Воздействием излучения

2) электролюминесцентные индикаторы, в которых применяется свечение некоторых кристаллических веществ под воздействием электрического поля;

6) жидкокристаллические индикаторы, основанные на изменении оптических свойств жидких кристаллов под воздействием электрического поля.

К самостоятельным видам разряда относятся такие, для поддержания которых не требуется внешних источников ионизации газа. Тлеющий разряд как вид самостоятельного разряда возникает между анодом и катодом при напряжении, достаточном для лавинообразного развития процесса ионизации газа движущимися под воздействием электрического поля электронами и процесса выбивания вторичных электронов с катода положительными ионами. Тлеющий разряд сопровождается процессами рекомбинации электронов и ионов. При этом выделяется энергия в виде фотонов и газ светится. Цвет свечения определяется составом газа-наполнителя. Так как процессы ионизации и рекомбинации происходят в основном вблизи катода, то свечение наблюдается в прикатодной области.

источник света. Основой этого вида индикаторов служат жидкокристаллические вещества, обладающие свойствами жидкости и имеющие кристаллическую молекулярную структуру. При этом структура такого вещества легко изменяется под воздействием электрического поля, ультразвука. В ЖКИ используется изменение структуры вещества под воздействием электрического поля, сопровождаемого изменением коэффициента преломления света.

Нижняя разрешенная зона называется валентной зоной. Энергетические уровни этой зоны обычно заполнены электронами внешней оболочки атомов — внешних устойчивых орбит (валентными электронами). При наличии свободных уровней в валентной зоне электроны могут изменять свою энергию под воздействием электрического поля. Если же все уровни зоны заполнены, то валентные электроны не смогут принять участие в проявлении электропроводности полупроводника.

Развитие таких процессов возможно как при низких напряжениях и больших плотностях токов, так и при высоких напряжениях и малых плотностях токов утечки по поверхности. В первом случае основную роль играют тепловые процессы, во втором — эрозионные и химические. И в том, и в другом случае происходят необратимые ухудшения свойств изоляционного материала в слое, прилегающем к поверхности, появляются токопроводящие низкоомные каналы — треки, развиваются недопустимо большие токи утечки вдоль треков. Процесс образования под воздействием электрического поля электропроводящих каналов (треков) на поверхности твердого диэлектрика называют трекингом, а способность диэлектрика выдерживать воздействие поверхностных пробоев без трекинга — трекингостойкостью.

плавкое или жидкое стекло. Нелинейные свойства варисторов объясняются рядом сложных явлений, протекающих в местах контактных соединений зерен карбида и на поверхности кристаллов (активные области) под воздействием электрического поля и микронагрева.

В результате инжекции дырок в базу, где они являются неосновными носителями, в последней возникает градиент (перепад) концентрации дырок, что приводит к их диффузионному перемещению во всех направлениях, в том числе и к коллекторному р-/г-переходу. Дрейф (перемещение носителей под воздействием электрического поля) неосновных носителей к коллектору играет второстепенную роль. При перемещении через базу концентрация неосновных носителей заряда уменьшается за счет рекомбинации с электронами, поступающими в базовую цепь от источника Еэ. Поток этих электронов образует базовый ток /б. Так как толщина базы Шб современных транзисторов составляет единицы микрон, то большая часть дырок достигает коллекторного р-п-перехода и захватывается его полем, рекомбинируя с электронами, поступающими от источника питания ?к. При этом в коллекторной цепи проходит ток /к, замыкая общую цепь тока. Таким образом, для токов транзистора справедливо соотношение

При воздействии электрического поля на полупроводник средняя скорость движения носителей заряда становится не равной нулю (и Ф 0) в направлении, определяемом направлением напряженности электрического поля Е, она называется дрейфовой скоростью. Движение носителей заряда под воздействием электрического поля называется дрейфом. Плотность электрического тока, проходящего через полупроводник за счет движения электронов,

под воздействием электрического поля — наблюдается в системе металл — диэлектрик — полупроводник (МДП) ( 2.11) и носит название эффекта поля. На металл подается положительный или отрицательный потенциал. Равный по значению и противоположный по знаку заряду на металлической пластине заряд в полупроводнике не находится на поверхности, а сосредоточивается в его приповерхностном слое. Если в металлах, имеющих очень высокую концентрацию носите-

электронов под воздействием электрического поля, создаваемого в металле внешним напряжением.

Внутренний фотоэффект — возбуждение электронов вещества, т. е. переход их на более высокий энергетический уровень под воздействием излучения, благодаря чему изменяется концентрация свободных носителей заряда, а следовательно, и электрические свойства вещества. В металлах внутренний фотоэффект не наблюдается. Он присущ только полупроводникам.

Внешний фотоэффект — фотоэлектронная эмиссия, т. е. выход электронов за пределы поверхности вещества под воздействием излучения. Фотоэлектронная эмиссия в большей или меньшей степени может происходить в любом веществе. Внешний фотоэффект используют в вакуумных и газоразрядных фотоэлементах, а также в фотоэлектронных умножителях.

Газ сам по себе — идеальная изоляция, сопоставимая по свойствам с вакуумом, пока в нем не появятся свободные заряды (электроны, ионы), создающие ток. Появление свободных зарядов является следствием ионизации: ударной (под действием электрического поля), термической, под воздействием излучения (ультрафиолетового, рентгеновского, гамма-излучения).

Дуговые печи косвенного действия применяют почти 'исключительно для переплавки цветных металлов (иногда чугуна), поэтому температуры в них значительно меньше. Кроме того, в них производят лишь расплавление и перегрев металла без шлака. Поэтому их футеровку можно выполнять из шамота и лишь при выплавке чугуна футеровка должна быть из динаса. Дуга в этих печах горит только между электродами, поэтому ее режим спокойнее. С другой стороны, футеровка дуговой печи косвенного действия находится по», прямым воздействием излучения дуг, что требует дополнительных мер для ее равномерного нагрева, особенно в конце плавки. Для этого в современных печах применяют качание корпуса печи, благодаря чему нагретые части "футеровки периодически омываются (и тем самым охлаждаются) расплавленным металлом, более холодным, чем футеровка.

воздействием излучения осуществляется инверсная населенность одного или нескольких высших энергетических уровней; этот метод нашел применение в оптических квантовых приборах.

Наибольшее влияние облучение оказывает на поверхностные свойства материалов. После отжига облученных неорганических диэлектриков возможно восстановление первоначальных свойств. Рассмотрение процессов, вызываемых воздействием излучения на материалы, показывает, что у последних может произойти изменение практически всех свойств: электрических, физико-химических и механических. Как видно из 5-9, при N — 1е1в-ИОго м-2 механические свойства смолы очень ре: ко ухудшаются Политетрафторэтилен при сильном облучении становился очень хрупким и рассыпается, полиизобутилен из резинопоД( <> ного вещества превращается в вяз-

Способность веществ (фосфоров) испускать свет под воздействием излучения используется в аппаратуре с так называемыми сцинтилляционными счетчиками.

5 • 10 нейтр/см , т.е. исключается изменение свойств металла корпуса реактора под воздействием излучения.

5-10 нейтр/см , т.е. исключается изменение свойств металла корпуса реактора под воздействием излучения.

Поскольку плотность поля р пропорциональна квадрату амплитуды электромагнитных колебаний, увеличение амплитуды приводит к возрастанию отдаваемой активным веществом мощности. Однако параллельно этому под воздействием излучения идет процесс изменения параметров самой активной среды.

Выходное излучение твердотельного ОКГ обычно состоит из «пичков» — нерегулярных всплесков мощности Рвых ( 10.17). Длительность «пичков» для рубинового ОКГ составляет около одной микросекунды, а интервал между ними — несколько микросекунд. Механизм возникновения «пичков» полностью не изучен, однако основным фактором считается изменение населенности рабочих уровней в процессе генерации. Под воздействием излучения накачки Рн населен-