Возможности предоставляемые

Кроме системы /г-параметров, транзистор характеризуется эксплуатационными параметрами, предельные значения которых указывают на возможности практического применения прибора. К числу таких параметров относятся следующие.

Инверсный канал, возникающий при нулевом напряжении на затворе у транзисторов, формируемых на подложке р-типа, называется встроенным, т. е. возникающим самопроизвольно. Для МОП-транзисторов со встроенным каналом вместо порогового напряжения вводят понятие напряжения отсечки, т. е. напряжения, при котором электроны равновесного инверсного слоя отталкиваются от поверхности, что приводит к исчезновению встроенного канала. Возникновение встроенного канала не исключает возможности практического использования МОП-транзистора. Такие транзисторы способны работать при обеих полярностях напряжения на затворе. Однако наибольшее распространение имеют МОП-транзисторы с индуцированным каналом, хотя они могут работать только при одной полярности напряжения на затворе.

Применение ОУ. Возможности практического применения ОУ как базовых элементов аналоговой схемотехники вытекают из многообразия вариантов их применения, что определяется включением ОУ в линейные и нелинейные цепи ООС. В общем случае различают две схемы включения ОУ, охваченного ООС: инвертирующую и неинвентирующую ( 7.9).

По принципу действия обратные преобразователи могут быть как электромеханическими, так и химическими, тепловыми или световыми. Однако наиболее характерным признаком, определяющим возможности практического использования этих преобразователей, является их естественная выходная величина. В самом деле, для уравновешивания измеряемого усилия необходимо, чтобы обратный преобразователь развивал на выходе именно силу, а для измерения светового потока необходимо, чтобы выходная величина обратного преобразователя была в виде светового потока и т. д.

Особо следует остановиться на сверхпроводниках. Это материалы, у которых возможен переход в сверхпроводящее состояние. К ним относятся чистые металлы, сплавы, интерметаллические соединения, некоторые диэлектрические материалы. Возможности практического использования сверхпроводимости определяются температурой перехода в сверхпроводящее состояние Гкр (близкой к температуре абсолютного нуля) и критической напряженностью магнитного поля Якр. Основная трудность в разработке сверхпроводников — повышение Ткр.

Обычно для сверхдолгосрочного прогноза будущего используется информация о настоящем и прошлом. Применительно к годовому стоку рек такой информацией являются данные наблюдений за речным стоком, осадками, испарением, глубиной промерзания грунта и некоторыми другими геофизическими процессами. Эти процессы либо могут оказывать непосредственное влияние на речной сток, либо зависеть от тех же природных процессов, что и речной сток. Однако такого рода сверхдолгосрочные прогнозы не дали достаточно эффективных результатов и поэтому они еще далеки от возможности практического использования.

С 1953 по 1960 гг. в нашей стране серийно выпускались ЭВМ первого поколения типа БЭСМ-1, «Стрела», М-20, «Урал-1», «Урал-2», «Урал-4», «Минск-1» и др. Сравнительно небольшой срок службы ламп (до 104 ч) налагал жесткое ограничение на предельное число элементов, используемых в одной ЭВМ. Поэтому операционные возможности этих машин, емкость их памяти и быстродействие были незначительными. Кроме того, низкая надежность, значительные габаритные размеры и большое потребление мощности ограничивали возможности практического применения ЭВМ первого поколения.

Электроника как отрасль техники развивается исключительно быстрыми темпами. Непрерывное совершенствование технических средств электроники приводит к тому, что информация о конкретных видах электронных приборов и схем оказывается малоустойчивой. Поэтому попытка рассмотреть все виды приборов и схем, применяющихся в современной электронной аппаратуре или имеющих перспективы применения в будущем, будет заведомо безуспешной. Для этого имеются соответствующие стандарты, служебные и производственные инструкции, справочники. Гораздо важнее понять и осмыслить идеи, заложенные в основу работы электронных приборов и устройств, динамику и логику их развития, принципиальные возможности практического применения.

Приступая к изучению столь обширного класса приборов, необходимо вначале ознакомиться с конструкцией прибора того или иного типа, далее рассмотреть способы его включения в схему, принцип работы, характеристики, параметры, возможности практического применения. Следует обратить внимание также на особенности условных графических обозначений диодов и систему их маркировки. '

19. Укажите возможности практического применения светодиодов.

Транзистор, как и любой другой электронный прибор, характеризуется рядом эксплуатационных параметров, предельные значения которых - указывают на возможности практического применения того или иного транзистора. К числу таких параметров относятся: Максимально допустимая мощнсаПь Рк.шах, рассеиваемая коллектором, — это превращающаяся в тепло мощность тока коллектора, бесполезно расходуемая на нагревание транзистора. В общем случае мощность, рассеиваемая транзистором, складывается из мощностей, рассеиваемых каждым р-п переходом:

Следует, однако, отметить, что постоянно возрастающие требования к точности и быстродействию привода и более широкие и универсальные для выполнения этих требований возможности, предоставляемые современной цифровой вычислительной техникой и ее элементной базой по сравнению с аналоговой, привели к разработкам и все большему внедрению систем электропривода с цифровым управлением, в частности с микропроцессорным, в которых все измерения, передача информации, ее обработка и выработка оптимальных управляющих воздействий на систему привода и ее координаты производятся в цифровом виде. Подробное рассмотрение этих систем-выходит за рамки данного курса. Некоторое представление о цифровом управлении дается в гл. 13 при рассмотрении программного управления.

Возможности, предоставляемые относительной адресацией могут быть расширены, если в системе команд машины предусмотрены определенные арифметические и логические операции над базовыми адресами. В этом случае принято использовать для наименования данного способа адресации термин «индексация»; более подробно индексация рассматривается в гл. 5.

Для того чтобы наиболее полно использовать возможности, предоставляемые индексацией, необходимо ввести в состав команд машины специальные команды, которые осуществляют ряд операций нгд содержимым индексных регистров. В литературе этот i-абор операций часто именуется индексной арифметикой

Подавляющее большинство проектируемых ЭМММ составляют симметричные машины, т. е. машины с симметричным в поперечном сечении магнитопроводом и симметричными ветвями обмоток. Симметрия позволяет существенно упростить модели вследствие того, что повторяющиеся (симметричные) элементы можно моделировать единожды и тем самым сократить размерность систем уравнений. Практически все ранее разработанные методики для традиционного проектирования ЭМММ базируются на упрощенных моделях магнитных цепей, и в первую очередь симметричных. Эти методики и модели доведены до определенного совершенства и могут без доработок успешно использоваться при автоматизированном проектировании. Новые возможности, предоставляемые средствами вычислительной техники специалистам, полезно использовать для повышения адекватности моделей. Например, ЭВМ позволяют значительно облегчить моделирование нелинейных зависимостей и решение нелинейных задач за счет относительно дешевой реализации итерационных методов. Отсюда появляется возможность учитывать и такие явления, как ответвление магнитных потоков в конструктивные элементы ЭМММ или замыкание их по воздуху при насыщении и т. п.

Для того чтобы наиболее полно использовать возможности, предоставляемые индексацией, необходимо ввести в состав команд машины специальные команды, которые осуществляют ряд операций над содержимым индексных регистров. В литературе это" набор операций часто именуется индексной арифметикой.

Рассмотрим вкратце возможности, предоставляемые ПТ различного типа. Предварим, однако, это рассмотрение несколькими замечаниями общего плана. Наиболее важной характеристикой ПТ является отсутствие тока затвора. Получаемое, как следствие этого, высокое входное полное сопротивление (оно может быть больше 1014 Ом) существенно во многих применениях и в любом случае упрощает проектирование схем. В качестве аналоговых переключателей и усилителей со сверхвысоким входным полным сопротивлением ПТ не имеют себе равных. Сами по себе или в сочетании с биполярными транзисторами они легко встраиваются в интегральные схемы. В следующей главе мы увидим, насколько успешно это сделано при создании близ-

Задача создания программ-оболочек, интегрирующих совместную работу САПР различных фирм, в последнее время несколько упростилась, поскольку разработчики САПР теперь обычно включают в них интерфейсные возможности, предоставляемые идеологией языка Tel. В результате можно организовать совокупность взаимодействующих САПР, каждая из которых будет выступать как источник команд, так и как исполнитель (приемник) этих команд. Для этого САПР компонуется как пакет встроенных библиотек. Библиотека содержит синтаксический анализатор языка Tel и подпрограммы, интерпретирующие как действия команды языка с параметрами, предусмотренными в САПР. Команды языка Тс] могут считываться из источников различной природы, таких как командная строка, параметры вызова из другой программы (САПР), меню выбора и т. д. Соответственно, в САПР-приемнике определено выполнение команд.

рается на возможности, предоставляемые как архитектурой кристалла, так и собственно САПР Triscend FastChip.

Ресурсы и возможности, предоставляемые современными САПР, заставляют несколько по-новому относиться к проектированию автоматов. Здесь необходимо отметить два основных момента.

Стремление разработчиков использовать в своих проектах возможности, предоставляемые JTAG-интерфейсом (и граничным сканированием, в частности), должно начинаться с первых шагов проектирования.

После того как принято решение о базовых элементах проекта, разрабатывается предполагаемая архитектура аппаратной части будущей системы и производится распределение ресурсов по трем возможным направлениям реализации. Отдельные фрагменты проекта при ориентации на кристаллы класса SOPC могут строиться, используя возможности, предоставляемые: