Вызванный действием

Задача 1.1. Контроль изделий РЭА при статистическом регулировании. Учитывая, что принципиально методы управления качеством не отличаются от изложенных выше, так же как и структура соответствующих систем управления, то наибольшее внимание уделим методам статистического регулирования. При этом проанализируем наиболее распространенный метод статистического регулирования качества РЭА по альтернативному признаку, который обычно используется в целях определения времени нахождения ТП в налаженном состоянии, стабильности ТП, выяснения и устранения причин, вызывающих появление дефектных изделий. При статистическом регулировании изделия, представленные на сплошной или выборочный контроль, делятся на две группы по альтернативному признаку — годные и бракованные.

отсутствии других причин, вызывающих появление высших гармоник, связей между обмотками в уравнениях напряжений нет.

При исследовании реальных электрических машин, в которых всегда имеется несколько причин, вызывающих появление спектров высших гармоник поля, целесообразно определять динамические КПД и ku для идеальной машины с синусоидальным магнитным полем, а затем учитывать уменьшение этих показателей за счет введения коэффициентов, учитывающих несинусоидальностъ напряжения, насыщение и другие факторы.

Коммутационную надежность машин постоянного тока обычно оценивают по ширине зоны безыскровой работы машины Д/дп =/(Лг). границы которой определяют экспериментально по значениям токов подпитки или отпитки Д/дп добавочных полюсов, вызывающих появление искрения под сбегающими краями щеток. ГОСТ 183-74 устанавливает, что при номинальном режиме работы машины степень искрения не должна превышать класса 1,5. При этом уровне искрения наблюдается лишь слабое точечное искрение под большей частью элект-

оси роста кристалла (см. 4.10,6); изменение гладкого характера поверхности фронта кристаллизации; влияние магнитных и высокочастотных полей, порождаемых электронагревом и вызывающих появление электрогидродинамических потоков жидкости и др. Все они приводят к искажению симметричной кривой распределения примеси по поперечному сечению кристалла (см. 4.28, кривые 1—4) и к возникновению более сложных его форм (кривые 5—7). В целом такого рода неравномерное распределение примеси усугубляет канальную неоднородность.

/ — монокристалл; 2—фронт кристаллизации; 3 —схема действия термоупругих напряжений т, вызывающих появление дислокаций; 4 — краевая дислокация

При гетероэпитаксии основным источником генерации напряжений, вызывающих появление дефектов структуры в эпитаксиальном ,елое, служат напряжения, возникающие по тем же причинам, что и в автоэпитаксиальном слое, т. е. из-за Да, Да и ДС. Таким образом, суммарное напряжение представляет собой сумму напряжений, вызываемых перечисленными причинами. Однако основной вклад в образование дислокаций в гетероэпитаксиальных слоях вносит Да. Поэтому для уменьшения Да и таким образом улучшения структурного совершенства гетероструктур при невоз-

Замыкания могут возникать при образовании продуктов разряда или продуктов побочных реакций, вызывающих появление межэлектродных мостиков с электронной проводимостью. Такие случаи наблюдаются, например, в ртутно-цинковых элементах, когда капли металлической ртути, образующейся при разряде, могут вызвать внутреннее короткое замыкание.

Высоковольтная поляризация. Всякая поляризация, связанная с образованием зарядов, создает внутри диэлектриков некоторую противо-э. д. с. поляризации. В большинстве случаев эта противо-э. д. с. поляризации невелика. Однако в ряде случаев происходит образование сильно сосредоточенных пространственных зарядов, вызывающих появление весьма больших разностей поляризационных потенциалов, направленных противоположно потенциалам, приложенным к электродам. Эта разновидность поляризации получила название высоковольтной поляризации. Она была достаточно подробно изучена А. Ф. Иоффе, который показал, что высоковольтная поляризация устанавливается довольно медленно, иногда часами, что она практически не наблюдается при частотах выше звуковых, а также и при достаточно высоких температурах,

Одной из особенностей стекла является его свойство значительно лучше противостоять напряжениям сжатия, которое используют в конструкциях спаев стекла с металлом. В спаях, где стекло охватывается металлической деталью, желательно применять металл с несколько большим КТР, чем у стекла. В этом случае металл при охлаждении будет создавать в стекле напряжения сжатия. При нагрузках на спай, вызывающих появление в стекле напряжений растяжения, последние будут скомпенсированы напряжениями предварительного сжатия стекла. Подобно этому работает предварительно напряженный железобетон.

На 5.56 показаны горизонтальные проекции траекторий полета ракеты при различных методах боковой корректировки. В случае отсутствия боковой корректировки и при наличии факторов, вызывающих появление бокового ускорения, полет раке-

Произведем эквивалентное замещение элемента dCk источником тока dick. Если затем положить в схеме Хни — 0, то на выходе цепи образуется отклик dxBbi^(t), вызванный действием источника тока dick', а если, кроме того, поделить ток источника die. на dCk, то отклик на выходе цепи будет равен производной Лсвых(0 jdCk ( 11.14,6). В соответствии с данной схемой

При положительной полуволне ЭДС вторичной обмотки трансформатора е2 (интервал 0 — л на 8.3, б) ток /2,з, вызванный действием иЖ\_ этой ЭДС, проходит по цепи: точка а с положитель- О ным потенциалом — открытый u,,i, диод Д2 — резистор /?„ — открытый диод Дз — точка b "^цщщшу ?• с отрицательным потенциалом. Диоды Д\ и Д4 при этом заперты.

Сформулированное положение является схемным представлением выражений контурного тока (3.29) и узлового напряжения (3.36). Действительно, каждое слагаемое (3.30) /?/ = #*;•«/ представляет ток в контуре k, вызванный действием одного источника напряжения в контуре / при отсутствии других источников —'коротком замыкании выводов источников напряжения, а также разрыве выводов источников тока. Предполагается, что если исходная цепь имела источники тока, которые были преобразованы в эквивалентные источники напряжения, то короткое замыкание выводов последних соответствует разрыву выводов заданных источников тока. Суммирование токов от действия каждого из источников согласно (3.30) дает искомый контурный ток при одновременном действии всех источников, что доказывает теорему.

ется токовой, имеет небольшое число витков сравнительно большого диаметра. Токи в цепях магнитопроводов возбуждают переменные магнитные потоки одинаковой частоты, которые, пересекая диск 3 из алюминия, индуктируют в нем э. д. с. В диске появляются вихревые токи, совпадающие по фазе с соответствующими э. д. с., поскольку индуктивность диска на промышленной частоте пренебрежимо мала. В соответствии с законом Био-Савара взаимодействие пар магнитный поток цепи напряжения — вихревой ток, вызванный действием цепи тока, и магнитный поток цепи тока — вихревой ток, вызванный действием цепи напряжения, приводят к появлению сил и вращающих моментов, направления действия которых совпадают; средний за период вращающий момент пропорционален активной мощности измерительной цепи:

ется токовой, имеет небольшое число витков сравнительно большого диаметра. Токи в цепях магнитопроводов возбуждают переменные магнитные потоки одинаковой частоты, которые, пересекая диск 3 из алюминия, индуктируют в нем э. д. с. В диске появляются вихревые токи, совпадающие по фазе с соответствующими э. д. с., поскольку индуктивность диска на промышленной частоте пренебрежимо мала. В соответствии с законом Био-Савара взаимодействие пар магнитный поток цепи напряжения — вихревой ток, вызванный действием цепи тока, и магнитный поток цепи тока — вихревой ток, вызванный действием цепи напряжения, приводят к появлению сил и вращающих моментов, направления действия которых совпадают; средний за период вращающий момент пропорционален активной мощности измерительной цепи:

Будем считать, что выполнение условия (6.27) обеспечено. Тогда процесс переключения, вызванный действием запускающего импульса,

При положительной полуволне э.д.с, вторичной обмотки трансформатора е2 (интервал 0-я на 5.3,6) ток 1'2>з> вызванный действием этой э.д.с., будет проходить по цепи: точка а с положительным потенциалом — открытый вентиль

Будем считать, что выполнение условия (5.24) обеспечено. Тогда процесс переключения, вызванный действием запускающего импульса, заканчивается насыщением транзистора Т, после чего участок «коллектор — эмиттер» можно представить в виде короткозамкнутого отрезка цепи /С — Э. Нагрузкой базовой обмотки трансформатора является суммарное сопротивление R$ + r6n, где г6н — входное сопротивление насыщенного транзистора. При пересчете в коллекторную цепь R'6 = (Re-\-i'6n)/n2. Поскольку r6H<^R6, по-прежнему можно

Пусть а^ — угол отклонения подвижной части, вызванный действием переменного тока; а_ — угол отклонения подвижной части под действием постоянного тока, по величине равного амплитудному значению переменного тока. Тогда

2.23. Согласно принципу наложения ток (напряжение) любой ветви, вызванный действием нескольких источников, равен алгебраической сумме токов (напряжений), вызванных каждым источником в отдельности. Поэтому необходимо изобразить столько схем, сколько источников имеется в схеме, каждый раз полагая тождественно равным нулю все задающие напряжения и токи источников, крОме одного. Источник напряжения с нулевым задающим напряжением эквивалентен короткому замыканию его зажимов, а источник тока с нулевым задающим током эквивалентен обрыву ветви. Преобразованные схемы показаны на 2.22, а, б. Первая схема получилась в результате приравнивания нулю задающего тока источника тока (У1 и У2 не связаны между собой), вторая — в результате приравнивания нулю задающего напряжения источника напряжения (У2 и УЗ замкнуты). В соответствии с принципом наложения токи исходной схемы 2.7 рассчитываются по формулам:

7.19. До замыкания контакта по цепи 7.18, а проходит ток, вызванный действием синусоидальной э. д. с. е = 180 sin (314/ + -f- 30°) В. В момент / = 0 контакт замыкается. Найти выражения переходных токов, если #, = 30 Ом, R2 — 60 Ом, R3 = 50 Ом и С = 80 мкФ.