Вакуумная обработка

Поверхностные покрытия деталей электроизмерительных приборов выполняют для защиты их от коррозии, улучшения их внешнего вида « придания поверхностному слою свойств, отличных от основного металла (повышенной твердости и износоустойчивости, электропроводности, отражательной способности электроизоляционных свойств и др.). С помощью покрытий, наносимых, например, вакуумным напылением или катодным распылением, можно получить принципиально новые свойства детали, а также добиться высоких физических свойств, используя в качес"ве основного материала деталей дешевые металлы. Покрытия широко применяются

На 4.14 представлена зависимость tg9 и г мплитуды фототока /к от частоты модуляции ю для эпитаксиальнсго слоя кремния л-типа толщиной 50,2 мкм с удельным сопротивлением 28 Ом-см и диффузионной длиной 18,5 мкм. Контакт Шотки образован вакуумным напылением золота, диаметр контакта 2Е>0 мкм. Экспериментальные и теоретические зависимости полностью совпадают.

Поверхность подложки должна быть хорошо обработана. Это особенно важно, когда на подложку наносят слои вакуумным напылением с последующей фотолитографией. В этом случае минимально достижимые значения ширины линий являются функцией чистоты поверхности подложки и толщины слоя металлизации, причем эти параметры взаимозависимы: чем выше качество обработки поверхности подложки, тем меньше получаемая ширина линии.

Примером несимметричного поверхностного диэлектрического волновода может служить тонкая пленка оптически прозрачного диэлектрика или полупроводника с показателем преломления, превышающим показатель преломления оптически прозрачной подложки. Степень локализации электромагнитного поля, а также отношение потоков энергии, переносимых вдоль несущего слоя и подложки, определяются эффективным поперечным размером несущего слоя и разностью показателей преломления несущего слоя и подложки при заданной частоте излучения. Сравнительно простым и наиболее подходящим для твердотельных оптических устройств является оптический полосковый микроволновод, выполненный в виде тонкой диэлектрической пленки ( 9.10), нанесенной на подложку методами микроэлектроники (например, вакуумным напылением). С помощью маски на диэлектрическую подложку можно наносить с высокой степенью точности целые оптические схемы. Применение электронно-лучевой литографии обеспечило успехи в создании как одиночных оптических полосковых волноводов, так и оптически связанных на определенной длине, а впоследствии расходящихся волноводов, что существенно для создания направленных ответвителей и частотно-избирательных фильтров в системах интегральной

При производстве малогабаритной радиоэлектронной аппаратуры, в устройствах управления и памяти с высоким быстродействием (0,02 мкс) все шире применяются тонкопленочные диэлектрические и магнитные элементы, получаемые вакуумным напылением. Высокое быстродействие таких элементов обусловлено однодоменнои структурой тонкой пленки, что облегчает процесс переполяризации или перемагничивания.

Изготовление диэлектрических подложек осуществляется по аналогичному ТП, рассмотренному в § 10.2. Требуемая шероховатость диэлектрической подложки полосковых линий обеспечивается шлифованием и полированием. Перед вакуумным напылением очищают поверхности подложек с целью удаления остатков полировальной суспензии и других загрязнений, а также для улучшения адгезии металлического покрытия с поверхностью диэлектрической подложки. Содержание операций очистки рассмотрено в § 10.2. Для улучшения адгезии проводящего слоя с подложкой пользуются промежуточным подслоем из титана.

Металлизация элементов включает подготовку поверхности керамики и нанесение металлического покрытия (электродов) химическим осаждением или вакуумным напылением. В качестве основного металла для электродов применяют алюминий, серебро, золото и т. д.

В гибридных интегральных схемах используют навесные бескорпусные транзисторы или другие активные компоненты в сочетании с пассивной частью, выполненной групповым способом (вакуумным напылением, нанесением через трафарет «толстых» пленок на кера-

Чтобы получить большие удельные емкости, вместо методов «апыления используют, например, электролитический процесс. Так, подвергнув напыленную пленку тантала (нижняя обкладка конденсатора) анодированию в электролите, можно получить достаточно тонкий и бес-пористый слой лятиО'Киси тантала Та2Об, который обеспечивает С0 =100 000 пФ/см2 при ?/раб = Ю В. Верхнюю обкладку получают вакуумным напылением.

В большинстве конструкций пленочных матриц ЗУ разрядные шины получают вакуумным напылением. Медь марки Ml напыляется на подложку при температуре 100—200° С в присутствии магнитного поля. При напылении термовакуумным методом медь загружается в молибденовый стакан и производится электронно-лучевой нагрев при напряжении 1200 В и токе электронного пучка 0,26 А. При ионно-плазменном напыленди (мишень из меди Ml) применяют следующие режимы: ток накала катода до 150 А, ток разряда до 6 А, напряжение на мишени до 6 кВ, ток на мишени не более 300 мА.

Общие сведения. Распыление ионной бомбардировкой, как и .испарение в вакууме, позволяет получать для микросхем проводящие, резистивные, диэлектрические, полупроводниковые и магнитные пленки, но по сравнению с термическим вакуумным напылением имеет ряд преимуществ:

Вакуумная обработка является одной из основных и

и вакуумная обработка их производится либо на автома-

8-7. ВАКУУМНАЯ ОБРАБОТКА ЛАМП НАКАЛИВАНИЯ

Вакуумная обработка прожекторных ламп Состоит из

8-8. ВАКУУМНАЯ ОБРАБОТКА ГАЗОРАЗРЯДНЫХ ЛАМП

Вакуумная обработка ламп на откачных постах при-

Вакуумная обработка ксеноновых шаровых разборных

Вакуумная обработка горелок дуговых ртутных ламп

Вакуумная обработка ламп представляет собой для большин-

Для некоторых видов газоразрядных ламп вакуумная обработка

Вакуумная обработка газоразряд-