Возрастанию сопротивления

Для изучаемых линий передачи всегда ReZB>0, поэтому активная мощность, соответствующая прямой волне, положительна, а активная мощность обратной волны отрицательна. Различие знаков мощности связано с противоположным направлением токов. в прямой и обратной волнах. Если рассматривать прямую волну, то здесь, увеличение тока в каком-нибудь сечении приводит к возрастанию напряжения, которое мы условились считать за положительное. Поэтому полубесконечный отрезок линии правее сечения z—z0 ведет себя подобно резистивной нагрузке. При обратной волне ситуация диаметрально противоположна — здесь увеличение тока (в алгебраическом смысле) ведет к уменьшению напряжения и поэтому правая часть линии играет роль генератора, а левая — нагрузки. Итак, в регулярной линии передачи направления потока энергии и фазовой скорости совпадают.

Характеристику называют переходной потому, что она описывает переходный процесс в усилителе при воздействии на его вход «ступеньки»- напряжения (тока). Характер переходного процесса UBb]X=f(t) определяется наличием в схеме усилителя реактивных элементов (L, С) и некоторой инерционностью усилительных элементов. Импульсные сигналы характеризуются действием на вход импульсов, имеющих длительность т„ ( 6.7, б) и амплитуду напряжения Ик т. Первый переходный процесс ( 6.7, в) соответствует ступенчатому возрастанию напряжения на входе усилителя. Второй переходный процесс,

связаны с тем, что носители заряда в поле приложенного импульса не сразу приобретают энергию, достаточную для ионизации, и не сразу теряют ее после снижения напряжения до ?/об < ?/л-п. 3.7 иллюстрирует в общем случае появление динамического ОС при различных временах запаздывания тэ тока относительно вызвавшего его переменного напряжения. На 3.7, а, б динамическое ОС отсутствует. Полное динамическое ОС, наблюдающееся на всем протяжении периода, появляется при т3 = = 1/2 Т ( 3.7, а, г). В этом случае возрастанию напряжения соответствует спад тока, а снижению напряжения — возрастание тока. Нетрудно видеть, что при динамическом ОС движение носителей заряда происходит в тормозящем переменном электрическом поле ( 3.7, а, г). При т3 = 1/4 Т и т3 = 3/4 Т динамическое ОС наблюдает-

блюдаться определенная зона нечувствительности, после чего в зависимости от полярности входного сигнала начнет усиливать тот или иной транзистор, т. е. выходной каскад будет работать в режиме С. Такой режим недопустим в выходных каскадах многоканальных усилительных устройств, так как велики искажения, трудно обеспечить устойчивость при охвате его глубокой отрицательной ОС. В этом случае при изменении входного напряжения один из транзисторов двухтактного каскада начинает закрываться, а другой открывается — появляется напряжение на сопротивлении нагрузки. Так как каскады включены по схеме с ОИ, то изменение напряжения на нагрузке находится в противофазе с изменением напряжения на входе. Вскоре один из транзисторов полностью закрывается, а второй продолжает открываться. При работе каскада, особенно на низкоом-ную нагрузку, наблюдается заметная нелинейность при выходных напряжениях, близких к напряжению питания. Коэффициент усиления каскада по напряжению в этой области сильно падает, но остается больше единицы. Это приводит к возрастанию напряжения на нагрузке практически до напряжения питания, отличаясь от него всего на несколько милливольт. Рост нелинейности и большое выходное сопротивление легко компенсируются соответствующей отрицательной ОС.

необходимо учитывать спад напряжения на хвосте волны, что еще больше затягивает время срабатывания, уменьшает мгновенное значение ипал и тем самым ограничивает повышение напряжения в конце кабеля (на трансформаторе). Таким образом, увеличение длины кабеля является благоприятным фактором с точки зрения ограничения перенапряжений в отличие от схемы на 18-8, б, где трансформатор присоединяется к разряднику воздушным проводом и увеличение расстояния между разрядником и защищаемым объектом способствует возрастанию напряжения на нем.

В момент 4 входное напряжение становится равным Ux2, что снова приводит к неравенству UK < Ux, к возрастанию напряжения UK до икз = с/д2 в момент 4 и к установлению показания на ОУ

Действительно, в точках / и 3 при случайном (например вызванном помехами) небольшом отклонении тока в диоде в сторону его увеличения происходит, в соответствии с характеристикой диода, увеличение и напряжения диода. При этом левая часть уравнения (8.98), определяемая характеристикой диода, становится больше правой части, определяемой нагрузочной линией. В результате ток уменьшается и возвращается к прежнему значению. При отклонении тока в сторону его уменьшения произойдет уменьшение напряжения «т, левая часть (8.98) станет меньше правой и ток возвратится к прежнему значению. Напротив, в точке 2 увеличение тока приводит к снижению напряжения «т, левая часть (8.98) становится меньше правой, что приводит к дальнейшему росту тока и снижению напряжения. Так продолжается до совпадения рабочей точки (мт, t'T) с точкой /, где наступает новое равновесие. При уменьшении тока напряжение возрастает, что приводит к дальнейшему уменьшению тока и возрастанию напряжения до совпадения рабочей точки с точкой 3. Положение нагрузочной линии [прямой (8.98)] зависит от сопротивления R и напряжения питания Упит. При изменении t/пит прямая перемещается параллельно себе, пересекая каждый раз ось абсцисс в точке ыт = ?/пит {по (8.98) при iT = 0].

Таким образом, повторное зажигание дуги в выключателе приводит к возрастанию напряжения на отключаемой емкости до 3 17ф.

В момент t3 входное напряжение становится равным Uxz, что снова приводит к неравенству Uh < Ux, к возрастанию напряжения Uh до UM = Ux2 в момент tt и к установлению показания на ОУ

водило к возрастанию напряжения на 0,2 В, а тока — на три по-

особые режимы; к ним относятся: несимметричные и несинусоидальные режимы, которые могут существовать неопределенно долго; установившиеся режимы одностороннего включения линии, длительность которых для протяженных линий ограничена; режимы самовозбуждения генераторов, работающих на слабо нагруженные протяженные линии СВН или линии, включенные с одной стороны. Учитывая опасность режима самовозбуждения, ._ который может привести к резкому самопроизвольному возрастанию напряжения и выходу оборудования из строя, должна быть исключена сама возможность его возникновения путем применения специальных мер еще на стадии проектирования.

Решетки профилей рабочего колеса и выправляющего аппарата осевого насоса всегда диффузорные. В среднем течение в них происходит с уменьшением относительной скорости и увеличением давления. Здесь, как и в любом другом диффузоре, возможен отрыв потока от поверхности профилей, что приведет к резкому возрастанию сопротивления и переформированию обтекающего профили потока, т. е. к изменению энергетических качеств насоса. Поэтому основным требованием, которое должно быть удовлетворено при проектировании лопастей системы, является обеспечение бе-зотрывности течения в ней.

При изменении рабочей температуры определенным образом будут изменяться и параметры полевых транзисторов. При возрастании температуры, с одной стороны, уменьшается высота потенциального барьера переходов затвора, уменьшается ж ширина, ширина канала возрастает, сопротивление канала падает и соответственно ток стока увеличивается. Однако, с другой стороны, уменьшается подвижность электронов в канале, что приводит к возрастанию сопротивления канала и соответственно падению тока стока. Таким образом, эти два температурно-зависимых параметра действуют встречно, частично компенсируя изменения /с.

Допустим ивых возросло. Это приведет к росту накального тока лампы Л1 и увеличению ее анодного тока, в результате чего возрастет напряжение на сопротивлении R4. URS> UR4, что обеспечивает отрицательное смещение на сетке лампы Л2. Возросшее напряжение U^4 уменьшит отрицательное смещение на Л2, вследствие чего ее анодное напряжение 6/анл2 уменьшится. Смещение на сетке лампы ЛЗ состоит из разности напряжений UK, и ианЛ2 (причем URZ > UaBji2 и смещение всегда отрицательно), поэтому уменьшение напряжения итл2 повлечет за собой рост отрицательного смещения на сетке лампы Л2 и уменьшение ее анодного тока. Последний одновременно является током под-магничивания дросселя насыщения, поэтому уменьшение этого тока приведет к возрастанию сопротивления рабочей обмотки дросселя, что явится причиной восстановления напряжения ?/вых примерно до прежней величины. В этой схеме стабилитрон Cm обеспечивает опорные напряжения для ламп Л2 и ЛЗ.

а электрическое сопротивление между истоком и стоком минимально. Если подвести к затзору внешнее напряжение Е3 такой полярности, чтобы оба р-п перехода были смещены в обратном направлении, то в проводящей канале появится обедненный слой (слой изолятора), который уменьшает площадь поперечного сечения проводящего канала. Это приводит к возрастанию электрического сопротивления канала, а значит, и к возрастанию сопротивления между истоком и стоком транзистора. Изменяя напряжение Um= —E3-\-Usx (где (/их — мгновенное значение напряжения входного сигнала), можно регулировать электрическое сопротивление проводящего канала

Дуга переменного тока в условиях активной деионизации. В дугогасительных устройствах выключателей длина ствола дуги мала и падение напряжения на стволе дуги, особенно при высоком напряжении, чрезвычайно мало по отношению к напряжению сети. При интенсивном охлаждении газовой или жидкой средой диаметр ствола дуги резко уменьшается, и его изменение следует почти синхронно с изменением тока. Во время подхода тока к нулю дуговой ствол приобретает весьма малые размеры и благодаря этому быстро разрушается после достижения током нулевого значения. Дуговой промежуток снижает свою проводимость и приобретает заметную электрическую прочность. Этому также способствует процесс перехода тока через нуль (сплошная линия на 5-10). Немного раньше момента естественного перехода через нуль ток дуги падает почти до нуля, а затем после перехода через нуль скачком снова достигает естественного значения, образующаяся «бестоковая пауза» г/=0 (или время ожидания пробоя гпр) способствует интенсификации деионизационных процессов и возрастанию сопротивления промежутка. Повторное зажигание дуги в следующий полупериод связано с пробоем межконтактного промежутка.

Подгонка резисторов заключается в дискретном удалении части материала вдоль кромки резистора, что ведет к возрастанию сопротивления. При подгонке конденсаторов удаляется участок верхней обкладки, в результате чего емкость конденсатора уменьшается. Отсюда следует, что для исключения неисправимого брака, резисторы должны проектироваться с заведомо заниженными значениями сопротивления, а конденсаторы — с завышенными значениями емкости ( 2.52).

Подгонка резисторов заключается в дискретном удалении части материала вдоль кромки резистора, что ведет к возрастанию сопротивления. При подгонке конденсаторов удаляется участок верхней обкладки, в результате чего емкость конденсатора уменьшается. Отсюда следует, что для исключения неисправимого брака, резисторы должны проектироваться с заведомо заниженными значениями сопротивления, а конденсаторы — с завышенными значениями емкости ( 2.52).

Определение среднего превышения температуры обмотки над температурой 00 охлаждающей среды обычно производится по относительному возрастанию сопротивления

группе периодической системы элементов, т. е. имеют одинаковую валентность, и при этом имеют одинаковую кристаллическую структуру (изоморфны), между ними возможно образование системы непрерывных двойных (бинарных) твердых растворов. Например, между кремнием и германием. То же самое возможно между двумя изоморфными соединениями, например, Bi2Tej и Sb2Te3 (псевдобинарные непрерывные твердые растворы). В обоих случаях компоненты твердого раствора растворяются друг в друге в любой пропорции. Электронное строение компонентов непрерывного твердого раствора, в первом приближении, одинаковое, поэтому «электронная часть» Z71, параметр мощности а2о, может уменьшаться при образовании раствора сравнительно мало (из-за падения подвижности). А вот Kpe,i, может уменьшаться относительно гораздо сильнее, так как атомный вес компонентов (они принадлежат к разным периодам периодической системы) различается сильно, что приводит к возрастанию сопротивления для распространения фононов. Такое поведение проиллюстрировано на 1: если «2о уменьшается максимально на 20 %, а КреШ - в несколько раз, то и ZT увеличится в несколько раз. Не все, но большинство используемых сейчас термоэлектриков построены по этому методу: сначала должен быть выбран (найден) какой-то исходный основной материал, который обладает достаточно высоким параметром мощности а2о, — химический элемент или соединение. Если есть возможность подобрать ему пару для образования непрерывного ряда твердых растворов, то среди них могут оказаться материалы с высокой добротностью ZT. В случае соединения Bi2Te3 уже его собственная ZT довольно высока, но в твердом растворе со Sb2Te^ она повышается до рекордных величин для температур вблизи комнатной. В случае с элементарными Ge и Si именно из-за высокой теплопроводности их добротность низкая, но при образовании твердого раствора Si-Ge КреШ очень сильно падает, в итоге получается рекордный по эффективности материал для высоких (1000 К) температур. Он используется в космических ТЭГ в сочетании с радиоизотопными источниками теплоты.

годаря постепенному возрастанию сопротивления цепи токосъема по мере сбегания щетки с сегмента коллектора. С другой стороны, эта же конструкция обеспечивает плавное нарастание тока в обмотке при набегании щетки на данный сегмент коллектора.