Вследствие симметрии

Основные носители тока — дырка в ^-области и свободные электроны в «-области — диффундируют из одной области в другую. Вследствие рекомбинации (взаимной нейтрализации зарядов) электронов и дырок между областями /7 и п образуется слой полупроводника, обедненный носителями тока (запирающий слой). Избыточный заряд создается отрицательными ионами /7-области и положительными ионами л-области, причем весь объем полупроводника в целом остается электрически нейтральным. В результате этого в месте /?-л-перехода возникает электрическое поле, направленное из «-области к ^-области и препятствующее дальнейшей диффузии дырок и электронов.

Вследствие рекомбинации в единицу времени в единице

По мере диффузионного перемещения неосновных носителей заряда в глубь п- и р-областей их концентрация и градиент концентрации вследствие рекомбинации непрерывно уменьшаются, в результате уменьшаются диффузионные составляющие потоков Jno и JPD. Так как общий ток диода в стационарном режиме должен быть постоянным, то снижение диффузионных составляющих JnD и JPD компенсируется возрастанием дрейфовых составляющих потоков основных носителей заряда.

В р-области электроны, перешедшие из л-области, являются неравновесными избыточными неосновными носителями заряда. При постоянном прямом напряжении U концентрация их у границы слоя пространственного заряда поддерживается на постоянном уровне, зависящем от U. Введение избыточных неосновных носителей при прохождении прямого тока через р-п-переход называют инжекцией. По мере удаления от границы пространственного заряда концентрация инжектированных электронов убывает вследствие рекомбинации с дырками - основными

Вследствие рекомбинации части инжектированных электронов с основными дырками базы плотность электронной составляющей тока эмиттера уменьшается на величину /рек. Поскольку плотность рекомбинационного тока определяется скоростью рекомбинации избыточных электронов во всей базовой области, ее можно выразить как

При протекании через p-n-переход прямого тока проявляется диффузионная емкость, которая по мере увеличения тока может превысить барьерную. Носители заряда, инжектируемые р-п-пе-реходом, распространяются в р- и «-областях, подчиняясь законам диффузии. Вследствие рекомбинации концентрация этих носителей по мере диффузии в глубь областей полупроводниковой структуры убывает, причем глубина их проникновения имеет порядок диффузионной длины L. Этот процесс приводит к накоплению неравновесных носителей заряда вблизи р-п-перехода. Заряд этих носителей пропорционален току через р-я-переход, однако из-за сравнительно медленного характера диффузии и рекомбинации неравновесных носителей заряда он не может мгновенно изменяться при изменениях тока. Инерционность зарядов описывается временами жизни инжектируемых электронов и дырок и обусловливает емкостный характер реакции р-п-перехода на всякое изменение прямого тока. Это явление описывается эквивалентной диффузионной емкостью р-п-перехода, которая при достаточной протяженности обеих областей полупроводниковой структуры, превышающей диффузионную длину, на низких частотах составляет

вследствие рекомбинации характеризуется временем жизни неравновесных носителей заряда тн:

Поступающие от внешнего источника в «-область электроны продвигаются к ^-«-переходу, создавая электронный ток /„. По мере приближения к переходу, вследствие рекомбинации электронов с дырками, этот ток спадает до нуля. Суммарный же ток в «-области /ДИф =/р +/„ во всех точках полупроводника «-типа остается неизменным. Одновременно с инжекцией дырок в «-область происходит инжекция электронов в р-область. Протекающие при этом процессы аналогичны описанным выше.

Основные носители тока — дырка в р-области и свободные электроны в п-области— диффундируют из одной области в другую. Вследствие рекомбинации (взаимной нейтрализации зарядов) электронов и дырок между областями pun образуется слой полупроводника, обедненный носителями тока (запирающий слой). Избыточный заряд создается отрицательными ионами р-области и положительными ионами «-области, причем весь объем полупроводника в целом остается электрически нейтральным. В результате этого в месте р-л-перехода возникает электрическое поле, направленное из п-области к р-области и препятствующее дальнейшей диффузии дырок и электронов.

Как только дырка покинет эмиттер и перейдет в базу, для восстановления равновесия заряда в эмиттере электрон покидает эмиттер. За счгт этого в выводе эмиттера проходит электронный ток, а в выводе коллектора — ток электронов источника, компенсирующий увеличение дырок в коллекторе. В выводе базы при этом проходит ток электронов источника, восполняющий убыль электронов вследствие рекомбинации их с дырками эмиттера ( 17.6). Так как за положительное направление тока принимают направление положительных зарядов, то направление токов, показанное на рисунках стрелками, противоположно нЕ.правлению движения электронов.

Таким образом, временем жизни неравновесных носителей заряда является отношение избыточной концентрации (An или Ар) неравновесных носителей заряда к скорости изменения этой концентрации вследствие рекомбинации:

Источником энергии в трехфазной системе служит трехфазный генератор. Он отличается от однофазного генератора синусоидального тока (см. рис": 2.5, а) тем, что в пазах его статора размещены не:одна, а три электрически изолированные друг от друга обмотки - фазные обмотки генератора. Если ротор генератора двухполюсный, то оси фазных обмоток генератора повернуты в пространстве относительно друг друга на угол 2я/3 ( 3.1). При вращении ротора в фазных обмотках статора индуктируются синусоидальные фазные ЭДС. Вследствие симметрии конструкции "^нератора максимальные ЕШ и действующие Е. значения. ЭДС во всех фазах одинаковые. Однако линии магнитного поля вращающегося ротора пересекают провода фазных обмоток не одновременно. Поэтому синусоидальные ЭДС обмоток сдвинуты по фазе относительно друг друга на одну треть периода, чему соответствует пространственный угол 2тг/3 между осями обмоток.

В двухзаходном спиральном отводе поток разделяется на две равные части с помощью расположенной по спирали перегородки, начало которой отстоит от начала спирального отвода на 180°. Несмотря на то что неравномерность распределния давлений в каждой из спиральных частей сохраняется, вследствие симметрии возникают две противоположно направленные радиальные силы.

К имеющему угловую скорость и свободному тонкообод-ковому маховику массой М, средним диаметром D и геометрическим центром в точке О приложена распределенная центробежная сила Рц. Вследствие симметрии на единицу окружной длины обода действует сила f^ = FJnD. Условно разрежем обод по диаметру и введем две равные между

11.5. Вследствие симметрии входного распределения и нечетности характеристики ограничителя очевидно, что математическое ожидание выходного процесса равно нулю. Линейной части характеристики ограничителя соответствует усеченное гауссовское распределение в пределах ±Ь, а горизонтальным участкам — дельта-функции с коэффициентами, определяемыми площадями входного распределения при х>а. Таким образом, плотность вероятности выходного процесса

Источником энергии в трехфазной системе служит трехфазный генератор. Он отличается от однофазного генератора синусоидального тока (см рис". 2.5, а) тем, что в пазах его статора размещены не:одна, а три электрически изолированные друг от друга обмотки — фазные обмотки генератора. Если ротор генератора двухполюсный, то оси фазных обмоток генератора повернуты в пространстве относительно друг друга на угол 2я/3 ( 3.1). При вращении ротора в фазных обмотках статора индуктируются синусоидальные фазные ЭДС. Вследствие симметрии конструкции генератора максимальные Ет и действующие Е. значения. ЭДС во всех фазах одинаковые. Однако линии магнитного поля вращающегося ротора пересекают провода фазных обмоток не одновременно. Поэтому синусоидальные ЭДС обмоток сдвинуты по фазе относительно друг друга на Одну треть периода, чему соответствует пространственный угол 2я/3 между осями обмоток.

Источником энергии в трехфазной системе служит трехфазный генератор. Он отличается от однофазного генератора синусоидального тока (см. 2.5, а) тем, что в пазах его статора размещены не одна, а три электрически изолированные друг от друга обмотки — фазные обмотки генератора. Если ротор генератора двухполюсный, то оси фазных обмоток генератора повернуты в пространстве относительно друг друга на угол 2тг/3 ( 3.1). При вращении ротора в фазных обмотках статора индуктируются синусоидальные фазные ЭДС. Вследствие симметрии конструкции генератора максимальные Ет и действующие Е. значения ЭДС во всех фазах одинаковые. Однако линии магнитного поля вращающегося ротора пересекают провода фазных обмоток не одновременно. Поэтому синусоидальные ЭДС обмоток сдвинуты по фазе относительно друг друга на одну треть периода, чему соответствует пространственный угол 2тг/3 между осями обмоток.

Как указывалось выше, для выполнения условий (8.26) и (8.27) достаточно ввести слой фиктивных поверхностных токов с плотностью /м, которые в нашей задаче вследствие симметрии являются

Вследствие симметрии существует лишь осевая составляющая электромагнитной силы

Напряженность Я в любой точке, находящейся на расстоянии а от центра проводника силовой линии, вследствие симметрии будет

Если вести интегрирование вдоль какой-либо линии индукции, проходящей через воздушный зазор на расстоянии х от оси главного полюса, то МДС якоря по этому контуру Fax = 2xA вследствие симметрии магнитного поля (см. 3.1, б).

Как видно из 18.12,6, транзисторы в режиме В эффективно используются по току и напряжению. Полезная мощность, отдаваемая в нагрузку каждым транзистором, определяется площадью заштрихованного на 18.12, б треугольника и рассчитывается по формуле Люлв = Лст^кт/2- Мощность, потребляемая каждым транзистором от источника питания, РпотВ = = /Кср?/п, где /Кср = /кш/71- Вследствие симметрии схемы КПД двухтактного каскада в режиме В