Выражениями полученными

Количество выбросов отдельных вредных примени определяется из выражений, приведенных ниже.

Как видно из выражений, приведенных выше, энергетическая и потенциальная функции отличаются только знаком. Та и другая характеризуют работу, совершаемую силами взаимодействия контура тока с магнитным полем, причем первая определяется работой, совершаемой силами поля, а вторая — работой, совершаемой внешними силами против сил поля.

В этом случае напряженность поля в теле магнита направлена против индукции; в литературе она трактуется как напряженность поля фиктивных магнитных масс, наведенных на концах магнита. Из выражений, приведенных выше, видно, что эта напряженность равна NJ.

и параметры транзистора. Это и понятно, так как с изменением температуры меняются такие важнейшие величины, как концентрация свободных носителей, подвижность частиц, коэффициенты диффузии, вероятность рекомбинации и др. Зависимости этих величин видны из соответствующих выражений, приведенных

и параметры транзистора. Это и понятно, так как с изменением температуры меняются такие важнейшие величины, как концентрация свободных носителей, подвижность частиц, коэффициенты диффузии, вероятность рекомбинации и др. Зависимости этих величин видны из соответствующих выражений, приведенных

выражений, приведенных в §5-1. В качестве примера на 5-6 показаны схема электроснабжения и ее схема замещения для токов высших гармоник.

При расчетах высших гармоник составляют схему замещения системы электроснабжения, где вентильные преобразователи замещаьот источниками токов бесконечной мощности, амплитуды и фазы которых определяют из выражений, приведенных в л § 5.5, а. В качестве примера на 5.16 показана схема электроснабжения и схема замещения токов высших гармоник. Элементы системы электроснабжения замещают активными и индуктивными сопротивлениями, а кабельные, воздушные линии и электрическую систему, кроме того, — емкостными сопротивлениями.

Расчетные выражения для симметричных составляющих токов и падений напряжений в месте продольной несимметрии, вызванной включением сопротивления в одну или две фазы, сведены в табл. 15-1. Разрыв одной или двух фаз является частным случаем такой несимметрии; расчетные выражения для него получают из выражений, приведенных в табл. 15-1, полагая Z=oo.

При наличии в узле сети генерирующих источников гармоник для полученной схемы СУ с помощью выражений, приведенных в табл. 2.198, следует проверить, не возникают ли при выбранных параметрах резо-нансы токов на каких-либо частотах.

Из выражений, приведенных выше, ясно, что, когда величина Tiv действительна, корреляционная реактивная проводимость равна нулю и, следовательно, минимальный коэффициент шума можно получить при чисто резистивном источнике. Очевидно, что это не выполняется, когда Ytv комплексна, т. е. когда корреляционная реактивная проводимость не равна нулю. Тогда шумовая регулировка, которую можно осуществлять при фиксированной частоте шунтирующей индуктивностью L=l/coSc, включенной параллельно резистивному источнику, может привести к значительному ослаблению коэффициента шума четырехполюсника.

В состав выражений, приведенных в табл. П1.1, входит дробная функция 0а(0 или 0а(г—т), синхронная с fa{t) или fa(t—т) и рассчи-тываемая по формуле [38, 39]

Решение. Воспользовавшись выражениями, полученными при решении задачи 3.37, найдем

Пользуясь выражениями, полученными из (6.13) для различных фигур (см. табл. 6.1), можно рассчитать проводимость промежутка полюс — плоскость ( 6.14,6):

ных фигур и по методу экспериментальных данных для других. Кроме того, часто пользуются выражениями, полученными для разных фигур аналитическим способом по упрощенному изображению поля. Например, для проводимости GM1 выделенной фигуры ( 6.15, а) можно получить:

Выражения для коэффициента фазы, фазовой скорости и волнового сопротивления линии без потерь совпадают с выражениями, полученными для линии без искажений. Следовательно, все сказанное о линии без искажений полностью относится и к линии без потерь.

Выражения для коэффициента фазы, фазовой скорости и волнового сопротивления линии без потерь совпа-^ дают с выражениями, полученными для линии без искажений. Следовательно, все сказанное о линии без искажений полностью относится и к линии без потерь.

Из приведенного анализа каскадов с эмиттерной и ис-токовой связями следует, что для расчета основных параметров усилительных каскадов на нескольких транзисторах (сложных каскадов) можно пользоваться выражениями, полученными для простейших одиночных ре-зисторных каскадов.

Относительное базовое сопротивление, если базовые условия отличны от номинальных, можно определить по известному относительному номинальному сопротивлению, пользуясь выражениями, полученными из (3.21) и (3.24):

Сравнение формул (15.93) — (15.95) с выражениями, полученными при условии ZB = р, показывает, что:

организации расчетов по метопу последовательных приближений. За начальные приближения доминирующих параметров могут приниматься значения, определяемые выражениями, полученными на основе прибли-

Из рисунка 9.8 видно, что в этом случае мы также можем воспользоваться выражениями, полученными нами выше. Режим разрывных токов для чопперной схемы нежелателен, поэтому следует выбирать индуктивность дросселя фильтра такой, чтобы его избежать. Проверочное условие для величины индуктивности дросселя:

Т'а, находящихсяв тепловом контактес горячимии холодными спаями, дается выражениями, полученными в работе [2]:

Для того, чтобы рассчитать динамические параметры транзисторного ключа переменного тока, можно воспользоваться выражениями, полученными для времен включения, рассасывания, выключения, (4.6), (4.12), (4.14) и табл. 4.1. Во все эти выражения входят постоянные времени фронта, рассасывания, спада, которые определяются свойствами конкретного транзистора, и хотя их и можно связать с параметрами транзистора, приводимыми в справочниках и технических паспортах, лучшие результаты здесь получаются, если импульсные параметры транзисторов измерять экспериментально по методике, изложенной в [1]. На 4.1 приведены зависимости времен включения, рассасывания и выключения от фазы переключения на полупериоде тока нагрузки.