Возрастанием температуры

нелинейные элементы, сопротивление которых увеличивается с возрастанием напряжения;

Канальный ток транзистора определяется также подвижностью носителей. За счет большей подвижности электронов по сравнению с дырками транзисторы с n-каналом характеризуются, как правило, более высокой крутизной проходных характеристик. С увеличением поперечного электрического поля начинает проявляться и механизм изменения крутизны характеристики транзистора, связанный с изменением подвижности носителей в канале. Кроуфордом получено эмпирическое соотношение, связывающее изменение подвижности с напряжением на затворе. В малых полях с напряженностью до 1,5 • 106 В/см подвижность, по Кроуфорду, не меняется; с возрастанием напряжения на затворе измеренное значение сопротивления стока отличается от расчетного на постоянную величину R:

С возрастанием напряжения питания синхронные индуктивные сопротивления уменьшаются вследствие увеличения насыщения магнитной цепи. В СДПМ в процентном отношении наиболее быстро уменьшается параметр хс„ а в СРД — параметр хв..

Сопротивление тела человека зависит также и от величины напряжения. С возрастанием напряжения сопротивление уменьшается значительно — более чем в 20 раз. При относительно небольших напряжениях (12-^-36 В) сопротивление в среднем составляет величину (8-7-10) -103 Ом. Количественно оценивая сопротивление тела человека и зная поражающее напряжение, можно определить условно величины поражающих токов, которые находятся в пределах миллиампер.

Как видно из статической вольт-амперной характеристики, коэффициент выпрямления Кп является функцией приложенного к вентилю напряжения. С возрастанием напряжения коэффициент выпрямления К„ также увеличивается. С другой стороны, коэффициент выпрямления Л'„ зависит от температуры, так как для обратных сопротивлений отрицательный температурный коэффициент значительно больше, чем для прямых Таким образом, коэффициент выпрямления Ки с повышением температуры уменьшается.

Воздушные сети и отдельные электропередачи напряжением 400—500—750 кВ. Ниже рассматриваются основные вопросы применения защит. Виды защит. Сети этого напряжения, как и других с f/p.,6 S? 110 кВ, работают с глухозаземленными нейтралями. Поэтежу они имеют защиты от К(3), К(2), К(1>1) и К(1). Системы с сетями рассматриваемых напряжений работают обычно с малыми запасами по устойчивости. Поэтому в качестве основных на линиях всегда предусматриваются продольные быстродействующие защиты — дифференциально-фазные или направленные с в. ч. блокировкой. Допустимое время их срабатывания уменьшается с возрастанием напряжения и при с/ра(5 = 750 кВ должно быть около 0,02 с (напр! мер, [Л. 210]). Такое малое время определяется уже не только требованиями сохранения устойчивости, но и условиями ограничения уровня внутренних перенапряжений, возникающих при неодновременном отключении участков-с обеих сторон (указанное время должно обеспечивать малую разновременность срабатывания защит с обеих сторон). Необходимо отметить, что по принципу действия дифференциально-фазные защиты при одно-периодном сравнении фаз токов принципиально имеют большие времена срабатывания, обладают меньшей помехоустойчивостью, как работающие в паузе между в. ч. сигналами, чем современные направленные защиты обратной последовательности (например,

Если с увеличением связи напряжение на контуре возрастает, то увеличивается и мощность, выделяемая в нагрузке. Если же напряжение на контуре остается без .изменений или падает, то это значит, что наивыгоднейшее значение коэффициента связи или обратной связи уже пройдено. Увеличение анодного тока, не сопровождающееся одновременным возрастанием напряжения на контуре, не ведет к увеличению мощности в нагрузке, а приводит лишь к ухудшению коэффициента полезного действия генератора. При работе со стабилизацией анодного напряжения следует установить (по киловольтметру 1К.) напряжение 8 кВ.

С возрастанием напряжения питания синхронные индуктивные сопротивления уменьшаются вследствие увеличения насыщения магнитной цепи. В СДПМ в процентном отношении наиболее быстро уменьшается параметр xq, а в СРД — параметр Xd-

не успевая рекомбинировать, и при некотором напряжении все ионы, создаваемые в газовом U промежутке, будут разряжаться на электродах. "*" Очевидно, что дальнейшее увеличение напряжения уже не будет вызывать возрастания тока, что соответствует горизонтальному участку кривой на 2-2, Ток насыщения достигается для воздуха в нормальных условиях при расстоянии между электродами, равном 10 мм, и напряженности поля около 0,6 В/м. Реальное значение плотности тока насыщения в воздухе весьма мало и составляет примерно 10~15 А/ма. Поэтому воздух можно рассматривать как весьма совершенный диэлектрик до тех пор, пока не создадутся условия для появления ударной ионизации. При увеличении напряжения ток остается постоянным лишь до тех пор, пока ионизация осуществляется под действием внешних факторов. При возникновении ударной ионизации появляется самостоятельная электропроводность (при напряжении, большем напряжения ионизации Uц), и ток вновь начинает увеличиваться с возрастанием напряжения Г 2-2). Для воздуха ?„ «=* 106-4--4- 106 В/м.

машины это сопровождается резким возрастанием напряжения на обмотке. Для ограничения перенапряжения дугогасящая решетка шунтирована относительно большим сопротивлением г ш д, причем, чтобы дуга гасла по частям, а не вся сразу, решетка разбита на секции, которые присоединены к промежуточным ответвлениям этого сопротивления.

как от номинального рабочего напряжения, так и от конфигурации сети. На 4-26 приведены зависимости /в от номинального рабочего напряжения сети для некоторых типичных схем подстанций и станций (75 ]. Как видно, чем выше напряжение сети, тем меньше собственная частота сети, так как индуктивность и емкость с возрастанием напряжения увеличиваются. Граничными с точки зрения влияния конфигурации являются схемы 3

Таким образом, обратное сопротивление го6р с возрастанием температуры на 50° С уменьшается в 2 раза. 2. Сопротивление диода постоянному току: при Г =20° С

При температуре, равной абсолютному нулю, атомы кристаллической решетки полупроводника находятся в состоянии относительного покоя. С возрастанием температуры начинаются тепловые колеба'ния атомов решетки и в результате появляются свободные электроны, получившие дополнительную тепловую энергию, достаточную для разрыва ковалентных связей. При этом отдельные электроны могут покинуть ковалентные связи и превратиться в свободные носители заряда. Следовательно, для перевода электрона в свободное состояние необходимо сообщить ему дополнительное количество энергии, которое обозначим AW. Электроны, получившие дополнительную энергию, меньшую AW, не могут перейти в зону проводимости и остаются в валентной зоне.

изменения и соответственно знак ТКН .определяются видом электрического пробоя. Низковольтные опорные диоды, где наблюдается полевой пробой, имеют отрицательный, а высоковольтные диоды, где наблюдается лавинный пробой,— положительный ТКН. Знак ТКН при лавинном пробое определяется тем, что скорость (подвижность) носителей заряда уменьшается с возрастанием температуры. Типовые значения ТКН обычно составляют не более 0,2— 0,4%/град.

На 3.1 приведена зависимость термического КПД т? идеального парового цикла Ренкина от ?0 для насыщенного и перегретого пара [24]. При этом для перегретого пара зависимости т? -f(to) построены для различных значений р0- Как и следовало ожидать, с возрастанием температуры перегрева (при р0 = const) КПД непре рывно растет. Для насыщенного пара увеличение т? происходит только примерно до давления пара, равного 16,5 МПа (до /н « 350 °С). При дальнейшем увеличении параметров насыщенного пара КПД даже падает. Это связано с тем, что (как будет показано ниже) влияние давления на термический КПД цикла неоднозначно.

Обычно оптимальные значения rj. устанавливаются, когда Рп п да « (0,15 -г- 0,25)р0 при одноступенчатом промежуточном перегреве. Дня схемы с двухступенчатым промежуточным перегревом в условиях оптимальной тепловой экономичности давление в первой ступени составляет обычно (0,25 -fO,3)po, а во второй (0,06 -^0,09)р0 [46] . С возрастанием температуры пара, до которой проводится промежуточный перегрев его, при тех же начальных параметрах оптимальные значения

Режим работы аппаратов в условиях к.з. является очень тяжелым, характеризующимся сложным изменением тока во времени при наличии пиковых,.ударных значений тока к.з.; малой длительностью прохождения; большой плотностью тока, в десятки раз превышающей плотность тока при работе в длительном, нормальном режиме работы; резким возрастанием температуры токоведущих элементов аппаратов.

Существенное влияние на переходное сопротивление оказывает температура нагрева контактов. С одной стороны, с увеличением температуры нагрева контакта переходное сопротивление возрастает вследствие повышения удельного электрического сопротивления контактного материала (участок а — б на 3.9). Одновременно с возрастанием температуры увеличивается суммарная поверхность соприкосновения, так как облегчается деформация микронеровностей на контактирующих поверхностях вследствие снижения механической прочности контактного материала, и сопротивление контакта уменьшается скачкообразно (участок б — в, 3.9). Последующее резкое снижение переходного сопротивления (в точке г) после некоторого его возраста-

Прохождение тока к.з. через замкнутые контакты сопровождается резким возрастанием температуры в контактной площадке и возникновением усилий самопроизвольного размыкания контактов, что может привести к их свариванию. Возникающие вследствие искривления линий тока электродинамические усилия снижают контактное нажатие, в результате чего резко возрастает переходное сопротивление, а следовательно, и температура в площадке касания. Если усилия отброса превалируют, то происходит самопроизвольное размыкание контактов, и между ними возникает короткая дуга, которая не только приводит к расплавлению материала контактов, но и создает дополнительное усилие отброса вследствие резкого возрастания давления паров металла. Давление паров в короткой дуге может оказаться весьма высоким и существенно повлиять на отброс контактов. В случае двух торцовых цилиндрических контактов радиусом г, через которые проходит ток /, электродинамическое усилие отброса согласно (2.45)

Деление ферромагнитных материалов на магнитотвердые и магнито-мягкие условно, так как имеются материалы с характеристиками, отличными от указанных. Следует отметить, что с возрастанием температуры магнитная проницаемость ферромагнитных материалов уменьшается, причем для каждого материала существует критическая температура, при которой он теряет ферромагнитные свойства, превращаясь в парамагнетик. Критическая температура Тс (точка Кюри) для железа равна 768 °С, для никеля 365 °С, кобальта 1131°С. Ферромагнитные материалы при намагничивании изменяют размеры, вследствие чего они деформируются. Это явление называется магнитострикиией. Однако наряду со свойством изменять размеры при намагничивании ферромагнетики обладают также свойством намагничиваться при растяжении и сжатии. Следовательно, магнитострикционный эффект обратим.

Испарение вещества. Энергия выхода молекулы при нагреве вещества должна быть достаточной для преодоления межмолекулярных связей. В первую очередь поверхность материала покидают наиболее «нагретые» молекулы, т. е. молекулы, обладающие наибольшей энергией. Поэтому испарение имеет место при любой температуре, хотя испарение вещества с понижением температуры значительно уменьшается. Одновременно с испарением происходит и обратный процесс: некоторые молекулы в результате столкновения с другими молекулами пара возвращаются обратно в вещество (конденсируются). При равенстве количества испаряющихся и конденсирующихся в единицу времени молекул наступает термодинамическое равновесие (состояние насыщения). Равновесная плотность пара данного (вещества, а следовательно, и его давление ps зависят только от температуры: с возрастанием температуры давление пара 'быстро возрастает ( 2.3). Связь давления насыщенного пара ps с абсолютной температурой Т выражается следующей эмпирической зависимостью

Испарение вещества. Энергия выхода молекулы при нагреве вещества должна быть достаточной для преодоления межмолекулярных связей. В первую очередь поверхность материала покидают наиболее «нагретые» молекулы, т. е. молекулы, обладающие наибольшей энергией. Поэтому испарение имеет место при любой температуре, хотя испарение вещества с понижением температуры значительно уменьшается. Одновременно с испарением происходит и обратный процесс: некоторые молекулы в результате столкновения с другими молекулами пара возвращаются обратно в вещество (конденсируются). При равенстве количества испаряющихся и конденсирующихся в единицу времени молекул наступает термодинамическое равновесие (состояние насыщения). Равновесная плотность пара данного (вещества, а следовательно, и его давление ps зависят только от температуры: с возрастанием температуры давление пара 'быстро возрастает ( 2.3). Связь давления насыщенного пара ps с абсолютной температурой Т выражается следующей эмпирической зависимостью