Возникают паразитные

В связи с многообразием сборочных (процессов производства РЭА возникают определенные трудности! в создании ограниченного ряда типовых узлов АСТО, в задачу' которых входит выполнение широкого круга сборочных операций. Анализ конструкций РЭА на основе конструктивно-технологической классификации сборочно-монтажных операций позволяет! определить примерную номенклатуру типовых узлов АСТО и и)с основные параметры.

Недостатком кусочно-линейной аппроксимации является ограниченность диапазона применения получаемых выражений, поэтому для многих нелинейных элементов, в частности полупроводниковых диодов и электронных ламп, их вольт-амперные характеристики аппроксимируются с помощью степенных и показательных функций. Так как графики этих функций монотонны и не имеют особых точек, то возникают определенные трудности при выяснении обстоятельства, действительно ли конкретная вольт-амперная характеристика представляет собой степенную функцию, а не показательную или какую-либо другую.

Входное напряжение усилителя, как известно, зависит от выбора рабочей точки транзисторов первого каскада, а следовательно, и от коллекторного напряжения транзисторов. Даже при среднем значении напряжения коллекторного источника при непосредственной связи между каскадами возникают определенные проблемы, затрудняющие обеспечение нормального рабочего режима транзисторов в последующих каскадах. Включение резистора в цепь эмиттера транзисторов для согласования, каскадов по постоянному току настолько сильно снижает коэффициент усиления, что этот метод в ИМС не находит практического применения.

Схемы многоугольников имеют и определенные недостатки: снижается надежность работы при ремонте любого выключателя, так как в этом случае происходит разрыв многоугольника; возникают определенные затруднения с настройкой релейной защиты; возникают некоторые конструктивные трудности в случае расширения РУ.

Условия устойчивости работы двигателя. При работе двигателя всегда возникают определенные возмущения режима работы (кратковременные колебания напряжения сети, случайные кратковременные изменения момента нагрузки на валу и т. д.). Такие возмущения чаще всего бывают небольшими и кратковременными, однако при этом происходят, хотя также небольшие и кратковременные, нарушения равенства моментов установившегося режима работы [см. выражение (10-3)1, вследствие чего возникает момент УИдИН и изменяется скорость вращения.

Суммарные сведения относительно единиц измерения излучений приводятся в табл. 14.4. Как уже указывалось выше, для измерения радиационных эффектов следует использовать единицу системы СИ зиверт. Это — новая единица, и пока она используется не слишком широко (в 1975 г. зиверт еще не попал в число единиц, рекомендованных 15-й Генеральной конференцией по вопросам мер и весов; предполагается, что такая рекомендация будет выдана в ближайшее время). Некоторые страны уже перешли на использование новых единиц, хотя при этом иногда возникают определенные проблемы. Так, в Великобритании в ка-

С хранением угля, находящегося как под землей (недобытого), так и на поверхности (добытого), не связано никаких специфических проблем. Если уголь преобразуется в жидкие или газообразные углеводороды, возникают определенные проблемы, которые относятся к хранению жидкого или газообразного топлива вообще. Главным назначением хранения энергии является покрытие пиков в ее потреблении, которые могут носить стратегический, сезонный или внутрисуточный характер. Для стратегического и сезонного хранения используются углеводороды, хранение электроэнергии необходимо только для покрытия кратковременных пиков.

Схемы многоугольников имеют и определенные недостатки: снижается надежность работы при ремонте любого выключателя, так как в этом случае происходит разрыв многоугольника; возникают определенные затруднения с настройкой релейной защиты; возникают некоторые конструктивные трудности в случае расширения РУ.

Условия устойчивости работы двигателя. При работе двигателя всегда возникают определенные возмущения режима работы (кратковременные колебания напряжения сети, случайные кратковременные изменения момента нагрузки на валу и т. д.). Такие возмущения чаще всего бывают небольшими и кратковременными, однако при этом происходят, хотя также небольшие и кратковременные, нарушения равенства моментов установившегося режима работы [см. выражение (10-3)], вследствие чего возникает момент Млт и изменяется скорость вращения.

Для выращивания качественных кристаллов или направленных поликристаллов термоэлектрических материалов необходимо иметь достаточно чистые исходные компоненты - висмут, сурьму, селен, теллур. Если селен выпускают достаточно чистым, то с теллуром, сурьмой и висмутом возникают определенные сложности, особенно с теллуром. Одни производители предпочитают более грязный, но относительно дешевый теллур, другие - более чистый, который стоит намного дороже. Поэтому некоторые производители самостоятельно производят доочистку исходного теллура. Возгонка является эффективным способом очистки Те от многих примесей. По такому же принципу очищают и сурьму. Возгонка Sb, как известно, является малоэффективной при очистке от свинца и мышьяка. И если мышьяк как примесь практически не оказывает влияния на изменение свойств материала, то свинец является донором. Поэтому процесс возгонки Sb должен быть организован таким образом, чтобы можно было использовать небольшие различия в физических свойствах Sb, As и Pb. Очистка висмута обычно ограничивается стандартной процедурой, хорошо описанной в научно-технической литературе, — фильтрацией расплава Bi для очистки от оксидов, которые всегда присутствуют в металлическом висмуте.

Анализ зависимостей, приведенных на 3.4, показывает, что уменьшение периода квантования позволяет увеличить общий коэффициент передачи /С2р и таким образом увеличить статическую точность или уменьшить постоянную времени КЗ, что увеличивает быстродействие СПН. Однако при этом возникают определенные трудности, пути преодоления которых будут рассмотрены ниже.

Существенным отличием от манганина является высокая термоЭДС константана в паре с медью, а также с железом; его коэффициент термоЭДС в паре с медью составляет 44—55 мкВ/К. Это является недостатком при использовании константановых резисторов в измерительных схемах, так как при наличии разности температур в местах контакта константановых проводников с медными возникают паразитные термоЭДС, которые могут явиться источником ошибок, особенно при нулевых измерениях в мостовых и потенциометрических схемах. Однако константан с успехом может быть применен при изготовлении термопар, служащих для измерения температуры, если последняя не превышает 700°С.

Применение метода «грубой силы» ограничено также возможностями конструкции, так как при увеличении излучаемой мощности возрастает опасность пробоев в трактах, возникают паразитные рентгеновские излучения, что требует качественной экранировки рабочего места.

Диффузионные резисторы. В качестверезистивного слоя в полупроводниковых ИМС используется изолированная область полупроводника, которая создается одновременно с какой-либо частью транзистора. Чаще всего применяется слой полупроводника, полученный одновременно с базой транзистора. Структура такого резистора изображена на 2.23, а. Если в качестве изоляции служит обратно-смещенный р—п переход, в структуре резистора возникают паразитные связи, которые учитываются общей эквивалентной схемой ( 2.24).

Паразитные асинхронные моменты. Асинхронный момент создается основной гармоникой поля. Высшие пространственные и временные гармоники н. с. обмотки статора создают вращающиеся поля, которые наводят в роторе э. д. с., вызывающие токи. В результате взаимодействия этих токов с вызывающими их полями возникают паразитные асинхронные моменты.

Паразитные синхронные моменты. При определенных скоростях вращения ротора поля некоторых гармоник, вызванных зубчатостью статора или ротора, могут вращаться с одинаковой скоростью и быть неподвижными относительно друг друга. В этом случае в результате их постоянного взаимодействия возникают паразитные синхронные

В сравнении с симметричной полосковой линией применительно к ГИМ СВЧ несимметричная линия имеет конструктивные и технологические преимущества. В симметричной полосковой линии конструктивно трудно обеспечить подключение активных элементов (диодов, транзисторов), так как проводник, к которому надлежит подключиться, находится во внутренних слоях структуры. Кроме того, в симметричной линии при различных потенциалах верхнего и нижнего экранов возникают паразитные колебания в плоскости, параллельной основанию. Для их устранения между экранами необходимо вводить перемычки, расположение которых каждый раз определяется экспериментально, что усложняет конструкцию.

2. Емкость отклоняющих пластин С и индуктивность проводов образуют колебательные контуры, в которых возникают паразитные резонансы. Это приводит к резкому изменению чувствительности осциллографа в области очень высоких частот. Стремятся, чтобы резонансная частота была выше частоты самой высокой гармоники исследуемого сигнала.

В транзисторах с индуцированным каналом необходимо обеспечить перекрытие между краями затвора и краями истока, стока; длина области перекрытия на 5.1 обозначена 6L. В противном случае на участке слоя 6, не закрытом затвором, не будет индуцирован канал. Величина 8L должна быть минимально возможной, поскольку в областях перекрытия возникают паразитные емкости затвор — исток и затвор — сток, которые ухудшают частотные и импульсные параметры прибора (см. § 5.5). В транзисторах со встроенным каналом обеспечивать перекрытие 6L не обя-

3. Как возникают паразитные обратные связи в усилителе и каким путем можно ослабить их влияние?

При построении высокочастотных резонансных усилителей приходится считаться с тем, что в транзисторах имеется внутренняя обратная связь и, кроме того, в усилителе возникают паразитные обратные связи. При расстройке, т. е. на частотах выше и ниже резонансной, колебательный контур представляет собой комплексную нагрузку и вносит дополнительный фазовый сдвиг. В результате общий фазовый сдвиг между входным и выходным^сигналами может оказаться таким, что в схеме возникнет положительная обратная связь и усилитель самовозбудится.

При изготовлении микросхем широко применяется метод изоляции путем создания вокруг изолируемого элемента области с противоположным типом проводимости. При подаче на образующийся /?-«-переход напряжения смещения в обратном направлении элемент, находящийся внутри данной области, оказывается электрически изолированным от остальных элементов схемы, так как сопротивление такого перехода очень велико. Следует отметить, что при использовании обратно смещенного p-n-перехода для изоляции элементов возникают паразитные емкости, ограничивающие быстродействие цифровых микросхем. Изоляция элементов полупроводниковой микросхемы с помощью диэлектрического слоя двуокиси кремния дает возможность уменьшить паразитные емкости между коллектором и подложкой и практически полностью устранить активные паразитные связи между элементами микросхемы. Элементы микросхемы размещаются как бы в «карманах» из двуокиси кремния.