Высокочастотное распыление

12.12 (О). Варактор имеет параметры: ?0=4 пФ, Ь2 = 0.25 пФ/В2. К варактору приложено высокочастотное напряжение с амплитудой Um=OA В. Определите, во сколько раз возрастет амплитуда первой гармоники тока /ь если величина Um станет равной 3 В.

Структурная схема универсального вольтметра приведена на 10.7. При измерении постоянного напряжения (положение „{/_" переключателя Я) прибор имеет структурную схему 10.5, а, при измерении переменного напряжения (положение „?/~") — схему 10.6, а. При этом высокочастотное напряжение подается непосредственно на детектор, размещенный в выносном узле прибора (пробнике), соединенном кабелем с корпусом

8.13. На базу транзистора с вольт-амперной характеристикой, представленной на 8.3 (при 5=50 мА/В и Ul =0,5 В), подается высокочастотное напряжение с постоянной амплитудой и регулируемое напряжение смещения U0. Найти зависимость амплитуды первой гармоники коллекторного тока /t от U0 (так называемую статическую модуляционную характеристику). Построить характеристики /, (t/o) для ?=0,4 В и ?=0,2 В.

10.2. На цепь, состоящую из последовательно соединенных резистора г и параметрического резистора R (f), сопротивление которого изменяется по закону R(t) = R0/(l +Mcos?lt), воздействует высокочастотное напряжение е (t) = Ecos (оо0/ + ф). Выявить структуру тока в цепи при условии r<^R0 и fi<§:coo.

Типовая схема амплитудного детектора радиовещательного приемника приведена на 5.10, а. С помощью графиков ( 5.10, б) рассмотрим процессы, происходящие в схеме детек-, тирования. На вход детектора подается модулированное по амплитуде высокочастотное напряжение U0. Ток, протекающий через детекторный диод Д, зависит от величины приложенного к нему напряжения и от вида вольт-амперной характеристики ( 5.10,6).

параллельного контура C2—L. На этот контур подается высокочастотное напряжение от измерительного генератора Г, модулированное по частоте. Модуляция осуществляется механически при помощи двигателя М. Когда переключатели находятся в левых положениях, ячейка С0 включена в измерительный контур, а вспомогательный конденсатор переменной емкости С1 подключен к задающему контуру отсчетного генератора Г0. С-детектора Д напряжение частоты модуляции поступает на фазочувствительный усилитель У/, управляющий двигателем Ml конденсатора С2. Этим конденсатором контур настраивается в резонанс с частотой со генератора Г. Затем устройство управления автоматически подключает к контуру вместо ячейки конденсатор С/, а к выходу усилителя У/ —двигатель М2. Емкостью конденсатора С1 автоматически замещается в контуре емкость ячейки, т. е. емкость конденсатора С1 устанавливается равной емкости ячейки. При очередном подключении ячейки к контуру конденсатор С1 подключается к от-счетному генератору Г„ и частотомером ИЧ измеряется его частота. По изменению частоты определяется диэлектрическая проницаемость. Тангенс угла диэлектрических потерь tg б определяется по относительному изменению напряжения на измерительном контуре Д?/Х/С/0, где U0 — амплитуда напряжения при пустой ячейке; Шх — изменение напряжения после заполнения ячейки иссле-дуемым веществом. Напряжение на контуре измеряется автоматическим компенсационным методом при помощи фазочувствительного усилителя У2, двигателя МЗ и переменного резистора R.

Процесс непрерывно-последовательной сварки термопластов употребляется для сварки оболочек из тонкого пластиката. Сварочное устройство состоит из двух роликов, между которыми зажимается и проходит с заданной скоростью свариваемая пленка. Нижний, заземленный ролик является ведущим. К роликам подключено высокочастотное напряжение. Верхний электрод-ролик имеет диаметр 25—30 мм и ширину 2—4 мм, а нижний — диаметр 60 мм и ширину около 10 мм. Иногда применяют сдвоенную систему из параллельно расположенных пар роликов для получения особо прочного двойного шва.

Энергия для питания может быть также получена за счет электромагнитного поля высокой частоты близлежащих радиостанций с помощью соответствующей антенны. Высокочастотное напряжение, полученное из антенны, выпрямляется, а затем фильтруется простыми малогабаритными фильтрами. Все питающее устройство имеет небольшие рашеры.

потенциалов, имеющихся при работе усилителя на активных элементах. При подаче на вход модулятора М входного сигнала низкой частоты (постоянного напряжения, в частности) модулятор преобразует его в высокочастотное напряжение с амплитудой и фазой, определяемой входным сигналом ?/вх, это напряжение подводится к усилителю К, усиливается им и после фазочувствительного детектирования и фильтрации в демодуляторе ФДМ поступает на выход, появляется усиленный сигнал ^вых, повторяющий входной сигнал по форме и фазовым соотношениям. При такой структурной схеме усилителя дрейф нуля усилителя зависит только от модулятора, который может быть выполнен на весьма стабильных контактных или бесконтактных элементах.

Структурная схема автогенераторного усилителя постоянного тока, или УПТ—УГ (управляемый генератор), показана на 4.23, в. Это простейшая из схем: в ней отсутствует самостоятельный генератор ГОН, на выходе используется амплитудный детектор. Принцип работы схемы заключается в следующем: входное преобразующее устройство (модулятор) М и усилитель К переменного напряжения охвачены цепью частотно-избирательной ОС. С помощью входного сигнала UEX изменяют глубину и знак обратной связи, охватывающей усилитель. В том случае, если глубина связи оказывается достаточной и она положительна, на выходе усилителя возникают высокочастотные автоколебания, частота которых определяется параметрами частотно-избирательной цепи. Амплитуда колебаний при прочих равных условиях однозначно определяется величиной входного сигнала UEX. Подключенный к выходу усилителя переменного напряжения амплитудный детектор преобразовывает высокочастотное напряжение в постоянное ?/„ыХ.

В установке на 2.15 это достигается тем, что мишень 4 представляет собой диэлектрический слой, нанесенный на металлическую пластину, некоторую помимо постоянного подают переменное высокочастотное напряжение большой амплитуды со стандартной частотой 13,56 МГц. При отрицательном напряжении мишень бомбардируется положительными ионами и распыляется, при положительном — на мишень поступает поток электронов, нейтрализующих заряд ионов (распыления нет из-за малой массы и энергии электронов).

наличия пленочных пассивных элементов; условий теплоотвода; степени интеграции бескорпусных ИМС. ' При отсутствии пассивных элементов, использовании бескорпусных транзисторов и ИМС о гибкими выводами в качестве изоляционных материалов применяют окислы металлов А12О3, Та2О5, SiO, SiO2. Для получения таких пленок используют анодирование, термовакуумное напыление, реактивное ц высокочастотное распыление.

Высокочастотное распыление. Рассмотренные выше методы распыления на постоянном токе применяют для напыления металлических и полупроводниковых материалов. В случае диэлектрической мишени попадающие на нее положительные ионы не могут нейтрализоваться электронами из внешней цепи; в результате потенциал мишени повышается и процесс прекращается. Поэтому для распыления диэлектрической мишени необходимо периодически менять знак потенциала на ней.

Вертикальные блоховские линии 274 Вертикальные МДП-структуры 93 Высокочастотное распыление 29

Одной из основных разновидностей методов катодного распыления является высокочастотное распыление, которое используется главным образом для получения диэлектрических пленок. Этот метод позволяет нейтрализовать заряд, который накапливается на диэлектрике в результате его бомбардировки ионами, и обеспечить интенсивное распыление диэлектрика.

Высокочастотное распыление. В процессе обычного катодного и ионно-плазменного распыления "предполага-

Высокочастотное распыление удобнее выполнять по трехэлектродной схеме, так как в двухэлектродной схеме в полупериод положительного потенциала на катоде имеет место распыление анода и пленки на подложке.

Для получения пленок диэлектриков и полупроводников применяют высокочастотное распыление, так как в диодных системах на постоянном токе поверхность катода заряжается положительными ионами и дальнейшая бомбардировка катода прекращается. Поэтому распыление проводят при переменном ВЧ напряжении. При отрицательной полуволне напряжения на диэлектрическом катоде происходит обычное катодное распыление, при положительной полуволне напряжения накопленный на катоде положительный заряд нейтрализуется вытягиваемыми из плазмы электронами.

Высокочастотное распыление. В процессе обычного катодного и ионно-плазменного распыления "предполага-

Высокочастотное распыление удобнее выполнять по трехэлектродной схеме, так как в двухэлектродной схеме в полупериод положительного потенциала на катоде имеет место распыление анода и пленки на подложке.

Высокочастотное распыление. Разряд на постоянном токе нельзя использовать для распыления диэлектрических материалов, так как электроны должны непрерывно уходить с мишени во внешнюю цепь. Поэтому мишень должна быть проводящей. Это ограничение снимается при проведении разряда на переменном токе достаточно высокой частоты, именно такой, при которой за половину периода высокочастотного напряжения, приложенного к электродам Э1 и Э2 ( 2.7) электроны не успевают пройти расстояние между анодом и катодом (обычно это частота 10—50 МГц). В этом случае электроны попеременно движутся то к электроду Э1, то к электроду Э2, производя на своем пути ионизацию газа. Для поддержания стационарного характера разряда необходимо, чтобы за время своей жизни каждый электрон произвел в среднем одну ионизацию. Роль электродов Э1 и Э2 сводится теперь лишь к созданию поля в газо-- разрядном промежутке, и их можно в принципе вынести за пределы разрядной камеры. В установках высокочастотного распыления эти электроды покрываются мишенями Ml и М2 из распыляемого диэлектрика.