Воздействию агрессивных

Для образца, впервые подвергающегося воздействию электрического поля, зависимость D (Е) — кривая первоначальной поляризации — представлена на 1.5, б. Для нелинейных материалов возможны два определения диэлектрической проницаемости:

Если металлический проводник подвергается воздействию электрического поля, то свободные электроны в нем получают ускорение, направленное против поля *, и отклоняются от направления, обусловленного тепловым движением, приобретая некоторое направленное движение по линии поля. Скорость этого добавочного движения весьма мала по сравнению со скоростями, присущими электронам в их тепловом движении. Поэтому она не оказывает влияния на время свободного пробега электронов.

г) Движение заряженных частиц в электрическом и магнитном полях. Заряженная частица в вакууме, подвергающаяся воздействию электрического поля, приобретает под действием электростатических сил ускорение, которое в однородном поле направлено вдоль линий поля и постоянно по величине:

Для сегнетоэлектрика, впервые подвергающегося воздействию электрического поля, зависимость смещения от напряженности поля D (?) выражается кривой начальной поляризации, аналогичной кривой начального намагничивания ферромагнетика. После окончания воздействия электрического поля в сегнетоэлектрике сохраняется остаточное смещение аналогично остаточной магнитной индукции в ферромагнетике, т. е. сегнетоэлектрики подобно ферромагнетикам обладают гистерезисом. Площадь петли гистерезиса пропорциональна потерям энергии на электрический гистерезис за один цикл изменения напряженности поля. При упрощенных расчетах явлением гистерезиса и потерями часто пренебрегают и пользуются основной кривой поляризации. Она подобна основной кривой намагничивания ферромагнетика, т. е. представляет собой кривую, проведенную через вершины гистерезисных петель, которые получены при различных максимальных значениях напряженности поля.

и равномерно прогреваются по всей массе, если подвергнуть их воздействию электрического поля, изменяющегося с высокой или сверхвысокой частотой. Это уникальное свойство микроволн совершенно непохоже на характерные черты традиционных методов нагрева, при которых в поперечном сеченки обрабатываемое изделие имеет неодинаковую температуру. Вот почему большинство сортов резины без труда можно подвергать микроволновому нагреву.

Плотность определяется для расчета массы поступившего на предприятие масла. Она характеризует содержание ароматических углеводородов, т.е. восприимчивость масел к присадкам, их гигроскопичность, сопротивляемость воздействию электрического поля и др.

Кабель стойкий к воздействию электрического потенциала 10,15 и 20 кВ.

Механические свойства ОК. Кабель стойкий к растягивающим усилиям: разрывное усилие не менее, Н: 33000, 44000, 60000, 77000, 96000, 110000. ОК стоек к эоловой вибрации и галопированию. Кабель стойкий к воздействию электрического потенциала 10, 15 и 20 кВ.

1) универсальность метода: частицы любых материалов, как проводящих, так и изоляционных, могут быть заряжены и в заряженном состоянии могут быть подвергнуты воздействию электрического поля;

Плотность определяется для расчета массы поступившего на предприятие масла. Она характеризует содержание ароматических углеводородов, т.е. восприимчивость масел к присадкам, их гигроскопичность, сопротивляемость воздействию электрического поля и др.

Экспонирование фоторезистов производят через фотомаску (фотошаблон) с изображением элементов прибора или схемы. После обработки фоторезиста в растворе, удаляющем экспонированные участки (проявителе), на поверхности пластины образуется рельефное изображение, устойчивое к воздействию агрессивных сред, таких, как кислоты и щелочи, даже при нагревании. Полимерные системы, из которых формируют фоторезисты, могут обладать чувствительностью не только к видимому или ультрафиолетовому (УФ) излучению, но и к потоку электронов (электронорезисты) или к рентгеновскому излучению (рентгенорезисты). Соответственно процессы литографирования в этих случаях называются электронолитография или рентгенолитография. Схема процесса фотолитографии с использованием негативных и позитивных фоторезистов показана на 3.1.

Стойкость к воздействию агрессивных сред. Этот параметр трудно оценивать количественно. Иногда эта величина пропорциональна (или равна) времени отслаивания пленки фоторезиста при обработке в стандартном травителе [с]. В последнее время химическую устойчивость фоторезиста чаще характеризуют плотностью дефектов [мм~2], передающихся на подложку при травлении рельефа. При такой оценке могут быть получены заниженные данные, ввиду того что дефекты являются следствием не только процесса фотолитографии. Необходимое условие обеспечения стойкости — получение однородной бездефектной пленки с высокой адгезией к подложке, по возможности пассивной к химическим реагентам, применяемым для проявления фоторезиста и травления рельефа в защитном слое.

На поверхность материала наносят слой особого светочувствительного состава — фоторезиста. Фоторезисты— светочувствительные и устойчивые к воздействию агрессивных сред {кислот, щелочей) вещества, предназначенные для создания защитного рельефа требуемой конфигурации от последующего воздействия химических, физических, электрохимических и прочих агрессивных воздействии. Защитный рельеф образуется в результате того, что под действием света, падающего на определенные участки фоторезистивного слоя, последние изменяют свои физико-химические свойства.

Стойкость фоторезистивного покрытия к воздействию агрессивных сред зависит также от адгезии слоя к подложке. Поэтому кислотостойкость фоторезистов часто оценивают фактором травг-ления (см. 10-3).

Подготовка поверхности подложки предшествует операции нанесения фоторезиста и служит для обеспечения качества фоторезистивного покрытия, его адгезии к подложке и, следовательно, стойкости к воздействию агрессивных сред.

Сущность процесса фотолитографии заключается в следующем. На поверхность материала наносят слой особого светочувствительного материала — фоторезиста, устойчивого к воздействию агрессивных сред (кислот, щелочей). Он предназначен для создания защитного рельефа требуемой конфигурации от последующего воздействия химических, физических, электрических и прочих агрессивных воздействий. Защитный рельеф образуется в результате того, что под действием света, падающего на определенные участки фоторезистивного слоя, последние изменяют свои физико-химические свойства.

Стойкость фоторезистивного покрытия к воздействию агрессивных сред зависит также от адгезии слоя к подложке. Поэтому кис-лотостойкость фоторезистов часто оценивают фактором травления:

Адгезия фоторезистивного слоя к подложке необходима для качественного проведения следующих за нанесением фоторезиста операций фотолитографического процесса и обеспечения стойкости защитного рельефа к воздействию агрессивных сред.

Рассмотрим назначение и сущность основных операций типового процесса фотолитографии. Подготовка поверхности подложки предшествует операции нанесения фоторезиста и служит для обеспечения качества фоторезистивного покрытия, его адгезии к подложке и, следовательно, стойкости к воздействию агрессивных сред. Для подготовки поверхности подложки используются обычное обезжиривание, физико-химическая обработка, нанесение связующего подслоя и т. д.

Фоторезисты -"г- светочувствительные и после проявления устойчивые к воздействию агрессивных сред (кислот, щелочей) составы. Свет, действуя на эти материалы, либо разрушает молекулы, либо вызывает их дополнительную итолимеризащию. В зависимости от этого по способу образования рельефа фоторезисты делят на негативные и позитивные. В негативном фоторезисте при освещении возрастает степень полимеризации, и при проявлении он

К фоторезистам, используемым при производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем, предъявляют следующие основные требования: высокая светочувствительность, высокая разрешающая способность, стойкость к воздействию агрессивных факторов, стабильность эксплуатационных свойств во времени.