Пренебрегая влиянием потерь в контуре и считая частоту автоколебаний совпадающей с резонансной частотой контура, получаем следующие очевидные соотношения:

Применение блокинг-генераторов удобно в тех случаях, когда есть необходимость в получении коротких импульсов с большой величиной отношения периода следования Т к длительности импульса tn. Величина v = TltK получила название скважности. Весьма существенное достоинство блокинг-генератора как источника импульсного напряжения состоит в способности его развивать в импульсе большую мощность. Так, не представляет труда с обычным маломощным триодом получить импульс амплитудой порядка 200 В на нагрузке 100 Ом, что соответствует мощности в импульсе 400 Вт. В обычной усилительной схеме такой же триод способен отдавать мощность лишь порядка 1—2 Вт. Это различие объясняется тем, что мощность в триоде рассеивается только во время формирования импульса, а в паузе между импульсами он «отдыхает». Следовательно, средняя мощность Рср, рассеиваемая в триоде, связана с мощностью в импульсе Ри соотношением

Если при графическом решении уравнения (88) принять самое меньшее значение-для-—-, соответствующее ' Мпр = 0, и задаться величиной отношения радиусов г\ и./г..(для данного частного решения Г1 = Г2), то — =1-;72 и расчетное уравнение

В регенеративных аппаратах главного контура, а также в регенераторах и охладителях вспомогательных систем теплоноситель охлаждается, причем возможны различные комбинации состава, температур стенки канала и теплоносителя и других параметров. В случае охлаждения газа неравновесного состава и низкой температуры ст.енки (Гс^410—450 °К) процесс тепло- и массопереноса существенно отличается от рассмотренного выше процесса для условий нагрева и в основном определяется величиной отношения времени диффузии тд компонентов через ламинарный пограничный слой ко времени химической релаксации при протекании второй стадии реакции диссоциации (рекомбинации).

При соосном расположении частей стержня характерна зона расплава с меньшей величиной отношения поверхности к объему, чем в случае несоосного расположения. Это приводит к перегреву поверхностных слоев расплава и, как следствие, к увеличению интенсивности испарения примесей. Кроме этого, перегрев поверхности при соосном расположении приводит к увеличению градиента температуры на поверхности расплава, т.е. усиливает потоки Марангони ( 144), причем в этом случае потоки Марангони, совпадая с тепловыми и электродинамическими потоками, усиливают перемешивание в верхней части зоны расплава и ослабляют их в ее нижней части. Это приводит к увеличению интенсивности удаления примесей в области, близкой к плавящейся части стержня, и уменьшению захвата в кристаллизующейся.

Для характеристики распределения яркости поверхности в различных направлениях при отражении или пропускании принято пользоваться величиной отношения яркости в данном направлении La к яркости L0 одинакового с ней освещенной диффузной поверхности, имеющей коэффициент отражения, равный единице. Эта величина называется коэффициентом яркости и обозначается буквой pv

где lgP(t) является величиной отрицательной, потому что значение P(t) всегда меньше единицы. Кривая убы-

Отсюда вытекает, что отношение Z1K/ZW должно быть величиной отрицательной. Если имеем частотные зависимости Z1K и Z10 для цепи, (йстоящей только из реактивных элементов, то, пользуясь

При токе i > 16 снова оказывается 1/д > U - iR, a L-.----величиной отрицательной, т. е. для поддержания такого значения тока напряжение U недостаточно. Ток в цепи будет падать до значения 16. Дуга в этой точке будет гореть устойчиво.

В соответствии с этим дифференциальная проводимость полупроводника на этом участке оказывается величиной отрицательной. Падение i с ростом Е продолжается до порогового значения напряженности Епор, после чего проводимость полупроводника резк<г возрастает из-за увеличения концентрации носителей заряда (участок CD на 2.9).

Так как НС (НЛ) имеет в.а.х. S-типа, то в схеме замещения в соответствии с § 13.3 оно замещено дифференциальным сопротивлением Яд, малой паразитной индуктивностью Ln и добавочным сопротивлением ЯДОб- Яд в точке k пропорционально tg а 14.2, в и является величиной отрицательной. Источник э.д.с. в схеме замещения отсутствует, так как исследуется поведение схемы в режиме приращений по отношению к режиму, соответствующему точке k.

Это возможно в том случае, если химический потенциал электронного газа [J, является величиной отрицательной и по абсолютному значению превышает kT, т. е. если

На 6.2 показана зонная структура невырожденного полупроводника. За нулевой уровень отсчета энергии принимают обычно дно зоны проводимости Ес. Так как для невырожденного газа уровень Ферми \i должен располагаться ниже этого уровня, т. е. в запрещенной зоне, то \л является величиной отрицательной (см. 43.103)). При температуре Т, отличной от абсолютного нуля, в зоне проводимости находятся электроны, в валентной зоне — дырки. Обозначим их концентрацию соответственно через пир. Выделим около дна зоны проводимости узкий интервал энергий dE, заключенный между Е и Е + dE. Так как электронный газ в полупроводнике является невырожденным, то число электронов dn, заполняющих интервал энергии dE (в расчете на единицу объема полупроводника), можно определить, воспользовавшись формулой <3.89):

Следует заметить, что г, входящее в (9.15), может быть и величиной отрицательной. В этом случае с ростом температуры длина свободного пробега носителей не увеличивается, а, наоборот, па-

Так как обычно ип > ир, то аг в собственном полупроводнике является величиной отрицательной. В акцепторном полупроводнике при переходе к собственной проводимости происходит смена положительного знака термо-э. д. с. на отрицательный.

Отсюда вытекает, что отношение Zltc/Zw должно быть величиной отрицательной. Если имеем частотные зависимости ZlK и Z10 для цепи, состоящей только из реактивных элементов, то, пользуясь ими, можем сразу же указать полосы пропускания и полосы задерживания. Например, для цепи, показанной на 14.3, частотные зависимости ZlK и Z10, которые были рассмотрены в § 6.3, 6.6, т. I, приведены на 14.4.