Высокоомного источника

Таким образом, в любом стационарном состоянии схемы ( 5.13) один из транзисторов закрыт, поэтому 'схема практически не потребляет мощности от источника питания, так как нагрузкой обычно является высокоомное сопротивление нагрузочного МДП-транзистора. Однако в процессе переключения схемы при E>U01 + \U02\ открывается транзистор F7\, a VT2 еще не успевает закрыться, т..е. в течение какого-то времени оба транзистора открыты. В схеме возникает нежелательный бросок сквозного тока, приводящий к помехам по цепи источника питания и резкому возрастанию потребляемой мощности.

Удельные объемное и поверхностное сопротивления материала вычисляют по общим формулам. При измерении больших значений необходимо высокоомное сопротивление R0 порядка 1012 Ом. Для измерительной техники выпускаются композиционные резисторы таких номиналов. Если постоянная электрометра Сэ = 10~г В/мм, а напряжение при испытаниях материала U = 1000 В, то при R0 = 1012 Ом доступное измерению значение Rx определится следующим образом:

Емкость Ск gap в большинстве транзисторов относительно невелика (единицы ил-и десятки пикофарад), однако ее сопротивление (конечное на не слишком низких частотах) шунтирует высокоомное сопротивление коллекторного перехода и поэтому влияние емкости Ск бар может быть весьма существенным.

в цепи эмиттера. Емкость Ск коллекторного перехода включена в схему потому, что она шунтирует высокоомное сопротивление этого перехода.

при выполнении которого обеспечивается запирание диода при насыщении транзистора. Необходимо иметь в виду, что при чрезмерно большом сопротивлении RM (разумеется, в пределах /?Kl -f- /?„2 = 8 кОм) длительность фронта выходного импульса увеличивается, так как при отпирании транзистора диод быстро запирается и емкости С„ и Ск перезаряжаются через сравнительно высокоомное сопротивление RK = RKI + RKZ- Поэтому сопротивление RKl следует выбирать таким образом, чтобы во время формирования фронта диод оставался открытым и емкости С„ и Сн перезаряжались через низкоомную цепь /?„2 ДЕф. Это требование можно выполнить, рассчитав сопротивление резистора RK) так, чтобы ток через диод

Емкость Ск gap в большинстве транзисторов относительно невелика (единицы ил-и десятки пикофарад), однако ее сопротивление (конечное на не слишком низких частотах) шунтирует высокоомное сопротивление коллекторного перехода и поэтому влияние емкости Ск бар может быть весьма существенным.

в цепи эмиттера. Емкость Ск коллекторного перехода включена в схему потому, что она шунтирует высокоомное сопротивление этого перехода.

Е том случае, когда значения Л^ или Х2 соответствуют логическому «О», отпирающий ток в цепь базы Т2, как было показано, не поступает; указанный транзистор заперт. При запертом Т2 транзистор Т4 также заперт. В этом случае на резисторе Ra падение напряжения близко к нулю и транзистор Tt заперт за счет того, что его база соединена с эмиттером через резистор малой величины R3. Запертый транзистор Т4 образует высокоомное сопротивление в цепи эмиттера Т3. Транзистор Т3 в данном состоянии схемы открыт, поскольку его база через резистор R2 связана с клеммой «плюс» источника Е. Каскад на Т3 работает в режиме змиттерного повторителя, создавая на выходе высокий уровень напряжения, меньший напряжения и6а на еоЛз+еол. Этот уровень соответствует уровню логической «1» выходного напряжения. Потребление тока в выходной цепи ненагруженного сложного инвертора благодаря выключению транзистора Г4 по-прежнему очень мало. Ток эмиттера Т3 существенно отличается от нуля только при наличии нагрузки К„, включенной между выходом схемы и корпусом. При наличии такой нагрузки ток эмиттера Т3 в статическом состоянии равен току нагрузки.

1 — баллоны с горючим газом и воздухом; 2 — смеситель; з — осушитель; 4 — стабилизатор напряжения; 5 — образцовый манометр; 6 — ртутный манометр; 7 — источник высокого напряжения (АИИ-70); 8 — электростатический вольтметр; 9 — высокоомное сопротивление; ю — измеритель емкости; 11 — система воздушных конденсаторов; 12 — фторопластовый изолятор; IS — электрод (высоковольтный); 14 — ионизатор; is — предохранительный клапан; 16 — камера; 11 — микрометрическая головка (или индикаторная головка); 18 — счетное устройство; 19 — вакуумнасос.

межутку. Зарядка конденсатора производится от АИИ-70 через высокоомное сопротивление 8 (109—1012 Ом). Для предотвращения пробоя сопротивление помещается в стеклянную U-образную трубку, заполненную парафином. Сопротивление 8 служит также для ограничения зарядного тока конденсатора во время пробоя промежутка и обеспечения безопасности при случайном прикосновении к высоковольтному электроду.

называется катодным (эмиттерным) повторителем. Схемы 5-12, б используются для согласования высокоомного источника сигнала с низкоомной нагрузкой.

Таким образом, эмиттерный повторитель имеет большое входное и малое выходное сопротивления. Поэтому его применяют для согласования высокоомного источника усиливаемого сигнала с низкоомным нагрузочным устройством.

повторитель обладает большим входным и малым выходным сопротивлениями. Следовательно, его коэффициент усиления по току может быть очень высоким. Эмиттерный повторитель обычно применяют для согласования высокоомного источника усиливаемого напряжения с низкоомным нагрузочным устройством. В усилительных каскадах с общим коллектором температурная стабилизация обеспечивается основным резистором Ra, включенным в эмит-терную цепь.

Униполярные транзисторы находят широкое применение во входных устройствах усилителей при работе от высокоомного источника сигнала, в регуляторах уровня сигнала, в чувствительной по току измерительной аппаратуре, импульсных схемах.

Как отмечалось ранее, постоянство рабочей точки зависит от элементов делителя и звена стабилизации. Расчеты показывают, что значительное улучшение стабильности одиночного каскада (см. 9.7, а) возможно лишь при условии, что база получает питание от низкоомного источника - источника напряжения, а эмиттер — от высокоомного источника — источника тока. Однако сопротивление резистора Яэ нельзя выбирать высокоомным, так как потеряется часть напряжения на транзисторе; с другой стороны, сопротивление делителя R1R2 не должно быть низкоомным, так как при этом сильнее шунтируется входная цепь транзистора и, кроме того, увеличивается потребляемая мощность.

Сопротивление нагрузки в усилителе включается в эмиттерную цепь транзистора. Такая структура схемы обладает повышенным входным и пониженным выходным сопротивлениями, что позволяет использовать ее для согласования или разделения высокоомного источника напряжения и низко-омной нагрузки.

тель работает от высокоомного источника сигнала на высоко-омную нагрузку, влиянием конденсаторов Cpi и Ср2 можно пренебречь и условие малости величины ОС запишется следующим образом:

вых транзисторов с максимальным коэффициентом усиления по току. Транзисторы для получения малых токов базы должны работать в режиме микротоков и обеспечивать при этом высокий коэффициент усиления каскада. В эмиттере должен быть задан весьма стабильный ток с помощью высокоомного источника. Питание каскада должно осуществляться от двух источников питания с различной полярностью для того, чтобы потенциал баз транзисторов мог быть нулевым относительно общей шины. Как видно из приведенного выше, для реализации описанной схемы необходимо наличие стабильного генератора тока и высо-коомных сопротивлений. Трудность изготовления высокоомных сопротивлений в интегральном исполнении (они занимают большую площадь и мало стабильны) приводит к необходимости использования динамических нагрузок, выполненных на транзисторах. Они при весьма малом падении постоянного напряжения на них обладают сопротивлениями, величина которых близка к дифференциальному сопротивлению закрытого коллекторного перехода.

боте в колебательном режиме, когда образуются выбросы, т > 0,25. Высшую граничную частоту можно оценить по формуле /„ = 0,35/?„. При работе от высокоомного источника (Rr > r3i + с61) для расчета коэффициента усиления А', можно воспользоваться приближенным выражением

Схема усилительного каскада ОК показана на 7.16. Нагрузка в усилителе включается в эмиттерную цепь транзистора. Такая схема обладает повышенным входным и пониженным выходным сопротивлениями, что позволяет использовать ее для согласования или разделения высокоомного источника напряжения и низкоомной нагрузки.

На 10.33 приведена схема последовательного триггера Шмитта. Если для параллельного триггера необходим источник питания с малым собственным сопротивлением, то последовательный триггер требует высокоомного источника. Основным назначением схемы последовательного триггера Шмитта является сравнение амплитуд токов. Она является более экономичной, так как в исходном состоянии оба транзистора закрыты.