Возможность построить

Концентраторы линий, к которым подключаются узлы, придают сети гибкость (возможность построения различных вариантов структур, в том числе иерархических) и надежность (обеспечивают возможность реконфигураций), облегчают эксплуатацию сети.

Формирование низкочастотного среза ЛАХ T,(f) не имеет на практике решающего значения, так как существует принципиальная возможность построения усилителя без реактивных элементов. Целесообразно выполнять АЧХ T(f) близкой к характеристике идеального среза -со средним наклоном 6... 10 дБ/окт ( 7.12), используя для этого емкости разделительных и 'блокировочных конденсаторов и индуктивные элементы, находящиеся в петле ОС усилителя, без применения дополнительных корректирующих цепей. Построение ЛАХ T(f) удобно вести от нижней границы полосы пропускания, начиная с частоты /н/2 к асимптоте. Начало ступеньки соответствует частоте

Появление быстродействующих биполярных микропроцессоров третьего поколения открыло возможность построения на их основе процессоров ЭВМ высокой производительности.

определяется в основном статической мощностью. Дальнейшее понижение частоты не приводит к ее изменению. Быстродействие схем с непосредственными связями на БТ определяется временем зарядки паразитных емкостей и временем рассасывания избыточного заряда неосновных носителей, накапливаемого в эмиттерной, базовой и коллекторной областях БТ. При этом время, необходимое для рассасывания избыточного заряда, больше времени зарядки паразитных емкостей. В этом заключается основной недостаток данных схем, обусловленный работой БТ в режиме насыщения. Противоречие заключается в том, что для уменьшения времени задержки переключения необходимо увеличить уровни рабочих токов, при росте которых увеличивается время задержки, связанное с накоплением избыточных зарядов неосновных носителей. Среди схем с непосредственными связями на БТ наибольшее распространение получили схемы, базовые элементы которых соответствуют обобщенной структурной схеме, приведенной на 1.2. Существует возможность построения базовых элементов в соответствии с обобщенной структурной схемой 1.5. По аналогии со схемами на комплементарных МДП-транзисторах в качестве ПЭ можно использовать БТ я-р-л-типа, а в качестве НЭ — БТ /7-л-р-типа. Однако целесообразность такого схемотехнического решения не является очевидной, так как во входных цепях будут протекать токи в стационарных состояниях, поскольку БТ является прибором, управляемым током .

времени и влияния изменений в окружающей среде — температуры, влажности и т. д.), возможность построения аппаратуры с применением последних достижений микроэлектроники.

При выборе участка ЛСЧ, занимаемого ТВ сигналом, учитывают следующие факторы: 1) неравномерность характеристики группового времени запаздывания коаксиального кабеля; 2) возможность построения полосовых фильтров с требуемым подавлением побочных продуктов, возникающих в процессе преобразования спектра ТВ сигнала в ЛСЧ и обратно; 3) возможность фазовой коррекции канала ТВ; 4) простоту транзитных соединений ТВ канала различных систем, например К-1920 и К-3600; 5) простоту разделения сигналов ТВ, звукового сопровождения и вещания. Этим требованиям удовлетворяет линейный спектр ТВ сигнала, сигналов ЗС и 3В, реализованный в системах К-192ОП ( 6.13, а), К-3600 ( 6.13,6) и К-1920 ( 6.13, в). Выбор линейной несущей частоты ТВ сигнала /о в нижней части линейного спектра (а не в верхней, что в принципе возможно) определяется прежде всего стремлением обеспечить наибольшую помехозащищенность от флуктуационных шумов.

Большинство из выпускаемых в настоящее время логических элементов являются элементами потенциального типа. В некоторой степени это объясняется тем, что метод интегральной технологии открыл возможность построения логических элементов и соединений между ними без применения реактивных элементов, так как изготовление последних этим методом затруднительно. В элементах потенциального типа электрический сигнал представляется тем или иным уровнем напряжения на входах и выходах схемы. Напряжение может принимать два номинальных значения: U' и U". В соответствии с этим двоичные числа изображаются высоким и низким уровнями напряжения. В соответствии с ГОСТ 13418—79 высокий уровень напряжения соответствует единице, а низкий — нулю. В зависимости от принятого соотношения между значениями напряжений (U' и U") и двоичной переменной (О, 1) различают положительную и отрицательную логику. При положительной логике напряжение U' соответствует нулю, a U" — единице. При отрицательной логике И' соответствует единице, a U" — нулю. При этом, следует заметить, уровни напряжение U' и U" могут быть положительной полярности ( 100, а), отрицательной полярности

При разработке БИС возникает ряд задач и особенностей, не связанных с традиционными представлениями о расчете и проектировании электронной аппаратуры. Это обусловлено прежде всего структурой и конструкцией БИС, интегральной технологией их изготовления и областями применения. По мере совершенствования технологии микроэлектроники, с ростом степени интеграции элементов на подложке функциональная сложность БИС непрерывно возрастает, а выполняемые ими функции приближаются к аппаратурным. В настоящее время имеется реальная возможность построения на одной БИС малых вычислителей (калькуляторов), микропроцессоров, запоминающих устройств, различных преобразователей и т. д.

• Цифровые (логические) ИМ С предназначены для выполнения разнообразных логических функций, запоминания информации и ряда других операций и в совокупности обеспечивают возможность построения арифметических, запоминающих и управляющих устройств в ЭВМ.

Известна и другая возможность построения ячейки памяти для РПЗУ на основе МДП транзисторов с однослойным диэлектриком. Если прикладывать к затвору достаточно большое напряжение, то будет наблюдаться лавинный пробой диэлектрика, в результате чего в нем будут накапливаться электроны. При этом у транзистора изменится пороговое напряжение. Заряд электронов сохраняется в течение тысяч часов. Для того чтобы осуществить перезапись информации, нужно удалить электроны из диэлектрика. Это достигается путем освещения кристалла ультрафиолетовым светом, вызывающим фотоэффект: выбивание электронов из диэлектрика.

более низкую чувствительность, чем преобразователи с изменяющимся зазором. По той же причине для получения необходимой индуктивности требуется большее число витков, что ведет к значительному увеличению собственной емкости. Плунжерные преобразователи чувствительны к влиянию внешнего магнитного поля и поэтому требуют экранирования. Сильное влияние на линейность и стабильность функции преобразования оказывает форма катушки, равномерность намотки. Каркас катушки должен иметь стабильную и правильную цилиндрическую форму. Существует еще одна особенность преобразователей плунжерного типа, затрудняющая возможность построения дифференциальных преобразователей. Дело в том, что между катушками дифференциального преобразователя имеет место взаимная индуктивность. При очень сильной связи между катушками дифференциального преобразователя, когда значительная часть потока является общей, чувствительность к перемещению якоря сильно падает.

Тем не менее квазистационарная теория линий передачи не потеряла своей актуальности по двум причинам. Во-первых, линии передачи,с Т-волнами повсеместно используются (см. гл. II). Во-вторых, линии передачи этого класса дают возможность построить простые и наглядные математические модели, пригодные для изучения закономерностей волновых процессов в передающих системах любой природы.

При заданном питающем напряжении и параметрах механической системы, связанной с электромагнитом, его Динамические характеристики определяются зависимостью индуктивности обмотки от перемещения якоря (в случае ненасыщенной магнитной системы) и сопротивлением обмотки. В соответствии со сказанным проектирование конструкции оптимального электромагнита можно разбить на два этапа. На первом этапе заданными являются зависимости от перемещения якоря скорости движения, сил сопротивления, массы элементов, участвующих в движении. Перечисленные'зависимости дают возможность построить требуемую динамическую тяговую характеристику. Задача расчета — определение закона изменения индуктивности и сопротивления обмотки, обеспечивающих получение заданной динамической характеристики.

дает возможность построить усредненную кривую В [ (II), которая приведена на 2-5. Там же приведены зависимости и. —

8. Для каждого значения напряжения определяют токи и суммируют их; это дает возможность построить точки результирующей вольт-амперной характеристики ( 13, б).

неограниченно долго. Эти свойства аморфных материалов уже дали возможность построить пороговые переключатели, ячейки памяти, перестраиваемые ключи памяти с двумя устойчивыми состояниями. Отметим, что интервал рабочих температур аморфных переключателей и ячеек памяти составляет от —180 до +180°С.

Убедившись в правильности выбора диода, определяют действующее значение фазного тока в первичной обмотке /ь после чего можно произвести конструктивный расчет трансформатора. Из последнего станет известным величина гтр, что даст возможность построить внеш-

Диаграмма 12-14 дает возможность построить U-образную кривую зависимости / = f(/B) и кривую cos q> — f(iB) при Р = const

Диаграмма 12-14 дает возможность построить U-образную кривую зависимости / — /(/„) и кривую cos ф = f(ia) при Р = const

Диаграмма 14-11 дает возможность построить действительную результирующую диаграмму векторов токов и э. д. с. ( 14-12). Для этого строим диаграмму равных по величине э. д. с. Ёа, Ёь и ?с, сдвинутых относительно друз" друга на 120°. Затем, исходя из диаграммы 14-11, строим систему токов 1а, 1и и 1С, сдвинутых от

Определим значения полных сопротивлений Zn, тока /п и cos фп главной цепи каскада для различных наиболее существенных скольжений каскада, дающих возможность построить векторы токов и соответственно круговые диаграммы каскада:

возможность построить векторную диаграмму ( 14-13). Эта диаграмма отличается от диаграммы катушки ври 578