Воздействии температуры

Проектирование является первым и основным этапом обеспечения требуемой надежности радиоаппаратуры. Повышение надежности существенно зависит от конструктора, осуществляющего выбор типов радиоэлементов и режимов их работы, материалов, компоновки аппаратуры, учета психофизических возможностей оператора, удобства оперативного и технического обслуживания. В целом конструктивное решение аппаратуры должно предусматривать обеспечение требуемых выходных параметров при воздействии различных дестабилизирующих климатических и механических факторов. Для получения высокой степени надежности может быть использовано резервирование наиболее ответственных

Механические дефекты в выводах сравнительно легко выявляются при воздействии различных механических нагрузок (ускорения и вибрации).

Настройка многоконтурной системы с подчиненным регулированием параметров достигается последовательной оптимизацией контуров системы, начиная с внутреннего и кончая внешним. Под оптимизацией контура обычно понимают такую его настройку, которая наилучшим образом отвечает поставленным требованиям. Эти требования можно разбить на две основные группы: требования к динамике (поведению системы в переходных режимах) и требования к поведению системы при изменении внешних условий ее работы (напряжения, частоты питающей сети, температуры и др.). Что касается требований к динамике, то их смысл сводится к тому, чтобы сделать систему управления как можно более гибкой, т. е. чтобы регулируемая величина как можно быстрее и точнее следовала за изменением задания, а также возможно меньше отклонялась от заданного значения при воздействии различных возмущений. Отклонения регулируемой величины от заданного значения должны устраняться регулятором за кратчайшее время и с минимальным перерегулированием. В реальных системах эти Два требования -^ минимальное время отработки и отсутствие (или минимальное значение) перерегули-

Настройка многоконтурной системы с подчиненным регулированием параметров достигается последовательной оптимизацией контуров системы, начиная с внутреннего и кончая внешним. Под оптимизацией контура обычно понимают такую его настройку, которая наилучшим образом отвечает поставленным требованиям. Эти требования можно разбить на две основные группы: требования к динамике (поведению системы в переходных режимах) и требования к поведению системы при изменении внешних условий ее работы (напряжения, частоты питающей сети, температуры и др.). Что касается требований к динамике, то их смысл сводится к тому, чтобы сделать систему управления как можно более гибкой, т. е. чтобы регулируемая величина как можно быстрее и точнее следовала за изменением задания, а также возможно меньше отклонялась от заданного значения при воздействии различных возмущений. Отклонения регулируемой величины от заданного значения должны устраняться регулятором за кратчайшее время и с минимальным перерегулированием. В реальных системах эти Два требования -^ минимальное время отработки и отсутствие (или минимальное значение) перерегули-

Применение полевых транзисторов. Полевые транзисторы нашли широкое применение в радиоэлектронике. МДП-транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление (Лвх ^ 10'4 Ом, иногда до 1017 Ом). Транзисторы с управляющим р-и-переходом имеют более низкое входное сопротивление (до 1011 Ом при комнатной температуре). Кроме того, параметры МДП-транзисторов меньше зависят от температуры, чем биполярные (так как принцип их работы основан на использовании только основных носителей). Полевые транзисторы могут работать при низких температурах (вплоть до близких к абсолютному нулю), имеют высокую стабильность параметров во времени при воздействии различных внешних факторов, обладают вь::сокой радиационной устойчивостью (на порядок больше, чем кремниевые биполярные), что важно при использовании транзисторов в космической технике и низким уровнем шумов в области частот до 10 Гц. Коэффициент шума составляет ~0,1 дБ при сопротивлении источника сигнала ~ 1 МОм.

етью параметров при воздействии различных внешних факторов (влаги, температуры, высокого напряжения и др.). Благодаря высоким электромеханическим свойствам стеатит нашел применение для изготовления высокочастотных установочных деталей, высоковольтных и низковольтных конденсаторов, высоковольтных антенных внутриламповых пористых и других изоляторов. Пластичный высокочастотный высоковольтный стеатитовый материал СПК-2 применяется для изготовления крупногабаритных изоляторов, а непластичные СНЦ, СК-1, Б-17, С-55 и С-4 — для изготовления электроизоляционных деталей и высокочастотных конденсаторов.

Основным перспективным направлением развития технологии является непосредственное формирование функциональных элементов микросхем при воздействии различных видов энергии, т. е. полное использование принципов локальности и селективности.

имеют очень высокое входное сопротивление (RBX > 1014 Ом, иногда до 1017 Ом). Транзисторы с управляющим p-n-переходом имеют более низкое входное сопротивление {до 101' Ом при комнатной температуре). Кроме того, параметры МДП-транзисторов меньше зависят от температуры, чем биполярных (так как принцип их работы основан на использовании только основных носителей). Полевые транзисторы могут работать при низких температурах (вплоть до близких к абсолютному нулю), имеют высокую стабильность параметров во времени при воздействии различных внешних факторов, обладают высокой радиационной устойчивостью (на порядок больше, чем кремниевые биполярные), что важно при использовании транзисторов в космической технике и с низким уровнем шумов в области частот до 10 Гц. Коэффициент шума составляет ~0,1 дБ при сопротивлении источника сигнала ~1 МОм.

Коэффициент усиления УОС можно найти, если задано суммарное допустимое изменение выходного напряжения Af/j; ПРИ воздействии различных дестабилизирующих факторов. При этом могут быть вычислены изменения соответствующих параметров АЯ. Поскольку А?/2 определяется суммированием приращений Д?/н, определяемых приращениями различных влияющих параметров, имеем

При воздействии различных факторов (температуры, влаги, химических, механических и других воздействий) параметры, характеристики и некоторые свойства полупроводниковых приборов могут изменяться. Для защиты структур полупроводниковых приборов от внешних воздействий служат корпуса приборов. Корпуса мощных приборов одновременно обеспечивают необходимые условия отвода тепла, а корпуса СВЧ приборов — оптимальное соединение электродов приборов со схемой. Необходимо иметь в виду, что корпуса приборов имеют ограничения по герметичности и коррозионной устойчивости, поэтому при эксплуатации приборов в условиях повышенной влажности рекомендуется покрывать их специальными лаками (например, типа УР-231 или ЭП-730).

ного типа реле. Значение его с допусками указывается в технической документации на конкретное исполнение реле. Реле, не имеющее производственных дефектов, при рабочем токе (напряжении) в указанных пределах должно нормально функционировать как в нормальных условиях, так и при воздействии различных механических и климатических факторов. Обычно работоспособность реле в электрических схемах проверяют при воздействии предельных температур. При повышенной температуре окружающей среды проверяются нагрев обмотки реле и чувствительность. При пониженной температуре окружающей среды соответствующая чувствительность реле будет обеспечена, так как даже при минимальном рабочем напряжении (за счет снижения сопротивления обмоток) будет достаточный запас по чувствительности. При максимальном рабочем напряжении в этих условиях будет происходить нагрев обмотки, который не должен превышать допустимый нагрев обмоточного провода.

Ток (напряжение) отпускания, так же как и ток (напряжение) срабатывания, приводится в технической документации как для нормальных условий, так и при воздействии различных дестабилизирующих факторов.

Полупроводниковый диод представляет собой электропреобразовательный полупроводниковый прибор с одним p-n-переходом и двумя внешними выводами от областей кристалла с разными типами электропроводности. Именно p-n-переход является основой любого полупроводникового диода и определяет его свойства, технические характеристики и параметры. Корпус диода, в котором помещен кристалл полупроводника с р-ге-переходом, а также другие конструктивные элементы для крепления кристалла в корпусе обеспечивают эксплуатационные характеристики диода: устойчивость при воздействии температуры, влаги, ударных и вибрационных нагрузок и др.

Для устранения неравномерности распределения обратного напряжения между последовательно соединенными диодами последние шунтируют сопротивлениями Rm = 1 -т- Ю кОм, обеспечивающими устойчивую равномерность распределения обратного напряжения как во времени, так и при воздействии температуры.

Допустимая мощность для резистора сильно зависит от температуры окружающей среды: начиная с некоторого значения температуры допустимую мощность приходится снижать. График, отражающий эту зависимость для резистора типа С2-24, приведен на 5.3. Резисторы типа С2, кроме того, обладают большей стабильностью при циклическом воздействии температуры, механических перегрузках. Абсолютное • значение температурного коэффициента сопротивления у резисторов типа С2 несколько меньше, чем у резисторов С1.

Маршрут операций изготовления этой детали в условиях серийного производства следующий: 1) заготовительная — резка листа на полосы и их рихтовка; 2) штамповочная— вырубка по контуру, пробивка четырех отверстий в дне и гибка; 3) контрольная — проверка размеров; 4) подготовительная под сварку — обезжиривание и травление; 5) сварочная — аргонодуговая сварка угловых стыков неплавящимся вольфрамовым электродом с использованием припадочного материала' 6) контрольная — проверка качества сварки; 7) сверлильная — сверление крепежных отверстий малого диаметра в отгибах; 8) зачистная — снятие заусенцев в отверстиях и по контуру детали; 9) контрольная — проверка размеров; 10) подготовительная под гальваническое покрытие — монтаж деталей в приспособление, обезжиривание, травление, двукратная промывка, осветление, промывка; 11) гальваническая — оксидирование, промывка; 12) химическая обработка в раст-врах красителей и промывка; 13) стабилизирующая — уплотнение пленки окиси в деионизированной воде при воздействии температуры и демонтаж деталей из приспособления; 14) контрольная — проверка качества покрытия.

В процессах восьмой группы формообразование деталей или исходных заготовок осуществляется в результате придания нужкой формы формирующим материалам, пропитки этих материалов и протекания химической реакции отверждения при воздействии температуры и давления. Характерной особенностью процессов девятой группы является то, что процесс формообразования, порообразования и химическая реакция отверждения протекают одновременно.

К числу существенных недостатков германиевых вентилей относится невысокая рабочая температура; рабочий диапазон от — 50 до + 7Q°~C; при длительном воздействии температуры выше + 60° С в них проявляется тепловое старение, приводящее к ухудшению электрических параметров; при низких температурах наблюдается значительное понижение обратного сопротивления. Кремниевые выпрямители могут работать при температуре до + 200° С. С точки зрения работы при высоких частотах кремниевые диоды имеют перед германиевыми преимущества, заключающиеся в большей чувствительности к слабым сигналам (пороговое напряжение у первых 0,01 В, у вторых от 0,1 до 0,25 В). Характеристики кремниевых вентилей, возможность получения больших выпрямленных мощностей в установках малых габаритов, особенно при использовании искусственного охлаждения, делают их исключительно прогрессивными. Поскольку кремний и германий являются элементами IV группы таблицы Менделеева, дырочная проводимость в них создается примесями элементов третьей группы, а электронная — элементов пятой группы. Для кремниевых полупроводников часто применяют алюминий, бор, для германиевых — индий в качестве акцепторной примеси; мышьяк и сурьма (элементы V группы) — в качестве донорных примесей.

Применение окисла алюминия АЬ>О3 (алунд) в качестве диэлектрика под затвор обусловлено его способностью создавать на границе с окислом неподвижные отрицательные заряды, что позволяет изготавливать n-канальные МАОП транзисторы (со структурой металл — алунд — окисел — полупроводник), работающие в режиме обогащения (с индуцированным каналом) с пороговыми напряжениями около +1 В. Интегральные микросхемы на основе структуры металл — диэлектрик — полупроводник, изготовленные с применением окисла алюминия, обладают большей стабильностью при воздействии температуры. Однако до настоящего времени АЬО3 не нашел широкого применения в массовом производстве

Температура размягчения пластмасс определяется по Вика ( 5.42, б). Образец нагревают в термостате и одновременно подвергают воздействию сжимающего усилия. Усилие создается нагрузкой 10 или 50 Н и передается на образец через стержень и ин-дентер в виде трубочки с диаметром 1,13 мм и длиной 3 мм. За Т}1ЯЛЫ жестких пластмасс принимают температуру, при которой индентер внедрится в образец на глубину 1 мм. Температура размягчения пластмасс и других материалов определяется также при одновременном воздействии температуры и изгибающей нагрузки на образец. Так определяют Трлям по Мартенсу ( 5.42, в). Образец располагают вертикально, закрепляя консольно в нижнем зажиме. Верхний зажим жестко скреплен с рейкой-рычагом, на которой перемещается груз. Таким образом можно изменять изгибающую нагрузку. Деформацию образца при нагреве контролируют с помо-

Непроволочные резисторы, отличающиеся от проволочных уменьшенными размерами и высоким верхним пределом номинального сопротивления, широко применяются в автоматике, измерительной и вычислительной технике и некоторых других областях электротехники. Они должны иметь малую зависимость сопротивления от напряжения и отличаться высокой стабильностью при воздействии температуры и влажности.

выносливость организмов при воздействии, температуры колеблется в зависимости от их вида, возраста, размеров, а также от сезона;

По так называемому восьмиградусному правилу, установленному экспериментально и положенному в основу расчетов температурных режимов электрооборудования у нас в стране, при повышении температуры изоляции на 8 °С срок ее службы уменьшается в два раза. Таким образом, если расчетный срок службы изоляции при длительном воздействии температуры t = 105 СС равен 20 годам, то при увеличении рабочей температуры до ИЗ СС он снизится до 10 лет, а при температуре 121 °С окажется равным всего 5 годам. Зто правило может применяться только в диапазоне температуры 80—150 °С. При температуре ниже 80 СС старение изоляции сильно замедляется, а при больших температурах — резко убыстряется. Коэффициент а в (1-7) при восьмиградусном правиле равен 0,0865 *.