Вакуумной установки

В процессе изготовления молибденовый катод подвергается двукратному распылению (тренировке). Первая тренировка производится в процессе вакуумной обработки декатрона. В процессе ее проведения поверхностные слои катода освобождаются от внешних загрязнений. При второй тренировке распыляемые слои осаждаются в виде пленок на внутренней поверхности баллона. Они преграждают путь молекулам газа, остающимся в глубинных порах стенок, от проникновения их внутрь баллона. Этим обеспечивается более высокая чистота инертного газа. Все же полностью избежать появления молекулярных газовых примесей в составе инертного газа не удается. Для того чтобы предупредить влияние молекулярных газов на условия ионизации и горения разряда, внутрь декатрона вводится газовый поглотитель (геттер), селективно поглощающий молекулярные газы и не реагирующий на инертные газы.

фугами. Иногда применяют дополнительную контактную очистку масла адсорбентами, т. е. поверхностно-активными минеральными веществами (глина кил, силикагель), обладающими благодаря мелкодисперсной структуре большой удельной поверхностью (до 1000 м2 на 1 г). Адсорбенты, смешанные с маслом, при осаждении уносят из него разные примеси, преимущественносоединения.состоящиеиз диполь-ных молекул. Этим достигается повышение качества масла, в частности снижение органической кислотности без разрушения основных углеводородов. Снижение кислотности уменьшает проводимость. Получение масел с пониженными диэлектрическими потерями (кабельные, конденсаторные с tg 8 при 20° С в пределах 0,0002—0,0005) требует очень хорошей очистки с применением адсорбентов и вакуумной обработки при 60—70° С для сушки и дегазации.

газовой промывки ламп во время вакуумной обработки

ламп во время вакуумной обработки на откачных уста-

из деталей в процессе вакуумной обработки ламп. Для

процесса вакуумной обработки (измерение 'вакуума и

вакуумной обработки.

в процессе вакуумной обработки ламп.

схемы вакуумной обработки ламп на откачных автома-

Процесс вакуумной обработки газоразрядных ламп

гические процессы вакуумной обработки газоразрядных

Рабочая камера вакуумной установки представляет собой металлический или стеклянный колпак /, который устанавливается на плите 6. Между колпаком и плитой находится вакуумное уплотнение 5. Внутри рабочей камеры расположены подложка 3, которая закреплена на держателе, не показанном на „ рисунке, нагреватель 2 подложки и испаритель 4. Между испарителем 4 и подложкой 3 устанавливает- ?^ ся заслонка 8, позволяющая в нужный момент пе- « . рекрывать поток испаряемого вещества на подлож- ^fej ку 3. Рабочая камера через отверстие 7 соединена с вакуумным насосом. Нагрев подложки перед напылением улучшает адгезию пленок. рис j %

6.14. Схемы деаэраторных установок избыточного давления (а) и вакуумной установки (б):

На 3.5 приведена схема установки для контроля скорости роста или травления, а также свойств диэлектрических пленок, в основе которой лежит метод лазерной интерферометрии. Электромеханически модулированный луч лазера через кварцевое окно вакуумной установки направляется зеркалом на подложку. Отраженный от подложки луч выводится через то же кварцевое окно и направляется на фотоприемник. Усиленный и продетектированный сигнал регистрируется зо времени самописцем. Вследствие интерференции отраженных от границ пленка — подложка и пленка — среда'лучей интенсивность сигнала фотоэлемента меняется периодически с изменением толщины наращиваемой (или стравливаемой) пленки. За промежуток времени между двумя соседними экстремумами слой изменится на толщину

12-2. Схемы базовой вакуумной установки УВН-2М (а) и технологи ческой оснастки рабочей камеры уста-яовек однооперационного (б) и многооперационного (в) типов.

Применение фотолитографии снимает много ограничений в отношении сложности конфигурации элементов тонкопленочной схемы. Этот способ является достаточно высокопроизводительным и создает наилучшие условия для производства резисторов с малыми погрешностями (15 %-ный разброс без подгонки резисторов) и высоким выходом годных. Это обусловлено тем, что, во-первых, на подложку наносят сплошные пленки материалов, что создает благоприятные условия для равномерного формирования слоев; во-вторых, когда резистивный слой получен с некоторыми отклонениями от заданного значения удельного сопротивления, можно применять набор компенсирующих фотошаблонов для изготовления резисторов. Последнее совершенно исключено в случае применения свободных и контактных масок; в-третьих, исключение процесса изготовления масок, маскодержателей и процесса совмещения под колпаком вакуумной установки ускоряет и удешевляет изготовление ИМС. Это особенно заметно, когда вместо нескольких масок и соответствующего числа напыления при изготовлении, например, сложных проводников, применяют одно напыление и один фотошаблон для процесса фотолитографии.

Удаление стружки с деталей, приспособлений, из рабочей зоны обработки, отверстий в деталях производят смыванием смазочно-охлаждающей жидкостью или отсосом с помощью вакуумной установки. Контроль точных размеров деталей осуществляют непосредственно в процессе обработки автоматизированными устройствами.

Для регулирования осаждения резистивных пленок в рабочий объем вакуумной установки вблизи напыляемых подложек помещают контрольную подложку с серебряными контактами (свиди-тель). Когда сопротивление между контактами контрольной подложки достигает определенной величины, испарение прекращается поворотом заслонки. Как показывает опыт, сопротивление обычно уменьшается после того, как подложка извлекается из вакуумной системы, или при ее дальнейшей температурной обработке. Объясняется это тем, что атомы газа или другие примесные атомы сорбируются пленкой в процессе ее напыления, а затем при нагреве химически реагируют с ней. Другая причина заключается в возникновении в материале пленки напряжений, которые могут изменяться в процессе отжига.

ламп с вакуумной установки рекомендуется производить

вакуумной установки. Необходимость надеж-

духа при съеме колбы с вакуумной установки

При нанесении тонких пленок путем термического испарения всегда применяют форсированный режим, чтобы снизить вредное влияние остаточных газов в рабочем объеме вакуумной установки.