Возможность формирования

Метод регулировки. Сущность метода заключается в том, что требуемая точность выходных параметров сборочных единиц достигается путем изменения значения параметра специального регулировочного элемента. Наличие такого элемента с переменным параметром позволяет получить необходимую точность не только в период производства, но и при эксплуатации аппаратуры. Вторым достоинством метода регулировки является возможность достижения требуемой точности выходных параметров при широких допусках на параметры ЭРЭ и наличии больших значений паразитных монтажных параметров.

Если все транзисторы (часто употребляются термины «ключи», «вентили») закрыты, подача на один или несколько входов логической «1» приводит к изменению потенциала выхода от «1» к «О», а это соответствует упомянутой логической функции. Недостатком схем ТЛНС является резкая нелинейность сопротивления входа. При подаче сигналов логической единицы на различные входы некоторые базовые токи могут оказаться чрезмерно большими, а другие транзисторы не достигают насыщения, что в данном случае нежелательно. Поэтому логика ТЛНС, несмотря на свою простоту, экономичность и возможность достижения хо-рошегр быстродействия, сейчас практически не применяется. Этот тип логики использовался ранее в сериях К102, КЮЗ.

Выполнив вид сверху или сбоку, выбирают толщину подложки, к которой предъявляют следующие требования: 1) хорошая обрабатываемость и достижение высоких классов чистоты рабочей поверхности (среднеквадратичная неравномерность не более 3 нм), так как качество рабочей поверхности звукопровода существенно влияет на затухание ПАВ, с одной стороны, и влечет за собой возрастание его стоимости, усложняя операции шлифовки и полировки, с другой; 2) возможность достижения неплоскостности не более 0,1 мкм; 3) обеспечение стабильности геометрических размеров; 4) высокие механическая прочность и химическая стойкость; 5) устойчивость к воздействию перепадов температур и т. д.

ции теряют свою компактность и наглядность. Заметим, однако, что, несмотря на усложнение самой схемы и вида воздействующего напряжения, общие решения для х', х" получают одинаково просто, что имеет большое значение. Усложняются формулы для описания единичной переменной состояния. Матричная же форма остается простой. При этом возникает проблема численной обработки выражений, содержащих матричные функции (см. гл. 5). При необходимости получения результата в виде обычных, а не матричных функций интерес представляет возможность достижения результата наиболее рациональным образом, для чего может быть осуществлена, например, замена переменных в уравнениях состояния, обеспечивающая наиболее удобный для использования формул (2.3), (2.4) вид матриц коэффициентов.

на предположении о постоянстве относительной скорости отброса(истечения) газовых частиц из камеры реактивного двигателя, он вывел и исследовал уравнение, устанавливающее зависимость между скоростью полета ракеты, скоростью отброса частиц газа, массой ракеты и массой израсходованного топлива,— уравнение, широко известное теперь под названием формулы Циолковского. Еще через шесть лет, в 1903 г., им была начата публикация классической работы «Исследование мировых пространств реактивными приборами», в которой впервые обосновывалась возможность достижения космических скоростей и полета ракет в космическом пространстве, приводились необходимые расчетные формулы и излагались основы выбора ракетных двигателей и топлива для них. Но прогрессивный журнал «Научное обозрение», осуществлявший публикацию, был вскоре запрещен по настоянию царской тайной полиции, и вторая часть работы, содержащая исследование космических траекторий ракет в поле тяготения Земли и детальное рассмотрение проблем полетов к Луне, Марсу и Венере, смогла увидеть свет лишь в 1911 —1912 гг. во вновь основанном журнале «Вестник воздухоплавания» [14].

Проектными проработками и расчетами доказана возможность достижения на ТЭЦ высокого давления удельных расходов топлива на производство электроэнергии до 160—180 г на полезно отпущенный 1 кВт • ч. Фактические удельные расходы на ТЭЦ Минэнерго СССР равны 279,4 г/(кВт-ч).

Теплофизические расчеты газрохлаждаемых быстрых реакторов при давлениях 115—170 атм и выходной температуре газа 300—320 °С показали возможность достижения удельной теплонапряженности 900—1800 кет/л.

возможность достижения более высоких, чем у натриевых бридеров, коэффициентов воспроизводства и меньшего времени удвоения;

Комплексные исследования теплофизических и физических характеристик газоохлаждаемых быстрых реакторов на N2O4 со стержневыми твэлами (диаметром 5 — 6 мм) показали возможность достижения удельной теп-лонапряженности 900—1200 кВт/л при давлении газа 110—150 бар, подогреве газа до 200—450 °С, его скорости 25 — 40 м/с, максимальной температуре топлива 1100—1200 °С в беззазорном варианте твэлов и температуре 1300—1350°С при радиальном зазоре 0,03 — 0,05 мм, температуре оболочки твэлов с учетом факторов перегрева 700 — 720 °С.

стики соответствующих систем в общем случае, можно определить направление процессов взаимодействия, характер образующихся фаз и возможность достижения равновесного состояния. Однако период времени, необходимый для достижения равновесия, можно определить только экспериментально. При этом следует иметь в виду, что он зависит от скорости протекания самой медленной стадии процесса взаимодействия, которой обычно является взаимная диффузия компонентов на границе оболочки с топливом и теплоносителем.

Таким образом, достижение той или иной цели происходит в результате решения определенной задачи функционирования. При этом исходные условия можно интерпретировать как подцели достигаемой цели. Эти условия могут быть заданы в математической, логической или любой другой форме. Выполнение исходных условий означает возможность достижения цели. Причем в одних случаях цель будет автоматически достигаться при выполнении подцелей, а в других случаях для этого потребуются еще дополнительные усилия (информационные и вещественно-энергетические).

Произведение двух (п—1)-разрядных чисел может иметь 2 (я —1) значащих разрядов. Поэтому при операции умножения целых чисел необходимо предусмотреть возможность формирования в АЛУ произведения, имеющего двойную по сравнению с сомножителями длину. В ЭВМ, в которых числа с фиксированной точкой являются дробями, младшие п— 1 разрядов произведения часто отбрасываются (при отбрасывании может производиться операция округления произведения).

и базовой областей биполярного /J-n-p-транзистора соответственно с затворной и истоковой областями л-каналь-ного полевого транзистора с управляющим /j-п-переходом. Особенностью структуры ИПЛ является возможность формирования рабочих областей прибора в монокристаллической подложке без эпитаксиальной пленки, что обеспечивает ряд преимуществ данного элемента по сравнению с известными биполярными функционально-интегрированными элементами — простоту технологии, большой процент выхода годных. Технология ИПЛ отличается от технологии классической И2Л наличием в затворной области маскированного участка, под которым формируется канал ПТ. Топология элемента допускает выполнение выхода инвертора в виде нескольких независимых стоковых областей, аналогично многоколлекторному выходу элементов И2Л. Оптимальной с точки зрения простоты изготовления является конструкция переключательного элемента в виде структуры с вертикальным каналом, а генератора тока в виде горизонтального БТ, что обеспечивает функциональную интеграцию и технологическую совместимость БТ и ПТУП.

Автоэпитаксия (гомоэпитаксия) - процесс ориентированного наращивания кристаллического вещества, одинакового по структуре и не отличающегося химически (или отличающегося незначительно) от вещества подложки. Отличие может заключаться в различном уровне легирования и типе примесей, что обусловливает возможность формирования гомогенных электронно-дырочных структур.

При проектировании МОЗУ возникает задача построения реверсивного дешифратора. Под реверсивностью понимается возможность формирования в нагрузке, подключенной в каждому выходу дешифратора, импульсов тока различной полярности. В МОЗУ это необходимо, чтобы по одной и той же шине (одна нагрузка г,-) считывать информацию из ячейки, формируя в этой шине импульс тока одной полярности, и записывать информацию в эту же ячейку, формируя в той же шине импульс тока другой полярности.

вать возможность формирования импульсов тока /сч ^ -=- /м,

Тяговой характеристикой ЭММ называется зависимость электромагнитного усилия (ЭМС) F от значения зазора б при неизменном значении тока во всех токоведущих частях. Для ЭДМ на 6.4,6 это может быть зависимость F(8) или /г(61). При определенных значениях зазора d и размерах катушек и МС ЭМС такого ЭДМ может оставаться практически постоянным при изменении зазора. В некоторых случаях практического использования ЭММ такой вид тяговой характеристики имеет первостепенное значение. Важным преимуществом рассматриваемого ЭДМ является возможность формирования тяговой характеристики нужного вида.

Встроенная клавиатура позволяет производить непосредственное считывание сигнала на экране осциллографа, причем предусмотрена возможность формирования средних значений исследуемого сигнала, вследствие чего значительно увеличивается отношение сигнал-шум, а следовательно, и качество изображения. Могут измеряться десятки параметров входного сигнала при нажатии соответствующих клавиш. Длительность вычислений не пре-

1. Полупроводниковые интегральные схемы (иначе называемые твердотельными или монолитными) являются наиболее перспективными в современной микроэлектронике. Их особенность заключается в выполнении в пределах объема или на поверхности единой полупроводниковой подложки. Технология изготовления основывается на использовании процессов окисления, фотолитографии, диффузии, эпитаксии и металлизации. К достоинству полупроводниковых интегральных схем относится возможность формирования транзисторов на одной подложке со всей схемой при исключительно малых размерах схемы, площадь которой обычно не превышает 1—2 мм2. Готовая схема располагается в герметичном кор-

дического и технико-экономического обоснования. Задача, однако8 состоит не только в повышении обоснованности отдельных нормативных требований, но и в создании системы нормативов, взаимосогласованных друг с другом, обеспечивающих возможность формирования оптимальных решений при планировании развития и при эксплуатации систем энергетики с учетом действующей иерархии управления.

Солнечные элементы на основе аморфного кремния обладают рядом практических преимуществ по сравнению с использованием обычного кристаллического кремния: более низкая температура наращивания; возможность формирования перехода в процессе осаждения; простота получения солнечных элементов большой площади. Кроме того, солнечные элементы на основе a-Si: Н могут создаваться на различных подложках, таких как стекло, полимер или керамика, покрытые проводящим слоем, а также на металлических листах. Среди последних наиболее часто используется подложка из нержавеющей стали.

Солнечные элементы на основе аморфного кремния обладают рядом практических преимуществ по сравнению с использованием обычного кристаллического кремния: более низкая температура наращивания; возможность формирования перехода в процессе осаждения; простота получения солнечных элементов большой площади. Кроме того, солнечные элементы на основе a-Si: Н могут создаваться на различных подложках, таких как стекло, полимер или керамика, покрытые проводящим слоем, а также на металлических листах. Среди последних наиболее часто используется подложка из нержавеющей стали.