Выражением полученным

операционного усилителя, либо к общей шине. Все резисторы объединены в матрицу типа R — 2R, имеющую постоянное входное сопротивление со стороны источника опорного напряжения. Здесь образуется также цепь обратной связи, а выходное напряжение определяется выражением, аналогичным (10.1):

Термоэлектронная эмиссия с поверхности полупроводника в вакуум определяется выражением, аналогичным (4.4), однако влияние температуры, электрического поля, примесей в эмиттере и т. д. на эмиссионный ток и величин %, А в этом случае будет существенно иным, чем в металлах.

В данном случае каждое значение о,,, определяется выражением, аналогичным (4.12), и может быть минимизировано независимо от других комплексов элементов.

Простую итерацию можно описать комплексный матричным выражением, аналогичным (3.48) :

Для сети переменного тока метод Зейделя определяется аналогичным комплексным выражением:

Коэффициент передачи тока реального транзистора. Учесть одновременно все факторы, влияющие на частотные свойства реального транзистора, крайне сложно. Для оценки частотных свойств можно считать, что полный коэффициент передачи тока транзистора равен произведению коэффициентов передачи, определяемых процессами в отдельных областях. Тогда, аппроксимировав Л21б выражением, аналогичным (4.78), получим

Обычно Z)1<0,1, Z)2<0,1, D3 < 0)5 и D'3 <"0,5. Поэтому DJ)J)3 <; 1, D2D'3 < 1 и в большинстве практических случаев для пентода можно пользоваться упрощенным выражением, аналогичным соотношению (4-4) для тетрода,

Обычно Z)1<0,1, Z)2<0,1, D3 < 0)5 и D'3 <"0,5. Поэтому DJ)J)3 <; 1, D2D'3 < 1 и в большинстве практических случаев для пентода можно пользоваться упрощенным выражением, аналогичным соотношению (4-4) для тетрода,

В данном случае каждое значение avl определяется выражением, аналогичным (4.12), и может быть минимизировано независимо от других комплексов элементов.

:1) Характер частотной и фазовой характеристик в области нижних частот у реостатно-траисформаторного каскада определяется коэффициентом dH, при значении которого меньше У 2 «а частотной характеристике появляется подъём; величина последнего растёт с уменьшением dH. Связь между коэффициентом частотных искажений Мн на частоте максимального подъёма и значением dH определяется выражением, аналогичным i(5.125)

По, отношению к экранирующей сетке Сэ и R3 включены па-ралельно; поэтому Z3 .определится выражением, аналогичным выражению для ZK в ф-ле (7.60). Подставив значение 2Э в (7.68), нетрудно методом, использованным для получения выражений (7.62) и (7.63), получить формулы для определения относительного усиления У3 и Угла сдвига фазы фг в области нижних частот от влияния цепочки С ЭКЭ:

Как видим, результат совпадает с выражением, полученным методом присоединенной схемы.

Этот результат совпадает с выражением, полученным выше методом присоединенной схемы.

а) пользуясь выражением, полученным из неравенства Чебышева для вероятности выхода годных схем;

б) пользуясь выражением, полученным в предположении нормального распределения эмпирической оценки вероятности выхода годных схем.

кладкой — алюминий толщиной от 5000 А до 1 мкм. Емкость такого конденсатора определяется выражением, полученным для плоского конденсатора:

что совпадает с выражением, полученным раньше. Следовательно,

Воспользуемся для вычисления электромагнитной силы выражением, полученным в предположении, что ik = const. Имеем

Связь между током нагрузки и выпрямленным напряжением определяется формулой (8.1 1), где вместо ?/0« следует подставить противо-э. д. с. Е0. Внешние характеристики выпрямителя при LQ-+OO совпадают с приведенными на 8.19. При заданной э. д. с. Eg средний ток нагрузки определяется выражением, полученным из формулы (8.1 1) :

Следовательно, плотность полного тока в полупроводнике определяется выражением, полученным подстановкой (2.11) и (2.12) в (2.1), т.е.

Сравним последнее выражение для тока с выражением (**), полученным при действии в цепи последовательности импульсов конечной длительности. Разложим экспоненту еГп1\ входящую в решение (**), в ряд Тейлора при Тн > 0 и удержим в разложении только два первых члена ряда:

Для нахождения величин Нхь = Н2а воспользуемся выражением, полученным при решении упр. 1:



Похожие определения:
Вызванный действием
Вызванное увеличением
Важнейших характеристик
Важнейшими параметрами
Вакуумные выключатели
Вакуумная обработка
Валентные электроны

Яндекс.Метрика