Выращиваемого кристалла

Возможности древних систем связи возросли с изобретением водяного телеграфа, Передача сообщений в водяном телеграфе Энея Тактик» происходила с помощью сигнального сосуда, имеющего перекрываемое выпускное отверстие в нижней части. В сосуде, заполненном водой, помещался пробковый попчавок, на котором укреплялась разграфленная линейка. В каждой ее графе находился определенный текст. Это позволило расширить количество передаваемых сообщений, хотя оно и оставалось ограниченным

Для передачи сообщения каждый сигнальный сосуд наполняли водой доверху. Сигналом вызова, оповещающим о предстоящей передаче, служил факел, зажженный на одной из башен. Наблюдатель на второй башне, заметив вызов, зажигал свой факел. По этому сигналу оба наблюдателя одновременно открывали выпускные отверстия сосудов, после чего факелы убирали. Когда на опускающейся линейке графа с нужным сообщением достигала верхнего края сосуда, первый наблюдатель сигнализировал факелом. По этому сигналу второй наблюдатель закрывал выпускное отверстие сосуда, в котором поплавок с линейкой опустился до того же уровня. Телеграмма принята!

возникают при неправильных значениях параметров канала связи. Неправильные же значения параметров могут получиться и по вине инженера-исследователя, который не заметил, что скорость истечения воды из сигнальных сосудов будет разной при неодинаковой их форме, и по вине инженера-конструктора, который спроектировал сигнальный сосуд с таким быстрым истечением воды, что наблюдатель на приемной башне не успевает вовремя перекрыть выпускное отверстие, и по вине инженера-технолога, который не обеспечил повторяемости формы и размеров отверстий при производстве сигнальных сосудов, и по вине инженера-эксплуатационника, который, возможно, один из сигнальных сосудов установил не вертикально, а наклонно или залил в сосуд непроцеженную воду из мутной реки, вследствие чего засорилось выпускное отверстие.

Охлаждающий газ забирается из зазора с последующим выбросом нагретого газа обратно в зазор. При этом проводники / обмотки ротора выполняются сплошными прямоугольного сечения, а на боковых поверхностях их фрезеруются косые вентиляционные каналы 2. При работе генератора (вращении ротора) водород поступает в заборное отверстие 3 и, проходя по косому вентиляционному каналу до дна паза 4, выходит уже с другой стороны паза (катушки) в другой канал и через выпускное отверстие 5 попадает снова в зазор.

плотность, в глубинные слои моря, что приводит к принудительному смешиванию и разбавлению воды и, таким образом, обеспечивает регулирование ее температуры. Существует несколько вариантов этого метода. Согласно одному из них теплая вода сбрасывается по трубопроводу, выпускное отверстие которого опускается на глубину 10 м. Согласно другому— вода сбрасывается через трубу, помещенную под стенкой, стоящей перед водовы-пуском.

Технологическая схема работы электротехнологического комбината также не сложна. Сланцевая мелочь поступает с ленты конвейера в сушилку, работающую по принципу «кипящего слоя». Подсушку производят дымовые газы, пропускаемые через отверстия в нижней стенке сушилки. Частицы сланца, нагретого до 200 градусов, «выливаются» через выпускное отверстие в циклон, где отделяются от газов. Газы идут теперь к горелкам котла электростанции, а твердые частицы сланца поступают в смеситель. Сюда же подается раскаленная до 900 градусов зола.

Между корпусом и поплавком. Выделившийся конденсат накапливается в нижней части корпуса, и поплавок всплывает, закрывая иглой выпускное отверстие в вертикальной конденсатоотводной трубке. По мере накопления конденсата его уровень повышается, и, достигнув верхнего среза поплавка, конденсат переливается внутрь поплавка. Вес поплавка увеличивается, он теряет плавучесть и опускается, открывая выпускное окно конденсатоотводной трубки. Давлением пара конденсат вытесняется из поплавка, масса которого уменьшается, и он всплывает, закрывая выпускное отверстие седла.

Продуть выпускное отверстие в седле. Разобрать кон-дснсатоотводчик и устранить неисправность

Засорено выпускное отверстие в седле

При загрязненном конденсате периодически продувается выпускное отверстие седла. Если конденсатоотводчик расположен в таком месте, где возможно замерзание в нем конденсата, то после прекращения работы конденсат должен быть слит через нижний спускной кран. Кран закрывается только перед началом работы.

Выпускное отверстие насоса соединяется с форваку-

Сливной носок предназначен для слива готового металла. Он состоит из «постели», крепящейся к кожуху печи, желоба и сменной насадки. При сифонном сливе металла вместо носка применяют желоб укороченной конструкции ( 60.26). Выпускное отверстие системы эксцентрического донно-

Ортоферриты. Наиболее успешно монокристаллы ортоферритов различного состава выращивают на установках бестигельной зонной плавки с радиационным нагревом ( 15). Установка состоит из эллиптических отражателей / и 12, высокочастотного индуктора 6, кристаллизационной камеры 3 и контротражателя 9. В качестве источника света 11 используется галогеновая или ксеноновая лампа мощностью 1,15—3 кВт, которая находится в фэкусе эллиптического отражателя /. Особенностями установки являются равномерность температуры нагрева слитка, возможность работы под давлением в кристаллизационной камере до Ю7 Н/м2, высокотемпературный отжиг выращиваемого кристалла непосредственно в кристаллизационной камере, что способствует снятию термических напряжений.

Для снижения возникающих в растущем кристалле механических напряжений служит дополнительная индукционная печь, нагреваемая отдельным индуктором. Нагрев тигля и печи может осуществляться одним индуктором специальной формы, но в этом случае возникают трудности при проведении отжига выращиваемого кристалла.

1. Допущения Пфанна должны учитываться при рассмотрении взаимодействия рабочего расплава с кристаллом: диффузия в твердой фазе ничтожно мала; диффузия в жидкой фазе совершенна, т. е. примесь в объеме рабочего расплава распределена равномерно; концентрация примеси в подпитывающем рабочий расплав кристалле или расплаве в ходе кристаллизационного процесса постоянна; эффективный коэффициент распределения примеси в ходе кристаллизационного процесса постоянен, площадь поперечного сечения выращиваемого кристалла в ходе кристаллизационного процесса сохраняется постоянной.

где S — площадь поперечного сечения выращиваемого кристалла, ом3; остальные обозначения те же, что и в уравнениях (4.4) и (4.5).

Проще всего легирование рабочего расплава в методе? зонной плавки осуществляется нелетучими примесями, вводимыми в элементарной форме или в виде лигатур в расплав первой зоны. Если подпитывающий ее кристалл легирован, то целевая загрузка создает в первой зоне предельное распределение, при котором концентрация примеси по> длине выращиваемого кристалла сохраняется постоянной. [см. 4.13 и уравнение (11) в табл. 6].

Однако рассмотренные схемы регулирования высокочастотного генератора не могут решить всех задач, возникающих при управлении процессами производства полупроводниковых материалов. Например, при бестигельной зонной плавке кремния необходимо управлять диаметром выращиваемого кристалла. В связи с этим приходится создавать новые контуры регулирования с перекрестными связями и разрабатывать новые типы датчиков, способных учитывать изменение нагрузки.

На 53 показано несколько вариантов концентратора. Он представляет собой диск из графита или стеклоуглерода с системой прорезей, позволяющей управлять распределением тока в концентраторе, а следовательно, его температурой и электромагнитным полем над зеркалом расплава. При выборе формы прорезей концентратора стремятся обеспечить в формируемом столбике расплава вблизи фронта кристаллизации температурное поле с изотермами, повторяющими профиль выращиваемого кристалла, что необходимо для получения кристалла, хорошо воспроизводящего конфигурацию, задаваемую формообразова-телем [73]. Прорези, показанные на 53, 6, выравнивают температуру концентратора вдоль контура его центрального окна, а показанные на 53, д способствуют снижению температуры на узких гранях этого окна. Концентраторы без сплошной радиальной прорези ( 53, а, б, ж) экранируют расплав от магнитного поля, что снижает выделение в нем тепла Джоуля. Концентраторы вида "в" — "е" ( 53), наоборот, практически не препятствуют доступу магнитного поля индуктора к расплаву, лишь корректируя его распределение по поверхности последнего.

При зонной электронно-лучевой плавке обычно после 1—2 проходов зоны получаются монокристаллы в общем случае произвольной ориентации. Однако преимущественным направлением роста и соответствующей осью выращиваемого кристалла является направление <001>. Для приготовления монокристаллов любых других ориентации применяют монокри-сталльные затравки соответствующей ориентации [21, 125].

Для монокристаллов молибдена плазменно-дуговой плавки наблюдаются значительно более мелкие субзерна (порядка 1 мм), чем при электронно-лучевой зонной плавке. Более развитая субструктура и большая плотность дислокаций монокристаллов молибдена плазменно-дуговой плавки — результат-значительных температурных градиентов и скорости охлаждения выращиваемого кристалла. Монокристаллы молибдена, полученные рекристаллизационными методами, характеризуются более совершенной субструктурой и меньшей плотностью дислокаций даже по сравнению с монокристаллами электроннолучевой вакуум-зонной плавки [125].

Подробно расчеты легирования при выращивании монокристаллов даны в работе [173]. Практически у всех легирующих элементов, используемых при получении монокристаллов кремния, k < 1, поэтому расчет необходимого количества лигатуры ведут так, чтобы на верхнем торце выращиваемого кристалла получить УЭС, равное максимальному значению, допустимому для кремния выращиваемой марки.

симо от авторов указанных патентов такой прием был практически одновременно разработан в СССР и внедрен в практику промышленного производства в 1965 г.) В этом варианте обеспечивались надежный прогрев и проплавление стержня, минимальная асимметрия электромагнитного поля индуктора и возможность значительного увеличения диаметра выращиваемого кристалла. В настоящее время усовершенствованный вариант такой плавки широко распространен при получении стержней > 100 мм ( 135, б).