Возникает положительная

нормально заперты и управляются отрицательными импульсами, подаваемыми на базы. Когда импульсы подаются на входы (Bxl и Вх2) одновременно, оба транзистора открываются и на выходном зажиме возникает положительный импульс.

3. Каким образом при электризации тел возникает положительный или отрицательный заряд? Изменяется ли общее число заряженных частиц при электризации?

Допустим далее, что коллекторный переход смещен в обратном направлении, а цепь эмиттера разорвана, как показано на 2.8, д. Высокий потенциальный барьер для электронов в коллекторе практически исключает их переход в базовую область. Следовательно, ток через коллекторный переход будет обусловлен неуравновешенным потоком электронов из базы в коллектор. Токи /к и /б в этом случае невелики и равны друг другу. Изменение смещения UK не влияет на значения токов, если оно остается достаточно положительным, чтобы исключить уход электронов из потенциальной ямы коллектора. Экстракция, или вытягивание электронов из базы через коллекторный переход, создает отрицательный градиент их концентрации вдоль всей базовой области. Поэтому поток электронов из базы в эмиттер, существовавший в условиях термодинамического равновесия ( 2.8, а), уменьшается, и поток достаточно «энергичных» электронов из эмиттера в базу остается неуравновешенным. В результате в эмиттерной области возникает положительный заряд, а в базовой области — такой же отрицательный заряд. Энергетические уровни в эмиттере снижаются, затрудняя переход электронов из эмиттерной области в базовую. Такой процесс будет продолжаться до тех пор, пока потоки электронов из эмиттера и в эмиттер снова не уравновесятся. После этого ток /, будет равен нулю, как и должно быть для разорванной цепи эмиттера.

Поверхностная емкость определяется поверхностными состояниями полупроводника, которые могут отдавать в его объем электроны и захватывать дырки или, наоборот, захватывать электроны и отдавать дырки. В первом случае на поверхности полупроводника возникает положительный заряд, во втором — отрицательный. В обоих случаях поверхностный заряд индуцирует в приповерхностной области полупроводника заряд противоположного знака. Этими слоями зарядов и обусловлено возникновение поверхностной емкости полупроводниковой подложки Cs, которая определяется соотношением

Второе ограничение, накладываемое на режим работы элементов матрицы, относится к считыванию сердечников управляющими импульсами и и и. При считывании сердечника импульсом и в прямом направлении на шине считывания возникает положительный импульс напряжения, а при считывании сердечника импульсом и в обратном направлении — отрицательный импульс. Таким образом, при одновременном прямом и инверсном считывании сердечников разных ячеек, но одинаковых разрядов эти импульсы будут вычитаться, что приведет к снижению выходного сигнала и неустойчивой работе функционального блока. Поэтому при считывании до-пускаются только такие комбинации управляющих сигналов и/, при которых отсутствует вычитание э. д. с., возникающих в разрядной шине от перемагничивания разных сердечников матрицы.

вход- транзисторы могут быть соединены эихода последовательно или параллельно. При последовательном соединении ни осу- ( 5-33,6) транзисторы Тг и TZ ющего нормально заперты и управляются ыдерж- отрицательными импульсами,, подаваемыми на базы. Когда импульсы полня- подаются на входы (Bxl и Вх2) од-днико- новременно, оба транзистора отборов, крываются и на выходном зажиме надеж- возникает положительный импульс, жбы и При параллельном соединении

чем ионы. Электроны начинают ионизировать молекулы газа при достижении скорости свыше 1000 км/с. При достаточной напряженности электрического поля ударную ионизацию могут производить и ионы. Для завершения пробоя воздуха, проявляющегося внешне в виде искры, проскакивающей между электродами, необходимо, чтобы процесс увеличения количества свободных зарядов в данном искровом промежутке привел к достаточной плотности свободныхзарядов. Это достигается благодаря некоторым вторичным явлениям, сопутствующим ударной ионизации, например вследствие выхода дополнительных свободных электронов из катода под воздействием фотонов, излучаемых атомами газа, возбудившимися под влиянием соударений с электронами. Имеет место также фотоионизация молекул газа. Современные представления о механизме пробоя воздуха, началом которого является ударная ионизация, связывают его завершение с неравномерным распределением зарядов в промежутке между электродами. Большое значение имеет тот факт, что в зоне ионизации вследствие большей подвижности электронов по сравнению с ионами всегда возникает положительный пространственный заряд: электроны быстрей покидают зону ионизации, а ионы «оседают» в ней. При формировании искрового разряда после прохождения первой лавины электронов за ней остается положительный пространственный заряд, в который втягиваются электроны вторичных (дочерних) лавин, что приводит к образованию плазмы, состоящей в основном из ионов и электронов. Головка канала плазмы, имеющей избыточный положительный заряд, передвигается к катоду. Когда эта головка :—• так называемый стример — подходит к катоду, напряженность в этом месте поля резко возрастает, усиливая ионизацию. Образующаяся при этом масса новых свободных электронов устремляется по каналу плазмы к аноду.

1.11, б). Аналогично электроны из «-области (где их много) диффундируют в р-область (где их мало), при этом в «-области остаются нескомпенсированные положительные ионы доноров и возникает положительный объемный заряд +qND. Электроны, переходящие в р-область, рекомбинируют с дырками, что также приводит к образованию нескомпенсированного отрицательного заряда ионов акцепторов вблизи границы раздела. В результате описанного выше процесса вблизи границы раздела образуется ОПЗ, в которой концентрация электронов и дырок понижена. ОПЗ имеет высокое электрическое сопротивление, и ее называют также запирающим слоем. Распределение объемного заряда в ОПЗ р(х) показано на 1.11,г. Электронно-дырочные переходы с распределением легирующей примеси, изображенным на 1.11, б, называют резкими переходами.

Поверхностная емкость определяется поверхностными состояниями полупроводника, которые могут отдавать в его объем электроны и захватывать дырки или, наоборот, захватывать электроны и отдавать дырки. В первом случае на поверхности полупроводника возникает положительный заряд, во втором — отрицательный.

Под влиянием разности концентраций дырки диффундируют из р-области в л-область (в сторону уменьшения концентрации). Аналогично электроны из л-области диффундируют в 'р-область. Дырки, перешедшие в л-область, рекомбинируют на ее границе с электронами. Электроны, перешедшие в р-область, рекомбинируют с дырками. Вследствие этого пограничный слой р-области обедняется дырками, и в нем возникает отрицательный объемный заряд за счет ионов акцепторной примеси, заряд которых не компенсируется дырками. Пограничный слой п-области обедняется электронами, и в нем возникает положительный объемный заряд за счет ионов донорной примеси, заряд которых не компенсируется электронами (см. 5, а).

пограничном слое полупроводника п возникает положительный объемный заряд, в пограничном слое полупроводника р— отрицательный заряд. Между разноименными за-

Например, при работе в точке / в момент кратковременного повышения приложенного к цепи напряжения возрастает ток, т. е. возникает положительная производная di/dt. После восстановления первоначального значения приложенного к цепи напряжения возросшему току будет соответствовать условие Е — ri > и (см. 1-12,6), поэтому ток будет продолжать расти. Состояние равновесия наступит в точке 2. На практике применяют сопротивление (резистор) для обеспечения устойчивого равновесия в цепях с газоразрядными приборами или электрической дугой.

менного напряжения с собственной частотой контура. Это напряжение появляется в первичной обмотке контура и за счет индуктивной связи наводится на вторичной обмотке контура W2. Напряжение на вторичной обмотке прикладывается ко входу транзистора, он усиливает это напряжение и оно выделяется в его коллекторной цепи — в параллельном резонансном контуре. Возникает положительная! ОС, а так как частота воз-пикшей флуктуации напряжения определяется самим резонансным контуром, то глубина связи максимальна на его резонансной частоте. Обычно используется довольно сильная индуктивная связь между обмотками (часто обмотки наматываются одновременно в два провода), подбирается оптимальное соотношение числа витков n = W2/Wi из условия согласования выхода каскада со входом и поэтому при возникновении автоколебаний, когда амплитуда их еще мала, глубина положительной связи значительно больше единицы. Это вызывает рост амплитуды автоколебаний и транзистор начинает работать в сугубо нелинейном режиме: то попадает в режим отсечки (полностью закрывается), то — в режим насыщения (полностью открывается). Коэффициент усиления транзистора резко уменьшается и при амплитуде автоколебаний, близкой к напряжению источника питания, глубина ОС становится равной единице, т. е. на-

ной ионизации около стока, дальнейшему росту положительного объемного заряда дырок и т. д. Возникает положительная обратная связь между числом носителей, генерируемых вследствие ударной ионизации, и числом носителей, инжектируемых из истока. Это приводит к резкому неуправляемому росту тока, т. е. пробою, напряжение которого может быть в 1,5...2 раза меньше собственного напряжения лавинного пробоя р-п перехода сток—подложка. В транзисторах с длиной канала 1 мкм f си проб ^ '^ ^ ПРИ ^зи > ^пор- OHO снижается при росте концентрации примесей в подложке и уменьшении толщины стоковой области, как и в транзисторе с длинным каналом,

Итак, на участке б — в (см. 6.2) ток /а возрастает за счет увеличения тока /к и суммы ai + ctj, которая, однако, не достигает единицы на этом участке. На эмиттерных переходах увеличивается прямое напряжение, усиливается инжекция носителей заряда. Электроны, инжектируемые «2-эмиттером, проникают через коллекторный переход в область п \-базы, где создают неравновесный отрицательный заряд, снижающий потенциал данной базы, что увеличивает инжекцию дырок р\ -эмиттером. Дырки, проникая в область /гг-базы, увеличивают инжекцию электронов «2-эмиттером. Таким образом, в тиристорной структуре возникает положительная обратная связь, которая приводит к самопроизвольному лавинообразному увеличению анодного тока. Точка в является граничной, создаются условия отпирания тиристора. Напряжение на приборе в точке в называется напряжением включения UBKJt, а ток /а = /Вкл — током включения.

возникает положительная обратная связь и передаточная функция ^Ср (<02fc) принимает максимальное значение

При больших напряжениях t/кэ наблюдается резкое увеличение тока, обусловленное пробоем. В схеме ОЭ напряжение пробоя ?/кэопр0г> значительно ниже, чем в схеме ОБ (ср. 4.17 и 4.18). Понижение напряжения лавинного пробоя в схеме ОЭ объясняют проявлением внутренней положительной обратной связи. Пары носителей заряда, образующиеся в коллекторном переходе при ударной ионизации (см. § 2.5), разделяются полем этого перехода: электроны переносятся в коллектор, а дырки — в базу. Так как ток базы поддерживается постоянным, то дырки накапливаются в базе и повышают ее потенциал, т. е. прямое напряжение на эмиттерном переходе. Возрастает инжек-ция электронов в базу из эмиттера. Большая часть электронов проходит через базу в коллекторный переход. Там они в свою очередь вызывают ударную ионизацию, в результате чего увеличивается число дырок, попадающих в базу. Так возникает положительная обратная связь, приводящая к резкому увеличению коллекторного тока. С уче-

Существует и другой подход к определению шага квантования исходя из задаваемого значения погрешности. Для примера на 2.3,6 изображены в виде фигур, близких к треугольникам, значения абсолютных погрешностей, возникающих при квантовании. Эти фигуры подобны фигурам на 2.3, а. Так, кривая 0—1 ( 2.3, а) изображена на 2.3, б зеркально, поскольку она расположена выше горизонтальной 0 — /', вследствие чего при передаче возникает положительная погрешность -f Д3- На том же 2,3,6 показано, что заданное значение абсолютной погреш-

ся прямое напряжение, усиливается инжекция носителей заряда. Электроны, инжектируемые и2-эмиттером, проникают через коллекторный переход в область п\-базы, где создают неравновесный отрицательный заряд, снижающий потенциал данной базы, что увеличивает инжекцию дырок рх-эмиттером. Дырки, проникая в область р2-базы, увеличивают инжекцию электронов л2-эмитте-ром. Таким образом, в тиристорной структуре возникает положительная обратная связь, которая приводит к самопроизвольному лавинообразному увеличению анодного тока. Точка в является граничной, создаются условия отпирания тиристора. Напряжение на приборе в точке в называют напряжением включения UBK]1, a ток /а = /вкл — током включения.

Физические процессы, протекающие в структурах запираемых тиристоров, ао многом аналогичны уже рассмотренным для одноопера-ционного прибора. Исключение составляет процесс прерывания анодного тока отрицательным током управления. Полагаем, что до начала процесса выключения оба биполярных транзистора р-л-р-л-структуры находятся в состоянии насыщения (центральный переход имеет положительное смещение). При достаточной амплитуде и длительности запирающего тока, а также равномерности его распределения по однородным ячейкам избыточная концентрация неосновных носителей первоначально снижается до нуля вблизи центрального перехода структуры. При этом коллекторные переходы обоих транзисторов одновременно смещаются в обратном направлении, воспринимая часть внешнего анодного напряжения. Так как оба транзистора начинают работать в активном режиме, в структуре возникает положительная обратная связь при отрицательном базовом токе в л-р-л-транзисторе Вследствие лавинообразного уменьшения зарядов в базовых областях анодный ток тиристора начинает регенеративно снижаться. Составляющий л-р-л-транзистор первым попадает в область отсечки Действие положительной обратной связи прекращается, и дальнейший спад анодного тока определяется рекомбинацией остаточного заряда в л-базе тиристора ( 2.53).

При ВП однородное распределение тока через транзистор сменяется неоднородным. При этом возникает положительная обратная связь, при которой увеличение локальной плотности тока вызывает увеличение температуры в этой области, которая в свою очередь вызывает ещё большее увеличение плотности тока и т. д. На 3.21 в качестве примера приведены области безопасной работы реальных транзисторов фирм Fuji и Toshiba.

зующих петлю. В петле возникает положительная обратная связь, вызывающая генерацию с частотой fx, половина периода которых Тх/2 = 1/2/х равна сумма задержки распространения сигнала в петле. Измерив Тх, время распространения определится:

Среди разрядов в газе особое место занимают процессы, возникающие на небольших отверстиях и других подобных локальных нарушениях электрической прочности стенок из диэлектрических материалов. На таких локальных нарушениях происходит стяжка силовых линий. И если это отверстие в диэлектрической стенке, то в нем возникает плазма, а в прилегающих к стенкам слоях газа с одной стороны возникает положительная, а с другой — отрицательная корона. Воспламеняющая способность;;разрядов статического электричества при этом становится значительно больше, чем в отсутствие локальных нарушений электрической прочности. Такие разряды возникают при наличии дефектных сварных швов, микроотверстий или других отверстий в стенках труб или бункеров из пластмасс или стекла.