Вследствие зависимости

нулю, и процесс начинается снова. В действительности вследствие затухания значения напряжений и токов отраженных волн быстро уменьшаются и вдоль линии устанавливаются напряжение и и ток, равный нулю.

Если линия разомкнута на конце, ток в конце линии равен нулю и это уменьшение тока до нуля распространяется от конца линии в обратном направлении — волна отражается с переменой знака. Волна напряжения отражается без перемены знака, и напряжение на конце линии возрастает до удвоенного ( П1-23, в). Увеличение напряжения до двойного распространяется от конца линии. К моменту времени возвращения волн напряжение в начале линии будет удвоенным, а ток — равным нулю. Дальнейшее рассмотрение процесса показывает, что после отражения волн от источника энергии и последующего прихода отраженных волн от конца линии напряжение и ток линии устанавливаются равными нулю, и процесс начинается снова. В действительности вследствие затухания значения напряжений и токов отраженных волн быстро уменьшаются и вдоль линии устанавливаются напряжение и и ток, равный нулю.

В переходных режимах и особенно при аварийной ситуации, например при коротких замыканиях, возможны броски тока, во много раз превышающие номинальные значения. Длительность этих бросков обычно невелика, они прекращаются или вследствие затухания переходного процесса, или вследствие защитного отключения. Для металлического контакта они не представляют опасности. Иначе обстоит дело с полупроводниковым контактом, который представляет собой кристалл полупроводника объемом не более десятков кубических миллиметров и поэтому с малой теплоемкостью. При внезапном увеличении тока, т. е. мощности

Действие очередного импульса тока на контур эквивалентно толчку, который несколько увеличивает амплитуду и «подправляет» фазу колебаний. В стационарном режиме приращение ампли-.туды под действием толчков точно компенсирует уменьшение амплитуды вследствие затухания, и приращение фазы за время действия импульса компенсирует отклонение фазы, которое происходит за время между импульсами. В результате амплитуда напряжения на контуре умножителя оказывается модулированной по пилообразному закону, что соответствует экспериментальным осциллограммам.

В переходных режимах и, особенно, при аварийной ситуации, например при коротких замыканиях, возможны броски тока, во много раз превышающие номинальные. Длительность этих бросков обычно невелика, они прекращаются или вследствие затухания переходного процесса, или вследствие защитного отключения. Для металлического контакта они не представляют опасности. Иначе обстоит дело с полупроводниковым контактом, который представляет собой кристалл полупроводника объемом не более десятков кубических миллиметров и поэтому с малой теплоемкостью. При внезапном увеличении тока, т. е. мощности потерь, теплота не успевает отводиться от кристалла к охладителю. Поэтому кристалл, в котором выделяется эта теплота, начинает нагреваться с большой скоростью. Так как допустимая температура нагрева кристалла невелика — от 160 до 200 °С, то полупроводниковый прибор может очень быстро выйти из строя. Поэтому одним из важных показателей кратковременной перегрузочной способности прибора является величина

Электродвижущая сила Е этого источника энергии разделится между двумя сопротивлениями: сопротивлением заземления и сопротивлением растекания с подземного сооружения. В результате в точке А на подземное сооружение будет дай потенциал Ф0. Этот потенциал будет затухать по мере удаления от точки А (штриховая линия 2). В результате на.подземном сооружении установится новая кривая распределения потенциала (толстая сплошная линия 3), ординаты которой равны сумме ординат предыдущих кривых. Как видно, и сама анодная зона уменьшилась, и уменьшился анодный потенциал. Из 10.7 видно, во-первых, что вследствие затухания потенциала катодной защиты большую роль играет расположение источника энергии и, во-вторых, что при достаточно протяженном подземном сооружении для снятия анодных потенциалов приходится устанавливать ряд катодных станций, с соответственно выбранным расстоянием между ними. Оказывает влияние и расположение заземления относительно подземного сооружения.

В действительности через полперирда токи вследствие затухания уже несколько уменьшатся и вместо 2Ет будет фигурировать несколько меньшая величина. Кроме того, по ГОСТ 183—74 допускается работа генератора при U = 1,05 L^,. Поэтому в СССР принято пользоваться формулой

Хотя Тгаш
она полностью компенсируется апериодической составляющей циркулируюицс-!О тока, возникающего в кожухе. По vfcpe затухания последнего составляющая Mai нитной индукции увеличивается, достигает максимального значения и за-]см уменьшается вследствие затухания апериодической составляющей гока КЗ { 8.4, кривая B.J. Проникновению ма! нитно! о поля в кожух фазы В препятствуют апериодические вихревые токи, появляющиеся в этом кожухе. Максимальное значение индукции в кожухе фазы В от апериодической составляющей тока КЗ зависит от постоянной времени Т.л и постоянных времени контуров циркулирующих и вихревых токов. В ряде выполненных токопроводов максимальная индукция внутри кожухов приблизительно в 4 'раза меньше соответствующего значения индукции при отсутствии кожухов. Соответственно уменьшается электродинамическая сила па проводники.

2Um, а скорость восстановления напряжения весьма велика. Не учтены также стекание заряда с емкости и затухание свободных колебаний. В эксплуатации наблюдаются случаи повторных зажиганий дуги при отключении ненагружен-ных линий, сопровождающихся последовательным повышением напряжения на емкостях, хотя вследствие затухания свободных колебаний максимальное напряжение редко превышает 4С/ф. Наилучший способ устранения этих перенапряжений заключается в создании такой конструкции выключателя, при которой последний выдерживал бы напряжение ucimax — Um cos cot, появляющееся на разрыве после первого погасания дуги. Удовлетворить это требование тем труднее, чем большее напряжение приходится на каждый разрыв выключателя. Согласно ГОСТ 12450-82 выключатели должны отключать указанные ниже токи ненагруженных линий без превышения максимальных допустимых коммутационных перенапряжений:

В действительности через полпериода токи вследствие затухания уже несколько уменьшатся и вместо 2Ет будет фигурировать несколько меньшая величина. Кроме того, по ГОСТ 183—74 допускается работа генератора при U = 1,05 Uk. Поэтому в СССР принято пользоваться формулой

Формула (1.16) неоднозначна вследствие зависимости /тах от ф0. Поэтому вводят понятие критической частоты, которая является максимально применимой частотой при Ф0 = я/2. Очевидно, что

репленными на янтарных изоляторах, может изменяться. Если подать на струну потенциал, например положительный, то она начнет притягиваться к отрицательному электроду и отталкиваться от положительного. В результате струна прогнется и займет положение, при котором электростатические силы будут >ьравновешены силами упругости струны. Перемещение средней части струны наблюдают с помощью микроскопа, снабженного окулярной шкалой. Постоянная электрометра по напряжению Са зависит от натяжения нити и расстояния между электродами: чем больше натяжение и расстояние, тем выше значение постоянной. Постоянная Си может иметь значение порядка 10~а В/мм. Вследствие зависимости Си от натяжения нити и расстояния между электродами необходима градуировка электрометра перед измерением. Отечественный струнный электрометр ЭС-2 имеет постоянную по напряжению (3-г-4)Х ХЮ~8 В/дел., входную емкость 5 пФ, напряжение вспомогательной батареи 75—80 В.

Из уравнения (5.55) следует, что опустошение глубокого уровня происходит по экспоненциальному закону Дяг(0 = Алг(0)е~'/т с постоянной времени т=[с„(/гс + л1) +cp(pc + pi)]~1, которая не зависит от начального заполнения и концентрации глубоких ловушек, но зависит от координаты области объемного заряда вследствие зависимости стационарных концентраций носителей заряда от координаты. Постоянную времени т называют временем релаксации заполнения уровня.

поле Vr = 1,37, Vx = 0,97; для двухслойной среды Vr + JVX '— К V~2 X X (cos ф+/ sin ф). Импедансные условия для ферромагнитных тел нелинейны вследствие зависимости магнитной проницаемости от напряженности поля.

В магнитных полупроводниках при температурах, меньших температуры магнитного упорядочения в (точки Кюри), появля-естя как бы дополнительная по сравнению с обычными немагнитными полупроводниками степень свободы — магнитный порядок. Между магнитным порядком и полупроводниковыми свойствами материала (электрическими, оптическими) имеются взаимосвязь и взаимовлияние, которые и вызывают разнообразные, свойственные исключительно этим материалам, эффекты. Например, вследствие зависимости зонной структуры от величины магнитного момента при понижении температуры до значений, меньших в, в магнитных полупроводниках наблюдается аномально сильный сдвиг края полосы поглощения. При этом ширина запрещенной зоны может как уменьшаться, так и увеличиваться. Магнетосо-противление в магнитных полупроводниках существенно больше, чем в обычных, и максимально вблизи точки Кюри. Возникает оно прежде всего из-за воздействия внешнего поля на намагниченность, а не непосредственно на носитель заряда, как в обычных полупроводниках. Эти эффекты обусловлены влиянием намагниченности на оптические и электрические свойства вещества. Существуют эффекты и обратного порядка. Имеются сообщения

Особенности механизма дифференциального травления прежде всего определяются наличием химических ограничений, когда суммарная скорость процесса травления зависит в основном от скорости протекания поверхностных химических реакций, энергетический барьер которых связан со свойствами полупроводника в поверхностном слое. Наличие любого дефекта в поверхностном слое приводит к понижению барьера реакции и тем самым к увеличению ее скорости. Дефект (например, выход дислокации) будет «растравливаться». Скорость же травления вследствие зависимости от кристаллографического направления — анизотропная величина, и это обусловливает характерную форму ямок травления на каждой кристаллографической плоскости. Вид ямок травления на основных плоскостях Ge с низкими индексами после обработки в дифференциальном травителе показан на 2.7.

Вследствие того что отдельные части имеют неодинаковые постоянные времени Т и разные конечные превышения температуры тк, электрическую машину можно рассматривать как совокупность нескольких идеальных однородных твердых тел, между которыми осуществляется постоянный теплообмен. Однако такое рассмотрение, будучи довольно сложным, не является достаточно точным, так как в процессе работы постоянные времени Т, а иногда и установившиеся превышения температуры тк отдельных частей машины не сохраняют свою величину постоянной. Например, постоянные времени Т меняются по мере нагревания вследствие зависимости коэффициентов теплопередачи а от температуры. Температура охлаждающей среды также зависит от нагрева и меняется по мере прохождения по вентиляционным каналам. В машинах с самовентиляцией при изменении скорости вращения меняется также температура и количество охлаждающего воздуха, что влияет на Г и тк. Поэтому в большинстве случаев ограничиваются приближенным общим анализом нагрева на базе теории нагревания идеального твердого тела и считают, что процесс увеличения превышения температуры т проходит по экспоненциальному закону. Возникающие при этом ошибки обычно не выходят за пределы допустимых.

Вследствие зависимости коэффициентов а,-о от температуры охлаждаемых поверхностей 7\- существуют рекуррентные соотношения Ti = f(Ti), выражающие зависимость температуры охлаждаемых поверхностей от самой себя через коэффициенты /1К и /гл. Анализ сходимости итерационного процесса показал, что для решения в диапазоне реальных нагревов хорошие результаты дает простая итерация, т. е. подстановка в каждом новом приближении рассчитанных температур охлаждаемых поверхностей. Для ускорения сходимости итерационного процесса может быть применен прием, при котором в качестве уточненного значения корня принимается среднее арифметическое между исходно задаваемыми и полученным при решении уравнения теплового баланса значениями температуры t'-й охлаждаемой поверхности.

Аналогичное изменение аргумента получается и при изменении не длины линии, а частоты напряжения генератора. С ростом частоты изменяется и вещественная и мнимая части аргумента (а/ + + т\) +/((М + т2), так как увеличиваются коэффициент затухания а и коэффициент фазы $ (см. 3-8) и изменяются т^ и /п2 вследствие зависимости волнового сопротивления Zc от частоты ( 3-10).

Вычисление потокосцепления в тех случаях, когда путь магнитного потока лежит в ферромагнитной среде, затруднено вследствие зависимости коэффициента магнитной проницаемости ферромагнитных материалов от напряженности поля. В ряде случаев поле в пределах витков, охватывающих ферромагнитный сердечник, однородно, тогда вычисление ? не представляет больших трудностей. Что касается контуров, находящихся в неферромагнитных средах, то затруднение при вычислении потокосцепления заключается в том, что распределение магнитных потоков в таких средах обычно крайне неоднородно. В этом случае приходится прибегать к вычислению потокосцепления при помощи векторного потенциала. Применение этого метода будет показано ниже.

Во-вторых, остаточное напряжение зависит от тока базы транзистора. Это происходит вследствие зависимости коэффициента усиления тока транзистора от эмит-терного тока и непосредственного влияния тока базы на остаточное напряжение через сопротивление эмиттера.