Возрастает вероятность

Напряжение теплового пробоя уменьшается с увеличением температуры, так как при этом возрастает температура р — «-перехода, а следовательно, уменьшается обратное допустимое напряжение. Изгиб характеристик германиевого р — /г-перехода с увеличением температуры смещается влево ( 4.8, а).

электронов из валентной зоны в зону проводимости. Поскольку сильно увеличивается количество электронов и дырок (собственная электропроводность преобладает над примесной), то проводимость полупроводника резко возрастает. Температура гкр, начиная с которой происходит возрастание проводимости, называется критической или температурой вырождения. Хотя ?кр и зависит от концентрации примесных носителей, определяющим параметром для нее является ширина запрещенной зоны (чем шире запрещенная зона, тем больше и /хр). Так, если для кремния г1р«330°С, то для германия Гкряй 100°С.

К другому типу относятся газоанализаторы, в которых каталитическое окисление определяемого компонента осуществляется на насыпном катализаторе при протекании через него анализируемой газовой смеси. Полезный тепловой эффект измеряют в рабочей камере с помощью платинового чувствительного элемента, который обычно включается в одно из плеч мостовой неуравновешенной схемы постоянного тока. Остальные плечи моста образованы платиновым сравнительным элементом, компенсирующим изменения температуры окружающей среды, и двумя резисторами с постоянным сопротивлением. Благодаря выделению тепла при сгорании определяемого компонента возрастает температура, а следовательно, и сопротивление чувствительного элемента, вследствие чего нарушается равновесие моста и возникает ток в его измерительной диагонали, пропорциональный концентрации определяемого компонента в анализируемом газе.

К другому типу относятся газоанализаторы, в которых каталитическое окисление определяемого компонента осуществляется на насыпном катализаторе при протекании через него анализируемой газовой смеси. Полезный тепловой эффект измеряют в рабочей камере с помощью платинового чувствительного элемента, который обычно включается в одно из плеч мостовой неуравновешенной схемы постоянного тока. Остальные плечи моста образованы платиновым сравнительным элементом, компенсирующим изменения температуры окружающей среды, и двумя резисторами с постоянным сопротивлением. Благодаря выделению тепла при сгорании определяемого компонента возрастает температура, а следовательно, и сопротивление чувствительного элемента, вследствие чего нарушается равновесие моста и возникает ток в его измерительной диагонали, пропорциональный концентрации определяемого компонента в анализируемом газе.

В электролизерах для получения алюминия наблюдается так называемый анодный эффект. Он выражается в том, что процесс электролиза на одной из последовательно включенных ванн прерывается, так как выделяющиеся на аноде газы перестают уходить вверх вдоль анода, обволакивая его в виде газовой пленки; между анодом и электролитом появляется газовый разряд в виде множества искр. В результате этого напряжение на ваннг резко поднимается в 6—10 раз, повышается расход г>лектроэнергии и возрастает температура расплава. Такой эффект появляется неожиданно и быстро то в од-

Принцип работы позистора иллюстрирует схема, приведенная на 5.6. В этой схеме позистор RK, включенный последовательно с сопротивлением нагрузки RH, используется в качестве ограничителя тока. Когда сопротивление нагрузки падает ниже определенного значения, в цепи увеличивается ток и возрастает температура позистора. Сопротивление позистора при этом возрастает, что ограничивает ток в цепи нагрузки.

Реакция образования полимера из мономера носит название полимеризации. При полимеризации молекулярная масса, естественно, увеличивается; возрастает температура плавления и кипения, повышается вязкость: в процессе полимеризации вещество может переходить из газообразного или жидкого состояния в состояние весьма густой жидкости и далее в состояние твердого тела; уменьшается растворимость и т. д.

тов необходимо повышать рассеиваемую мощность. Однако ори использовании в аппаратуре 'микросхем с большей рассеиваемой мощностью требуется увеличивать габариты источников питания, сечение токопроводов, усложнять систему теплоотвода. Но наибольшим ограничением является снижение надежности микросхемы, так как при этом возрастает температура кристалла.

При касании электродом металла замыкается электрическая цепь. Электрический ток, проходя через контакт электрода с металлом, вызывает нагрев. Под электродом возникает очаг расплавления металла. При отводе электрода от поверхности жидкой ванны под электродом переходное сопротивление возрастает, температура металла повышается, он начинает перегреваться и кипеть.

Сйда бериллия с Повышением плотности изделий возрастает. Температура начала деформации под нагрузкой 0,2 МПа составляет 2380°С, 10%-ное сжатие происходит при 2500°С, а полное разрушение —2520±Ю°С.

Приемник для непрерывного измерения оптической мощности. Коллектор изготовлен из массивного медного бруска [187] с одной черненой стороной. В брусок вмонтирован спай термопары, другой спай располагается в вакуумированной полости с постоянной тем' пературой. При облучении бруска его температура возрастает. Температура зависит от длительности и мощности облучения. При известних теплоемкости бруска., степени перегрева и. длительности

Трудоемкость разработки ИМС по мере увеличения степени интеграции резко возрастает. Усложняются размещение элементов и выполнение соединений, возрастает вероятность ошибки при совмещении различных слоев микросхемы. Разработка «вручную» ИМС средней степени интеграции превращается в сложную и весьма трудоемкую задачу. Возрастает число ошибок, которые трудно обнаружить в процессе проектирования и которые часто выявляются лишь после завершения разработки чертежей слоев, изготовления фотошаблонов и опытных образцов микросхем. Особенно сложной становится «ручная» разработка больших интегральных схем. Здесь колоссальный объем вычислительной работы и случайные ошибки разработчиков могут затянуть процесс проектирования на несколько лет.

С увеличением прямого напряжения результирующий прямой ток возрастает, так как возрастает вероятность туннельного перехода электронов из п- в р-область, а вероятность обратного перехода электронов падает. Этому процессу соответствует участок

В области массопереноса на скорость осаждения оказывает влияние геометрия реактора, определяющая л:инейные скорости потоков в зоне осаждения. При снижении давления силана возрастает вероятность протекания гетерогенной реакции. Переход к гомогенному пиролизу происходит при давлении ~200 Па. В области давлений, превышающих это значение, пиролиз происходит в газовой фазе с образованием мелкодисперсного порошка аморфного кремния. Оптимальные условия получения эпислоев кремния соответствуют температуре 1050-1100 °С при содержании силана в газовой смеси 0,04 об. %. Скорость роста слоя в этих условиях составляет 0,8 мкм/мин. Концентрация лигатуры в газовой смеси может быть доведена до 10"* об. %.

Нормы на параметры качества зависят не только от погрешностей контрольного оборудования. Дело в том, что в производстве всегда наблюдается технологический разброс значений параметров, обусловленный особенностями технологии производства ч в первую очередь характеристиками используемых в производстве исходных материалов. Кроме того, происходит изменение их характеристик во времени под воздействием нагрузки и окружающей среды, что связано главным образом с физико-химическими процессами, происходящими в изделиях. Поэтому изготовитель с целью обеспечения заданного показателя надежности вынужден устанавливать нормы (условные критерии) на 'параметры изделий, отличающиеся от реальных их значений в момент сдачи , продукции потребителю в сторону расширения пределов. Размер устанавливаемого запаса зависит от скорости изменения параметров во времени при воздействии на изделия внешних факторов. Вполне очевидным является тот факт, что чем больше выбраны допустимые пределы изменения параметров, тем меньше вероятность того, что они выйдут за эти пределы в течение заданного времени, а следовательно, возрастает вероятность безотказной работы изделий. Однако в этом случае, <как и при установлении предельно допустимой нагрузки, следует предостеречь от очень больших запасов; при чрезмерном увеличении пределов изменения параметров показатель надежности практически не меняется, а технические характеристики изделия и устройства, в котором о-но применяется, ухудшаются.

Существенно, что в зависимости от особенностей моделируемых вариантов число данных меняется в широких пределах (при всех видах несимметрии и сложных схемах включения число одновременно задаваемых для ПР величин доходит до 500). Это обстоятельство самым тесным образом связывается с проблемой предотвращения ошибок человека в САПР. С увеличением объема исходных данных, численные значения которых должен определить и ввести в ЭВМ пользователь, возрастает вероятность ошибок как при формировании первичного массива, так и при переносе данных на машинные носители. Универсальность программного средства и связанный с ней «динамизм» состава исходной информации осложняют создание программных алгоритмов контроля полноты и корректности данных перед вводом задания в ЭВМ.

Достоверность относится к обобщенным характеристик кам. Требования, предъявляемые по этому критерию, йв« ляются исходными для обоснования частных характеристик системы. К наиболее существенным факторам достоверности относятся точность измерения контролируемых параметров и помехоустойчивость работы всех устройств. С уменьшением достоверности возрастает вероятность неработоспособного состояния объекта контроля, измерения, управления при наличии информации в системе.

С повышением температуры возрастает вероятность ионизации ловушек захвата, что означает более быстрое их опустошение и уменьшение постоянных времени.

Энергетическая характеристика фототока ( 14-3, б) — зависимость фототока от светового потока — линейна в области небольших значений Ф. При увеличении Ф рост фототока замедляется, так как с увеличением концентрации свободных носителей заряда возрастает вероятность их рекомбинации через ловушки [22] и, следовательно, уменьшается время жизни т.

Коэффициент полезного действия фотоэлемента увеличивается с ростом светового потока и фотоэлектродвижущей силы С/ф. Однако при больших значениях Ф с ростом концентрации свободных носителей возрастает вероятность их рекомбинации, а также снижается коэффициент собирания х. Кроме того, в результате разогрева прибора при больших Ф увеличивается ток /0, что также служит причиной снижения к. п. д.

С ростом температуры время жизни увеличивается. Основной причиной этого является уменьшение вероятности захвата ловушками неосновных носителей вследствие увеличения тепловой скорости последних. С ростом концентрации примесей время жизни уменьшается из-за роста числа дефектов структуры, являющихся центрами рекомбинации. Кроме того, при большой концентрации примесей и, следовательно, основных носителей возрастает вероятность Оже-рекомбинации. Поэтому в сильно легированных полупроводниках время жизни мало.

зистора /Ф = 1)(Ф) линейна для небольших световых потоков ( 7.28). При световых потоках Ф>Фмакс из-за увеличения концентрации генерируемых неравновесных носителей возрастает вероятность их рекомбинации; время жизни носителей и коэффициент усиления по току уменьшаются. Линейность световой характеристики соответственно нарушается. Нижняя граница световой характеристики Финн соответствует пороговому потоку.