Возрастает потребляемая

С уменьшением частоты вращения цикловой ток также возрастает, поскольку увеличивается время работы привода при тех же значениях тока якоря, тогда как время паузы остается неизменным, что обусловливает некоторую предельную по условиям нагрева минимальную частоту вращения двигателя пдтщ. Тем самым ограничивается минимальная установившаяся скорость спуска колонны.

Следует отметить, что с увеличением температуры напряжение лавинного пробоя для кремниевого р — /г-перехода ( 4.8, б) возрастает, поскольку при этом уменьшается средняя длина пробега свободных носителей и затрудняется возникновение ударной ионизации, приводящей к лавинному пробою. Напряжение туннельного пробоя уменьшается с ростом температуры, так как при этом уменьшается ширина запрещенной зоны полупроводника.

Напротив, вязкость газов при повышении температуры возрастает, поскольку причиной возникновения касательного к слоям напряжения служит в этом случае диффузия молекул, которая сопровождается переносом количества движения из одного слоя в другой. С повышением температуры скорость движения молекул возрастает и, следовательно, увеличивается переносимое количество движения.

При разработке программ ППО целесообразно использовать современные методы программирования, следуя при этом ГОСТ 19.102—77, устанавливающему стадии разработки, что позволяет обеспечить высокие показатели качества программного обеспечения [12]. Отметим, что по мере усложнения задач, решаемых: в САПР, значение этапа проектирования программ неизменно возрастает, поскольку ответственность за неудачные варианты (и возможные крупные затраты) становится жестче.

падает, а затем, пройдя через минимальное значение, снова возрастает. Поскольку с увеличением р при сохранении индукции Вс общая масса стали возрастает, должны возрастать также потери и ток холостого хода, что подтверждается графиками Рх и i0 на 3-10.

Графики на 3.9 для вариантов /м и //А позволяют заметить, что с ростом р масса металла обмоток G0 и масса стали в стержнях Сс уменьшаются, а масса стали в яр-мах Ga и общая масса стали GCT трансформатора возрастают. Общая стоимость активной части Са,ч ( 3.10) с ростом р сначала падает, а затем, пройдя через минимальное значение, снова возрастает. Поскольку с увеличе-

Не менее опасно тепловое воздействие токов при коротком замыкании, так как электрические потери в обмотках, пропорциональные квадрату токов, увеличиваются во много раз и температура обмоток резко возрастает. Поскольку свободная составляющая тока практически затухает через Зтк = 0,03 -ь 0,6 с, интенсивность нарастания температуры можно оценить по установившемуся току короткого замыкания.

возрастает, поскольку индуктивность пытается сохранить величину тока. Диод открывается и индуктивность «накачивает» ток в конденсатор. Выходное напряжение может быть много больше входного.

Таким образом, с увеличением атэц (точки 8, 8' и т. д.) будут расти как Эт, так и Эхэц, но рост их будет идти разными темпами, которые зависят от характера годового графика тепловой нагрузки {линия 1-3-4). Практически при всех реальных графиках отопительных нагрузок ( 4.6) темп роста (прироста) Эт с увеличением атэц снижается все интенсивнее (площадь 8-8'-3'-8 гораздо меньше площади 8'-8-3-И-8"), а темп роста (прироста) ЭтЭЦ, наоборот, возрастает **. Поскольку Эт и 9jm входят в форму-

собственной частоте контролируемого изделия, наступает резонанс. Вследствие роста амплитуд ультразвуковых колебаний в материале изделия возрастает потребляемая пьезоэлементом электрическая энергия, что вызывает увеличение тока автогенератора. Поскольку частота автогенератора изменяется во времени, в момент резонанса наблюдаются резкие изменения напряжения на резисторе, включенном в цепь автогенератора, которые отфильтровываются от медленных изменений напряжения фильтром 6 и через усилитель 7 подаются на вертикально отклоняющие пластины электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) 8. Задающий генератор 5, управляющий частотным модулятором 4, синхронизирует работу генератора временной развертки 9. Линия развертки на экране электронно-лучевой трубки является, по существу, осью частот. Частоты, на которых имеются резонансные явления в контролируемом изделии, отмечаются в виде импульсов на экране ЭЛТ. Если известны резонансная частота и скорость распространения ультразвуковых колебаний в материале контролируемого изделия, то легко определить толщину этого изделия.

таких микросхемах на МДП-транзисторах р-типа значительно возрастает потребляемая мощность, которая достигает 1 — 10 мВт/вентиль.

При заданных импульсных параметрах транзисторов среднюю задержку ЛЭ можно уменьшить в определенных пределах, увеличив токи, потребляемые от источника питания, и уменьшив тем самым времена перезарядки паразитных емкостей. Однако при этом возрастает потребляемая мощность. Таким образом, между средней задержкой и потребляемой мощностью ЛЭ существуют зависимость: чем меньше средняя задержка, тем больше потребляемая мощность.

С ростом температуры проводимость слаболегированного поликремния и остаточный ток транзистора пропорционально увеличиваются по одному и тому же закону ехр(— &E3/2kT), поэтому приведенное выше неравенство обеспечивается в широком интервале температур. Из-за снижения R при повышении температуры возрастает потребляемая мощность. В режиме хранения можно снизить напряжение питания до f/и.и.хр = 1 В, тогда как в режиме выборки его повышают (например, до с/и.п.выб = 5 В) для уменьшения времени считывания. Мощность в режимах хранения и выборки различается в (?/и.„.хр/

питания и нагрузка (колебательный контур) являются общими для обеих ламп, ток первой гармоники и полезная мощность в критическом режиме получаются вдвое больше, чем в схеме с одной лампой. Оптимальное эквивалентное сопротивление контура в соответствии с (8.1) в этой схеме должно быть вдвое меньше, чем в схеме с одной лампой. Это удобно при работе на коротких волнах, так как при малых емкостях и индуктивностях контуров трудно обеспечить большое эквивалентное сопротивление. Поскольку с уменьшением эквивалентного сопротивления пропорционально возрастает потребляемая мощность, к. п. д. такой схемы остается таким же, как и в схеме на одной лампе. Для схемы с параллельным включением ламп очень важно, чтобы не только сами лампы имели одинаковые параметры, но и весь монтаж был симметричным. В противном случае наличие фазовых сдвигов на входах ламп приведет к заметному уменьшению полезной мощности.

напряжения источника питания. Время нарастания, отсчитываемое от уровня O.lAt/ до 0,9At/, будет tHp = 2,2RcC«. В силу неравенства Ес /Re -С/с имеем гнр»*сп. Для снижения ?„р и повышения быстродействия надо уменьшать Re, но при этом растет ?/°. Минимальное значение Re взаимосвязано с током /с, если ток увеличить, то во столько же раз можно снизить Яс,но при этом возрастает потребляемая мощность. Значит, времена tcri и tHp также взаимосвязаны. Из (5.18) видно, что для снижения /Сп (а значит, и /Нр) необходимо увеличивать удельную крутизну транзистора (главным образом за счет снижения длины канала), снижать пороговое напряжение и выходную емкость, а также повышать напряжение питания. В цифровых интегральных схемах выход схемы ключа соединяется со входами аналогичных схем. Поэтому задача уменьшения Сн сводится к снижению входной емкости транзистора.

Выходное напряжение триггера, предназначенного для работы в пересчетных устройствах и узлах электронных цифровых машин, определяется чувствительностью последующих элементов, в том числе и триггеров. Для повышения помехоустойчивости приходится уменьшать чувствительность триггеров, чтобы исключить ложные срабатывания. Однако при этом возникает опасность просчетов, во избежание которых необходимо увеличивать выходное напряжение триггера. Но при этом возрастает потребляемая триггером мощность. Поскольку в пересчетных устройствах и в особенности электронных цифровых машинах триггеры используются в большом количестве, то вопрос о возможном уменьшении потребляемой мощности становится решающим.

На 6.12 представлены сложные логические ИМС на МДП-транзисторах р-типа, реализующие соответственно функции ИЛИ— — И—НЕ, И—ИЛИ -НЕ и ИЛИ—И- ИЛИ—НЕ. Для повышения нагрузочной способности в лих вводят специальные буферные усилительные элементы, реализующие функции НЕ и И. При этом достигают «>20—30. Возможно построение более сложных функциональных узлов, например сумматоров, экономичных по числу используемых МДП-транзнсторов. Однако в таких микросхемах на МДП-трапзнсторах р-тппа значительно возрастает потребляемая мощность, которая достигает (1 -10) мВт/вентиль.

Как видно из приведенного уравнения, для увеличения максимального момента нужно уменьшить индуктивные сопротивления Ха и Xq, увеличивая зазор, однако при этом возрастает потребляемая двигателем реактивная мощность и ухудшается его коэф-

По окончании процесса ток в якоре будет меньше первоначального, а ток в обмотке возбуждения и, следовательно, ток, текущий из сети, увеличивается. Соответственно этому возрастает потребляемая двигателем мощность Plt тогда как его полезная мощность Р2 = М2 • 2яп уменьшается. Отсюда следует, что данный способ регулирования скорости двигателя последовательного возбуждения весьма неэкономичен. Поэтому он применяется только там, где стои-

1) с повышением предела измерения возрастает потребляемая мощность термопреобразователя;

На р<ис. 6.9 представлены сложные микросхемы на МДП-тран-зисторах р-типа, реализующие соответственно функции ИЛИ—И— НЕ, И^ИЛИ—НЕ и ИЛИ^И—ИЛИ-^НЕ. С целью повышения нагрузочной 'способности таких микросхем в их состав вводят специальные буферные усилительные элементы, реализующие функции НЕ и ДА. При этом достигается я>20ч-30. Возможно построение более сложных функциональных узлов, например сумматоров, экономичных по числу используемых МДП-травзисторов. Однако в таких микросхемах на МДП-транзисторах р-типа значительно возрастает потребляемая мощность, которая достигает 1— 10 мВт/вентиль.