Важнейшими параметрами

Важнейшими характеристиками отдельных устройств памяти (запоминающих устройств) являются емкость памяти, удельная емкость, быстродействие.

Кривые намагничивания — зависимости магнитной индукции В от напряженности магнитного поля Н — являются важнейшими характеристиками ферромагнитных металлов. На 6-7 приведена основная кривая намагничивания В = f (H) для стали, которая получается при постепенном намагничивании в одном направлении ненамагниченного металла; там же показана кривая изменения магнитной проницаемости. Значения магнитной проницаемости пропорциональны тангенсам углов и, образованных секущими, проведенными из начала координат в точки кривой, и осью абсцисс. Магнитная проницаемость на начальном, коротком, участке практически неизменна, затем увеличивается, достигает наибольшего значения и после этого уменьшается. Значения относительной магнитной проницаемости, по существу, определяют эффективность применения стали для магнитопровода.

Важнейшими характеристиками электромагнита являются следующие:

Важнейшими характеристиками МЛЗ являются время задержки, резонансные частоты, дисперсии искажений сигнала.

Кривые намагничивания — зависимости магнитной индукции В от напряженности магнитного поля Я - являются важнейшими характеристиками ферромагнитных металлов. На П1-13 приведена основная кривая намагничивания В = /(Я) для стали, которая получается при постепенном намагничивании в одном направлении ненамагниченного металла; там же показана кривая изменения магнитной проницаемости. Значения магнитной проницаемости пропорциональны тангенсам углов а, образованных секущими, проведенными из начала координат в точки кривой, и осью абсцисс. Магнитная проницаемость на начальном, коротком, участке практически неизменна, затем увели-

Энергия WVm p и мощность Рч.р являются важнейшими характеристиками ЧР, определяющими разрушающий эффект и скорость старения изоляции. Однако даже в случае относительно мощных и заведомо опасных для изоляции ЧР величины W4 р и Рч р настолько малы, что непосредственное измерение их очень затруднено или невозможно. Поэтому в качестве мер интенсивности ЧР вместо W4_ р и РЧ, р используют другие величины, пропорциональные им и удобные для измерения.

Важнейшими характеристиками систем возбуждения являются: быстродействие, определяемое скоростью нарастания напряжения на обмотке ротора при форсировке К = 0,632(1//>пот-C//jHOM)/C//>HOMti ( 2.13), и отношение потолочного напряжения к номинальному напряжению возбуждения UfjnoT/ Uf_пом = /Сф — так называемая кратность форсировки.

Важнейшими характеристиками ИД постоянного тока, так же как и ИД переменного тока (см. § 8.1), являются электромеханические характеристики, т. е. зависимость момента от частоты вращения M = f(n) при постоянном напряжении управления Uy. При якорном и полюсном управлении соответственно

Важнейшими характеристиками электронных ламп являются статические характеристики, отображающие зависимость тока в цепи какого-либо электрода от напряжения на этом или другом электроде в статическом режиме. В справочниках для электронных ламп приводятся семейства их статических характеристик.

Зависимость какого-либо параметра режима или параметра прибора, который принят в качестве функции, от другого параметра, который принят в качестве аргумента, при условии, что все остальные величины остаются неизменными, называют характеристикой электронного прибора. Совокупность характеристик при различных фиксированных значениях независимого третьего параметра называют семейством характеристик. Важнейшими характеристиками электронных приборов являются статические характеристики, отображающие зависимость тока в цепи какого-либо электрода от напряжения на любом электроде в статическом режиме. Часто названия статических характеристик связывают с названием электродов, например

Важнейшими характеристиками логических микросхем являются входные и передаточные. Входные характеристики представляй* собой графические зависимости величины входного тока /вя от

Важнейшими параметрами однопереходных транзисторов являются ток включения /ВКЛ) рассеиваемая мощность Ртах и межбазовое сопротивление г6б2. Например, для транзистора КТ117А /ВКл = 20 мкА, Ртах = 300 мВт, гб вг =4-^-9 кОм. Однопереходные транзисторы используют обычно в качестве ключевых элементов в генераторах релаксационных колебаний.

Важнейшими параметрами пилообразных импульсов

Чувствительность современных ЭЛТ составляет 0,1 — 1 мм/В. Другими важнейшими параметрами ЭЛТ являются яркость свечения экрана и длительность послесвечения — отрезок времени, необходимый для

Важнейшими параметрами силовых диодов являются прямой ток диода /пр, падение напряжения в прямом направлении Unp, соответствующее номинальному прямому току, допустимое обратное напряжение диода Чертах и обратный ток /обр, величина которого сильно зависит от температуры.

Рассмотрим некоторые наиболее важные параметры МОП-транзисторов. Будем предполагать, что эти приборы имеют индуцированный канал гс-типа. Важнейшими параметрами МОП-транзистора являются пороговое напряжение, удельная крутизна, крутизна, внутреннее сопротивление и коэффициент усиления.

Важнейшими параметрами бло- ип кинг-генераторов являются: длительность формируемых импульсов и их и" стабильность, предельная частота п срабатываний.

Важнейшими параметрами материалов упругих элементов являются модуль упругости и модуль сдвига, значения которых должны не зависеть или пренебрежительно мало зависеть от температуры, рабочих нагрузок, времени, вибраций. К сожалению, идеальных материалов нет. В частности, для всех сплавов модуль упругости значительно зависит от температуры. В общем случае эта зависимость нелинейная. Однако у некоторых материалов в широких пределах изменения температуры она практически линейная. Таким материалам следует отдавать предпочтение, так как в этом случае температурная погрешность за счет изменения модуля упругости может быть учтена или скомпенсирована введением в преобразователь соответствующего термо-компенсирующего звена. Практически линейную зависимость модуля упругости от температуры в пределах от •—200 до +600° С имеют стали 36 НХТЮ и бронзы Бр Б2.

Важнейшими параметрами элемента памяти являются площадь, занимаемая им на кристалле, и потребляемая мощность. Для достижения максимальной информационной емкости площадь элемента, а значит, и размеры транзисторов (длина, ширина канала и др.) должны быть минимальными. Они зависят от разрешающей способности фотолитографии, задающей минимальный топологический размер А. При сравнении элементов памяти разных типов удобно оценивать их площадь S не в абсолютных, а в относительных единицах — числом литографических квадратов со стороной А. Относительная площадь S/A2 характеризует «качество» схемотехники и топологического проектирования элементов памяти. Для рассматриваемого элемента (см. 9.2) S/A2 » 150.

Важнейшими параметрами элемента памяти являются площадь, занимаемая им на кристалле, емкость запоминающего конденсатора (или информационный заряд при хранении лог. 1 Ql = C0Ul), ток утечки, от которого зависит период регенерации, и отношение С0/Суо, определяющее амплитуду разностного сигнала при считывании.

Важнейшими параметрами и свойствами, подлежащими входному контролю, являются: для ковара — качество поверхности, химический состав, коэффициент линейного термического расширения и температура Кюри, структура; для стекла —наличие а- и у-перехода, внешний вид (наличие включения и т. д.), химический состав, коэффициент линейного термического расширения и температура размягчения. При несоответствии данных проверки требованиям ТУ или ГОСТу материал бракуется.

Важнейшими параметрами шагового двигателя являются: величина шага при перемещении ротора аш, град; число обмоток управления тг на статоре; частота приемистости yVm, шаг/с; максимальный статический момент М„ на валу двигателя, Н-см; номинальный динамический или нагрузочный момент Мд на валу при-вращении ротора и др.