Возможности увеличитьРассмотрим возможности увеличения коэффициента сглаживания /С в фильтре ФЭ с двухзвенной цепочкой навходе ( VI .6, б). На конденсатор Сб фильтра ФЭ переменная составляющая попадает двумя путями: первым — через сопротивление гк и вторым — через резистор R6. Так как R0 много меньше, чем гв, то большая величина напряжения «сб приходится на долю второго пути. Поэтому двухзвенная цепочка на выходе значительно ослабляет исб и повышает коэффициент
на 15-3, а. Для возможности увеличения потокосцеплений в два раза, очевидно, в этих обмотках должен в момент ®t = л, по сравнению с предыдущим моментом со/ = я/2, возрасти в два раза и ток. Наоборот, в обмотках фазы В —• В' в этот момент ток становится равным нулю, поскольку они становятся коаксиально по отношению к обмотке возбуждения и создаваемому ею полезному потоку Ф0„.
Следует отметить, что технологические возможности увеличения ду-гостойкости контактных материалов весьма многогранны. На дуговую эрозию влияет способ изготовления металлокерамических композиций. Так, на 3.24 приведена зависимость дуговой эрозии контактов от тока в масле для металлокерамической композиции (80 W — Си), изготовленной двумя способами. В первом случае (чривая /) контакты изготовлены методом спекания двух фаз вольфрама и меди и их эрозия выше по сравнению со второй композицией того же состава, но изготовленной методом пропитки пористого каркаса из вольфрама легкоплавкой составляющей (медью) в жидкой фазе (кривая 2).
Следует заметить, что согласно (4.53) путем увеличения U.2 можно получить, что заряд ВЭА ql ?= 0. Однако при этом Uz/Ul = a22/a12, т. е. потенциал экрана должен быть больше потенциала ВЭА. Уже при значительно меньшем потенциале ?/2<С t/j разряд начинает развиваться не с высоковольтного электрода, а с дополнительного экрана, что и ограничивает возможности увеличения отношения f/2/i/i-
При интегрировании импульсов большой длительности, а также при точном интегрировании необходимы интегрирующие цепи с большой постоянной времени в. Однако технические возможности увеличения 0 ограничены. Увеличивать сопротивление резистора R можно только до тех пор, пока оно не станет соизмеримым с сопротивлением утечки схемы Ry ( 2.54). При большом значении R выходное на-
уже не пропорционально R. Возможности увеличения емкости С также ограничены: при больших расчетных значениях С используют электролитические или оксидно-полупроводниковые конденсаторы, стабильность которых невысока, а сопротивление утечки невелико. Малое сопротивление утечки не позволяет использовать большие значения R, т. е. получать большие постоянные времени. Выход из создавшегося положения заключается в использовании электронных интеграторов.
В области больших токов увеличение 1К= не дает существенного роста выходной мощности из-за снижения коэффициентов передачи р и Й21Э и коэффициента усиления мощности Кр. Возможности увеличения выходной мощности за счет роста амплитуды входного напряжения ограничены нелинейностью входных характеристик. При повышении ?/«Э= максимальная амплитуда выходного напряжения ограничивается напряжением пробоя: U^m Возможности увеличения параметра т и амплитуды /40 весьма ограничены. Поэтому основным путем увеличения быстродействия является повышение частоты со0.
Возможности увеличения параметра т и амплитуды А0 весьма ограничены. Поэтому основным путем увеличения быстродействия является повышение частоты со0.
При интегрировании импульсов большой длительности, а также при точном интегрировании, необходимы интегрирующие цепи с большой постоянной времени 6. Однако технические возможности увеличения 6 ограничены. Увеличивать сопротивление резистора R можно только до тех пор, пока оно не станет соизмеримым с сопротивлением утечки схемы ??у ( 2.58). При большом значении R выходное напряжение начинает уменьшаться из-за деления сиг-
личивается уже не пропорционально R. Возможности увеличения емкости С также ограничены: при больших расчетных значениях С используют электролитические или оксидно-полупроводниковые
где г'й — объемное сопротивление базы, Ом; С„ — емкость коллекторного перехода, пФ. Следовательно, для увеличения /тах транзистора нужно по возможности увеличить граничную частоту /гр и уменьшить г& и С„.
Для получения конкурирующих вариантов основного оборудования ГЭС следует увеличить ранее принятое минимальное число агрегатов на один или несколько (в зависимости от главной схемы электрических соединений), уменьшить диаметр DI и по возможности увеличить частоту вращения п. При этом к эксплуатационной характеристике первого варианта турбин добавляется характеристика одной или нескольких машин. Вместо добавляемых характеристик можно, в первом приближении, нанести лишь линии ограничения их пропускной способности. По полученной эксплуатационной характеристике второго варианта оборудования также определяются соответствующие значения ?>ь п и выработка энергии.
Как видно из анализа, для увеличения коэффициента усиления и ослабления синфазных помех необходимо по возможности увеличить сопротивление Кз в коллекторе Т т,. Однако с увеличением сопротивления резистора /?з приводится увеличивать и напряжение источника питания Ек, чтобы скомпенсировать перепад напряжения на RI от коллекторных токов Т\ — -Т}. То, что через резистор из протекает не только коллекторный ток Тз, но и коллекторные токи транзисторов Г] и Т% препятствует увеличению R3. Этот недостаток можно исключить путем введения дополнительного эмиттерного повторителя, как это показано на 3.32 (для упрощения схемы транзисторы, задающие ток эмиттеров, показаны в виде источника тока /).
Триоды, работающие в качестве оконечных усилителей (мощные усилители), должны удовлетворять иным требованиям. К этим лампам подводятся сигналы большой амплитуды. Поэтому рабочий участок анодно-сеточной характеристики при отрицательных Е7С должен быть большим. Такие характеристики часто называют «левыми» в отличие от «правых» анодно-сеточных характеристик, линейный рабочий участок которых находится большей частью в области положительных Uc. Левую характеристику можно получить только при малых (г, и для триодов — оконечных усилителей значение [J> лежит в пределах нескольких единиц. Максимальная мощность переменного сигнала анодной цепи усилительной лампы выделяется при Ra = R{. Величина этой мощности пропорциональна произведению [iS, которое называют добротностью лампы. Поэтому в триодах для мощных усилителей стремятся по возможности увеличить крутизну характеристики S.
Триоды, работающие в качестве оконечных усилителей (мощные усилители), должны удовлетворять иным требованиям. К этим лампам подводятся сигналы большой амплитуды. Поэтому рабочий участок анодно-сеточной характеристики при отрицательных Е7С должен быть большим. Такие характеристики часто называют «левыми» в отличие от «правых» анодно-сеточных характеристик, линейный рабочий участок которых находится большей частью в области положительных Uc. Левую характеристику можно получить только при малых (г, и для триодов — оконечных усилителей значение [J> лежит в пределах нескольких единиц. Максимальная мощность переменного сигнала анодной цепи усилительной лампы выделяется при Ra = R{. Величина этой мощности пропорциональна произведению [iS, которое называют добротностью лампы. Поэтому в триодах для мощных усилителей стремятся по возможности увеличить крутизну характеристики S.
сечения шин. Плотность переменного тока постоянна при толщине шины т«^ 0,7 А. Это и есть условие максимального использования материала проводника при передаче переменного тока. Расчет параметров линии передачи переменного тока в этом случае не отличается от расчетов линии для постоянного тока. Следует заметить, что при уменьшении толщины шин падает их внутреннее индуктивное сопротивление, а увеличение числа шин понижает внешнее индуктивное сопротивление. Если нет возможности увеличить число шин, то их толщину следует выбирать в пределах т = (1,2 —2) А.
-/?в 'следует по возможности увеличить; как показывают расчеты, порядок величин таков, что обратное соотношение невозможно. Отсюда ясно, что при любом значении >Кь сопротивление RE с точки зрения уменьшения нестабильности коллекторного тока следует брать по возможности большой величины.
В современной технике существуют две возможности увеличить расстояние, на которое можно передавать электроэнергию. Наиболее простой метод — повышение линейного напряжения. Однако не все простое гениально, и нас подстерегает здесь разочарование: предел не столь уж желанный — 700 000 В, ибо при более высоком потенциале (например, 1 000 000 В) возникают электрические поля, оказывающие влияние на окружающую среду.
рости воздушного потока в а выходе от 3 до 3,5 м/с. Ввиду того, что перепад плотности воздуха внутри и снаружи башни мал, а перепад давлений следует по возможности увеличить, градирня должна быть высокой. Новейшие градирни, сооружаемые на мощных электростанциях, — это колоссальные гиперболические башни, высота которых порой достигает 120 м. На 8.9 показана строящаяся градирня с естественной тягой; она будет обслуживать пылеугольную ТЭС мощностью 1300 МВт, потребляющую 2,27 тыс. м3 воды в мин.
Третий тип испарительных градирен — это градирни с принудительной вентиляцией. Поток воздуха создается при помощи вентилятора, установленного либо на входе (принудительный поток), либо на выходе (всасываемый поток). Применение вентилятора позволяет регулировать поток воздуха в зависимости от конкретной потребности в охлаждении воды. Градирни с принудительной вентиляцией могут быть ниже, чем градирни с естественной тягой. Из-за их малой высоты возникает ряд проблем, вызванных образованием приземного тумана и рециркуляцией теплового воздуха. Правда, сооружение их требует меньших первоначальных затрат, чем строительство градирен с естественной тягой, однако это преимущество сводится на нет высокой стоимостью эксплуатации, технического обслуживания и ремонта в течение срока службы градирни. Основное преимущество градирен с принудительной вентиляцией заключается в возможности увеличить высоту и ширину зоны охлаждения.
Из (12.26) следует, что для получения максимальной внутренней эффективности светодиода следует по возможности увеличить отношение вероятности излучательной рекомбинации к безызлуча-тельной. Безызлучательная рекомбинация, как правило, определяется в основном глубокими рекомбинационными центрами, излу-чательная же идет обычно в результате межзонных переходов ( 12.11, а), переходов из зоны проводимости на мелкие акцепторные уровни ( 12.11, б) или с мелких донорных уровней в валентную зону ( 12.11, б). Вероятность безызлучательной рекомбинации можно уменьшить, очистив полупроводник от глубоких рекомбинационных центров. Сделать это очень трудно, так как сечение захвата носителей некоторыми примесными центрами, например медью, велико и требуется очень высокая степень очистки оттаких примесей. Поэтому качество светодиодов в значительной мере зависит от степени очистки исходных материалов и совершенства технологии изготовления диодов.
В насосах реактора БН-350 оба радиальных подшипника (нижний и верхний) работают на масле и по конструкции идентичны. Усложненный слив из нижнего подшипника на 3.7 объяснялся тем что в условиях затесненности из-за отсутствия возможности увеличить длину консоли вала требуется, с одной стороны,
Похожие определения: Возникновению электрического Возрастает количество Волоконно оптический Возрастает значительно Возрастании температуры Возрастают пропорционально Возвратно поступательного
|