Возрастает значительно

При малых токах нагрузки (когда г велико) угол отсечки тока диодов мал; диоды работают в режиме, близком к рассмотренному для емкостного фильтра. С увеличением тока нагрузки (когда г уменьшается) угол отсечки тока диодов возрастает вследствие более быстрого разряда емкости и возросшего влияния индуктивности. Когда угол отсечки достигает 180°, диоды работают в режиме, соответствующем схеме с индуктивным фильтром.

При снижении Т скорость диффузии электролита уменьшается и внутреннее сопротивление АБ возрастает. Вследствие этого допустимый конечный спад напряжения для данного режима разряда при пониженной температуре наступает раньше, а отданная емкость получается меньше. Например, для свинцово-кислотной АБ при Г=273 К (0° С) емкость #5 5-часового разряда уменьшается примерно на 10% по сравнению с емкостью при Г=298 К, причем фактор Т является определяющим: в частности, при одночасоном разряде соответствующее уменьшение q^ незначительно отличается от уменьшения qs и составляет около 12%.

При приложении напряжения в обратном направлении возрастают перекрытие зон и вероятность туннельного перехода из р-в л-область, а вероятность перехода из п- в р-область практически падает до нуля. Обратный ток /0бР возрастает вследствие туннельного перехода валентных электронов р-области на свободные уровни зоны проводимости «-области. Процессу нарастания обратного тока соответствует участок / вольт-амперной характеристики ( 5.25).

по напряжению: Ки — /Co/V + (WT» — 1/шт?,), где /Со — коэффициент усиления по напряжению каскада на средних частотах /?!>Лп, /Со = /121ЯкЯн/(/?к + /?-и+/122/?и/?к), где TB — постоянная времени усилительного каскада на верхних частотах (т„= Со/?вых = СоХ ХЯкЯн/(Як + R« + /i22#J?«); тн — постоянная времени усилительного каскада на нижних частотах без учета влияния емкости СТн= Сс/?вы.х = Сс/?к/?н//?к + /?н + ЛгаЛк/?... На практике используется схема с общим эмиттером, так как она позволяет усиливать не только напряжение, но также ток и мощность. Типовая схема усилительного каскада с общим эмиттером показана на 6.1.11. Резисторы R\, R%, /?K в схеме обеспечивают необходимые значения постоянных напряжений на коллекторном и эмиттерных переходах при питании всех цепей транзистора от одного общего источника питания Е». Резистор R, обеспечивает температурную стабилизацию рабочей точки, что для транзисторных усилительных схем очень существенно. С ростом температуры постоянная составляющая тока эмиттера /,о возрастает, вследствие чего увеличивается падение напряжения /?,/,п на резисторе /?„ при этом потенциал эмиттера относительно базы снижается, что уменьшает постоянную составляющую тока базы и ограничивает степень нарастания тока покоя в цепи коллектора. Для устранения этого воздействия при прохождении по цепям транзистора переменных составляющих резистор /?, шунтируется конденсатором С,. Конденсаторы С\ и Сс предназначены для предотвращения попадания постоянной составляющей тока от источника питания и сигнала на выход и вход усилительного каскада. Одним из важнейших показателей, характеризующих свойства усилителей, является его комплексный коэффициент усиления, который в общем случае можно представить как отношение комплексного напряжения на выходе усилителя к комплексному напряжению на его входе: /С= U_*^/U_,> =

Под одним краем полюса, где МДС под действием реакции якоря уменьшается, насыщение зубцов якоря меньше, чем под другим краем полюса, где МДС в переходном слое возрастает. Вследствие этого изменение индукции не пропорционально изменению МДС: под одной половиной полюса индукция возрастает меньше,^ чем уменьшается под другой половиной. Поэтому результирующий магнитный поток под нагрузкой несколько уменьшается.

МДП-транзистор относится к числу быстродействующих приборов, так как протекание тока в нем обусловлено направленным перемещением основных носителей. Однако фактическая частота переключений инвертора оказывается на несколько порядков ниже собственной частоты транзистора, что объясняется сильным влиянием паразитных емкостей, которые необходимо перезаряжать в течение переходного процесса. Типичные формы сигнала при переключении инвертора, работающего на емкостную нагрузку, показаны на 3.11. На этом рисунке через Сн обозначена эквивалентная емкость, объединяющая все переходные емкости. Формирование фронтов сигнала на выходе инвертора определяется временем зарядки и разрядки эквивалентной емкости. Емкость заряжается через нагрузочный транзистор, а разряжается через ключевой транзистор. Поскольку сопротивление нагрузочного транзистора более чем на порядок превышает сопротивление открытого ключевого транзистора, длительность включения, определяемая ключевым транзистором, намного меньше длительности выключения, определяемой сопротивлением нагрузочного транзистора. Кроме того, в процессе переключения сопротивление нагрузочного транзистора обычно возрастает вследствие влияния подложки. Отсюда можно заключить, что быстродействие инвертора оказывается ограниченным большой длительностью выключения. Емкость С„ заряжается до выходного напряжения, соответствующего уровню логической единицы, за счет прохождения тока нагрузочного транзистора. Следовательно, длительность фронта выключения можно определить из совместного решения системы уравнений для токов зарядки емкости С„ и нагрузочного транзистора. В общем случае

к оси абсцисс. При отсутствии в цепи якоря добавочного сопротивления Rn указанные характеристики будут «жесткими» (естественные характеристики / на 11.48, б и 11.49, а), так как падение напряжения /aS/?Q в обмотках машины, включенных в цепь якоря, при номинальной нагрузке составляет лишь 3—5% от U^o^. При включении добавочного реостата угол наклона этих характеристик возрастает, вследствие чего образуется семейство реостатных характеристик 2, 3, 4, соответствующих различным сопротивлением реостата /?ni. Rat и Rn3. Чем больше сопротивление Ra, тем больший угол наклона имеет реостатная характеристика, т. е. тем она «м я г ч е».

Фотодиодами называют вентильные фотоэлементы, используемые преимущественно в диодном режиме работы, т. е. с внешним источником напряжения, подключенным к фотоэлементу в обратном направлении. При таком включении потенциальный барьер возрастает, в результате чего переход неосновных носителей заряда через р—га переход существенно облегчается, а обратное сопротивление перехода резко возрастает. Вследствие этого возрастают чувствительность и линейность световых характеристик в широком диапазоне световых потоков. Наибольшее распространение получили кремниевые и германиевые фотодиоды ФДК и ФД.

Наиболее широкие возможности имеет реактивное ионное травление. Оно производится при меньших давлениях (около 1 Па) и больших энергиях ионов (до 500 эВ). Скорость химических реакций нейтральных атомов и молекул с материалом, подвергаемым травлению, возрастает вследствие бомбардировки его ионами. При низких давлениях средняя длина свободного пробега молекул намного больше глубины травления, а скорость взаимодействия газа с горизонтальной поверхностью пластины больше, чем с боковыми стенками углублений. С другой стороны химические реакции, ослабляя связи атомов на поверхности, способствуют физическому распылению материала ионами. Все это обусловливает высокую анизотропию процесса (до 100) при хорошей избирательности (до 30) и достаточно высокой скорости (0,3...3 нм/с).

Нагрузочная способность п (коэффициент разветвления на выходе) характеризует максимальное число ЛЭ, аналогичных рассматриваемому, которые одновременно можно подключать к его выходу. Чем выше нагрузочная способность, тем меньшее число ЛЭ необходимо для построения сложной цифровой микросхемы. Однако увеличение нагрузочной способности ограничено, поскольку с ростом числа нагрузок ухудшаются другие основные параметры ЛЭ, главным образом статическая помехоустойчивость и быстродействие (см. ниже). Так, помехоустойчивость ЛЭ на биполярных транзисторах уменьшается с ростом числа нагрузок, так как увеличиваются выходные токи в обоих состояниях, а это приводит к снижению уровня напряжения U1 и повышению уровня напряжения U°. Среднее время задержки сигнала возрастает вследствие увеличения емкости нагрузки. По этой причине в состав одной серии микросхем малой и средней степеней интеграции и в цифровых устройствах БИС вводят ЛЭ с различной нагрузочной способностью: п — 4 ... 25.

При малых токах нагрузки {когда г велико) угол отсечки тока дио^ дов .мал; диоды работают в режиме, близком к рассмотренному для емкостного фильтра. С увеличением тока нагрузки (когда т уменьшается) угол отсечки тока диодов возрастает вследствие более быстрого разряда емкости и возросшего влияния индуктивности. Когда угол отсечки достигает 180°, диоды работают в режиме, соответствующем схеме с индуктивным фильтром.

возрастает значительно медленнее этой мощности, благодаря чему с повышением номинальной мощности двигателя его cos (p\ увеличивается. С уменьшением номинальной частоты вращения двигателя увеличивается его магнитный поток, так как при меньшей частоте вращения он индуктирует в фазной обмотке статора меньшую ЭДС. Следовательно, у тихоходных двигателей намагничивающий ток относительно больше, a cos (ft существенно меньше.

Для ферритов составляющая потерь на вихревые токи практически ничтожно мала и ею можно пренебречь. В области очень слабых полей незначительными являются и потери на гистерезис. Следовательно, в области Рэлея потери определяются в основном величиной бд и возрастают с ростом частоты. Однако при повышении частоты tg6, начиная от некоторого определенного для каждой марки феррита значения, возрастает значительно быстрее, чем это можно предполагать согласно уравнению (2.1). Одновременно резко уменьшается магнитная проницаемость.

Твердые вещества, получаемые охлаждением расплава ниже температуры плавления, в зависимости от соотношения между скоростями охлаждения и кристаллизации расплава обладают либо кристаллической, либо некристаллической структурой. Понижение температуры расплава вызывает резкий рост его вязкости, что затрудняет перестройку атомов материала в кристаллическую решетку. Если скорость охлаждения невелика, атомы успевают сгруппироваться в кристаллическую решетку до того, как увеличивающаяся вязкость расплава ограничит возможность их взаимного перемещения. При больших скоростях охлаждения вязкость возрастает значительно раньше, чем образуется кристаллическая решетка, и взаимное расположение атомов в образовавшемся твердом теле остается близким к их расположению в расплаве, т. е. образуется некристаллический материал (стекло).

возрастает значительно медленнее этой мощности, благодаря чему с повышением номинальной мощности двигателя его cosi увеличивается. С уменьшением номинальной частоты вращения двигателя увеличивается его магнитный поток, так как при меньшей частоте вращения он индуктирует в фазной обмотке статора меньшую ЭДС. Следовательно, у тихоходных двигателей намагничивающий ток относительно больше, a cos ^1 существенно меньше.

возрастает значительно медленнее этой мощности, благодаря чему с повышением номинальной мощности двигателя его cosi^ увеличивается. С уменьшением номинальной частоты вращения двигателя увеличивается его магнитный поток, так как при меньшей частоте вращения он индуктирует в фазной обмотке статора меньшую ЭДС. Следовательно, у тихоходных двигателей намагничивающий ток относительно больше, a cos i^i существенно меньше.

Анализ изменения мощности, потребляемой газоразрядными лампами при регулировании напряжения на их зажимах, следует проводить для комплекта лампа — пу-скорегулирующий аппарат (ПРА). Объясняется это тем, что основная доля дополнительной мощности, потребляемой комплектом лампа — ПРА в режиме превышения напряжения над номинальным, приходится именно на балластное сопротивление ПРА. Поскольку балластное сопротивление значительно больше активного сопротивления лампы, то при повышении напряжения мощность, потребляемая лампой, меняется незначительно, потребление же мощности балластным сопротивлением возрастает значительно.

мать не более 60 ...65 м/с; кроме того, приходится ограничивать и длину якоря, чтобы не превысилось допустимое напряжение между смежными коллекторными пластинами. Итак, в крупных машинах постоянного тока их мощность с увеличением диаметра якоря возрастает значительно медленнее, чем в машинах малой мощности: приблизительно пропорционально диаметру якоря в степени 1,5.

Однако при регулировании потенциала модулятора ток катода дополнительно изменяется за счет изменения величины поверхности катода, охваченной полем с положительным градиентом потенциала (ускоряющее поле). Если потенциал модулятора равен нулю ( 7-2, а), то почти вся поверхность катода охвачена полем с положительным градиентом потенциала. На 7-2,6 показана картина поля, когда потенциал модулятора близок к потенциалу запирания. В этом случае положительный градиент поля существует только вблизи незначительной области в центре катода, а остальная поверхность катода охвачена полем с отрицательным градиентом потенциала. В результате ток катода при уменьшении отрицательного напряжения на модуляторе возрастает значительно быстрей, чем это следует из (7-1). Связь между катодным током и потенциалом модулятора выражается зависимостью [12]

Однако при регулировании потенциала модулятора ток катода дополнительно изменяется за счет изменения величины поверхности катода, охваченной полем с положительным градиентом потенциала (ускоряющее поле). Если потенциал модулятора равен нулю ( 7-2, а), то почти вся поверхность катода охвачена полем с положительным градиентом потенциала. На 7-2,6 показана картина поля, когда потенциал модулятора близок к потенциалу запирания. В этом случае положительный градиент поля существует только вблизи незначительной области в центре катода, а остальная поверхность катода охвачена полем с отрицательным градиентом потенциала. В результате ток катода при уменьшении отрицательного напряжения на модуляторе возрастает значительно быстрей, чем это следует из (7-1). Связь между катодным током и потенциалом модулятора выражается зависимостью [12]

деформируется при температурах ниже 950° С. Если для исходного стекла удельная проводимость у = 2'10~13 1/ом-см; е — 6,9; tg б •= 1,5-10~2, то для ситалла т = з -Ю-17 Ном -см; е = 5,2; tg 6 = = 2,7-Ю"3 (при частоте 106-гц и 20° С). С ростом температуры tg б и электропроводность стекла возрастает значительно быстрее, чем ситалла ( 9.5). Установочные ситаллы используют для плат печатных схем и микромодулей, а также. для изоляционных прокладок, оснований, галет и других элементов.'

Потокосцепление возрастает значительно быстрее, чем при L — LQ = const, и практически к моменту времени t я« 0,25 сек принимает свое установившееся значение 4V