Возникают различные

называемая также градуированной характеристикой и являющаяся детерминированной функцией аргумента X, тогда как F (X) в определенной степени случайна из-за случайного характера аргументов ? в (2,2), Из-за различия между F (X) и FttOM (X) возникают погрешности преобразования.

содержат индетерминированные составляющие. Из-за расхождений между Y и Уном возникают погрешности преобразования измерительной информации, обусловленные факторами . Параметрами Q определяется степень влияния фактора ? на размер вызванной им погрешности. Отклонения AQ параметров Q от их номинальных значений QHOM также являются факторами погрешностей.

называемая также градуированной, характеристикой и являющаяся детерминированной функцией аргумента X, тогда как F (X) в определен. ной степени случайна из-за случайного характера аргументов в (2.2),-Из-за различия между F (X) и FHOM (X) возникают погрешности преобразования.

содержат индетерминированные составляющие. Из-за расхождений между Y и FHOM возникают погрешности преобразования измерительной информации, обусловленные факторами ?. Параметрами Q определяется степень влияния фактора на размер вызванной им погрешности. Отклонения AQ параметров Q от их номинальных значений QHOM также являются факторами погрешностей.

Сканирующие движения обеспечиваются с помощью оптико-механических ( 11-4) или электронных ( 11-5) развертывающих, устройств. Перемещающийся в направлении измеряемой ординаты фотоприемник показан на 11-4,а, развертывание луча с помощью качающихся зеркал — на 11-4,6 и в. При применении перемещающегося луча возникают погрешности расшифровки, связанные с изменяющимся отношением угла поворота зеркала к перемещению луча по поверхности графика. Для

Как будет видно из дальнейшего изложения, действительные коэффициенты трансформации зависят от значений сопротивления, на которые замкнута вторичная обмотка, и напряжения или тока в первичной обмотке. Из-за этого возникают погрешности по коэффициенту трансформации:

При измерении высоких напряжений промышленной частоты применение активных делителей напряжения сопряжено с рядом трудностей: необходимы громоздкие и дорогостоящие сопротивления на высокие напряжения; вследствие влияния емкостных токов, протекающих через паразитные емкости элементов делителя на землю, возникают погрешности при измерениях. В связи с этим обычно для измерения высоких напряжений промышленной частоты применяют емкостные делители, которые по сравнению с активными имеют меньшие размеры и стоимость их ниже.

Иногда восстановление функции, квантованной по времени, с шагом, подсчитанным по теореме Котельникова, производят с помощью фильтра нижних частот, который выделяет постоянную и низкочастотные составляющие, соответствующие спектру передаваемой функции. Однако при этом возникают погрешности из-за того, что амплитудно-частотная характеристика реального фильтра отличается от характеристики идеального фильтра. Восстановление с помощью фильтра целесообразно, если спектр передаваемой функции сосредоточен в области нуля по оси частот,

У реальных ИТН возникают погрешности измерения из-за потерь в магнитопроводе на перемагничивание и вихревые токи

У реального трансформатора тока из-за несовершенства конструкции и потерь в магнитопроводе и обмотках возникают погрешности, которые снижают точность измерений.

Процесс измерения линейных размеров осциллограмм предполагает совмещение начала измеряемого участка с линиями шкалы. Как и при калибровке, возникают погрешности совмещения и отсчета. По-

Современные полупроводниковые приборы и полупроводниковые интегральные микросхемы имеют среднее время безотказной работы до 109 ч. Существуют четыре вида отказов полупроводниковых приборов: 1) короткое замыкание между электродами; 2) пробой п—р-перехода; 3) обрыв в цепи электродов; 4) изменение электрических параметров. Это обусловлено самыми разнообразными физико-химическими процессами, происходящими в полупроводниковых кристаллах. Главный фактор, ускоряющий протекание процессов, которые приводят к выходу из строя полупроводниковых приборов, — температура: при ее увеличении от +40 до +80 °С интенсивность отказов увеличивается в среднем в 10 раз. Наиболее часто отказы полупроводниковых приборов происходят из-за дефектов на поверхности кристаллической структуры, которые часто возникают из-за негерметичности корпуса, вследствие чего в прибор проникают влага и газы и воздействуют на поверхность кристалла, При этом поверхность разрушается и возникают различные нарушения и области отрицательных или положительных зарядов, вызывающих изменение концентраций носителей зарядов, особенно неприятные вблизи п—р-перехода. Это сильно увеличивает обратный ток перехода, уменьшает про-

Механизм образования радиационных дефектов. Внедренный ион при движении передает кинетическую энергию атомам решетки. Если переданная энергия превышает энергию связи атома в узле Еа, может быть выбит из узла и начать двигаться по кристаллу первичный атом. Если его энергия оказывается больше значения Ed, он способен перевести в междоузлия другие (вторичные) атомы решетки. Таким образом, ион, попавший в решетку кристалла, является инициатором каскада столкновений, в результате которых в некоторой ограниченной области возникают различные дефекты (см. 6.2). Их число и расположение зависят от характера распространения каскада, что определяется прежде всего структурой решетки. Часть освобожденных атомов попадает в каналы и может продвинуться на значительное расстояние за счет их фокусирующего действия, другая часть, деканалируясь, создает нарушения вдоль стенок канала. Форма и размеры дефектной области определяются также массой и энергией иона, массой атомов и температурой мишени. Если температура мишени достаточно высока, некоторые дефекты, такие, как атомы в междоузлиях и вакансии, могут аннигилировать в процессе миграции по кристаллу путем рекомбинации. Процессы аннигиляции дефектов часто протекают уже при комнатной температуре.

Если электрическая машина работает в продолжительном режиме, но при переменной нагрузке, то в ней все время имеет место неустановившийся тепловой процесс( 13.6), так как в различные промежутки времени (tlt tz, t3 и т. д.) в ней возникают различные потери мощности. Форма получаемой при

По этой причине иногда возникают различные мнения в отношении того или иного предлагаемого или принятого решения. Преподаватель должен указать студенту на недостатки предлагаемого решения, но не навязывать студенту свою точку зрения, сковывая тем самым его творческую инициативу. Последнее слово в отношении принятия того или иного решения следует оставлять за студентом, который в полной мере и в первую очередь отвечает за качество своего проекта и обязан уметь доказать при защите проекта целесообразность и оправданность принятых решений, Естественно, что преподаватель-консультант не должен пропускать явно ошибочных решений.

Внутренние перенапряжения зависят не только от вида коммутации, но и от параметров сети, характеристик выключателя или другого коммутирующего аппарата и ряда других факторов. Поэтому при многократном повторении одной и той же коммутации в системе каждый раз возникают различные перенапряжения. Таким образом, внутренние перенапряжения, так же как и грозовые, носят статистический характер.

ких системах работает совместно большое число синхронных машин, причем мощности отдельных машин достигают 1,5 млн. кВт. Переходные процессы, возникающие в одной машине, могут оказать большое влияние на работу других машин и всей энергосистемы в целом, поскольку в этих машинах также возникают различные переходные процессы. Интенсивные переходные процессы нарушают работу энергосистемы в целом и могут вызвать серьезные аварии. Подобные аварии связаны с большими убытками, так как при них возможны повреждения дорогостоящего оборудования. Однако наибольшие убытки получаются в результате нарушения энергоснабжения крупных промышленных районов, когда недовырабатывается промышленная продукция.

В коммутируемой секции возникают различные э. д. с. Во-первых при изменении тока в коммутируемой секции возникает э. д. с. самоиндукции и взаимоиндукции eL:

§ Понятие интенсификации теплообмена при кипении тесно связано с понятием кризиса теплообмена и режима движения двухфазного потока теплоносителя. Известно, что по мере повышения паросодержания в испарительном канале реактора с любой формой поперечного сечения возникают различные, сменяющие друг друга, режимы течения, среди которых можно выделить три основных: пузырьковый, снарядный и дисперсно-кольцевой. В зависимости от режимов течения двухфазного потока теплоносителя различен и механизм кризиса теплообмена при кипении.

В зависимости от условий облучения (температуры, дозы, вида излучения, энергетического спектра излучения) в материалах возникают различные типы дефектов, изменяется их плотность и распределение по размерам. Особую роль в радиационном упрочнении кристаллов играют механизмы взаимодействия радиационных дефектов с имеющимися в объеме дислокациями. Под воздействием поля упругих напряжений, существующих вокруг дислокаций, точечные дефекты диффундируют к ним и образуют «атмосферы»,, ступеньки, вакансионные и газонаполненные поры и другие вторичные дефекты. Все они могут быть центрами закрепления дислокаций или стопорами для движущихся дислокаций.

ких системах работает совместно большое число синхронных машин, причем мощности отдельных машин достигают 1,5 млн. кВт. Переходные процессы, возникающие в одной машине, могут оказать большое влияние на работу других машин и всей энергосистемы в целом, поскольку в этих машинах также возникают различные переходные процессы. Интенсивные переходные процессы нарушают работу энергосистемы в целом и могут вызвать серьезные аварии. Подобные аварии связаны с большими убытками, так как при них возможны повреждения дорогостоящего оборудования. Однако наибольшие убытки получаются в результате нарушения энергоснабжения крупных промышленных районов, когда недовырабатывается промышленная продукция.

Прилагалось немало усилий, чтобы найти практическое применение аморфному кремнию a-Si. В частности, в связи с его благоприятным спектром поглощения в области видимого света и низкой стоимостью изготовления интенсивно изучалось его использование в оптоэлектронных устройствах, таких как солнечные элементы и датчики изображения. Однако проводимость a-Si настолько низка, что возникают различные проблемы, связанные с его высоким последовательным сопротивлением. Как сообщалось, максимальная проводимость легированного. a-Si при комнатной температуре для р-типа по данным [32] составляет около 10~2, а для п-типа по данным [ 33] окопо 10 См/см.