Возбужденных электронов

Характеристика холостого хода генератора при параллельном возбуждении практически не отличается от характеристики при независимом возбуждении, так как влияние на эту характеристику изменений напряжения гв/в и реакции якоря от тока возбуждения ничтожно. Совпадают и регулировочные характеристики. Но внешняя характеристика ( 13.28) при параллельном возбуждении генератора (кривая а) идет значительно ниже, чем при независимом возбуждении (кривая />), из-за уменьшения тока возбуждения при снижении напряже-

Характеристика холостого хода генератора при параллельном возбуждении практически не отличается от характеристики при независимом возбуждении, так как влияние на эту характеристику изменений напряжения гв/в и реакции якоря от тока возбуждения ничтожно. Совпадают и регулировочные характеристики. Но внешняя характеристика ( 13.28) при параллельном возбуждении генератора (кривая а) идет значительно ниже, чем при независимом возбуждении (кривая А), из-за уменьшения тока возбуждения при снижении напряже-

Характеристика холостого хода генератора при параллельном возбуждении практически не отличается от характеристики при независимом возбуждении, так как влияние на эту характеристику изменений напряжения /-в/в и реакции якоря от тока возбуждения ничтожно. Совпадают и регулировочные характеристики. Но внешняя характеристика ( 13.28) при параллельном возбуждении генератора (кривая а) идет значительно ниже, чем при независимом возбуждении (кривая Л), из-за уменьшения тока возбуждения при снижении напряже

Проверка на синхронном напряжении. Для этого освобождается одна из двух систем шин генераторного напряжения, например А2 ( 6.17). При отключенном выключателе Q2 генератор включается на выделенную систему через разъединители QS, QS2 и выключатель Q1. При возбуждении генератора G и включении SACS—G на колонку поступает синхронное напряжение от генератора через трансформаторы напряжения TV—G, TVII и вспомогательные контакты разъединителей QSII, QS2 и QS3. В этом случае вольтметры должны показывать одинаковое напряжение, соответствующее возбуждение генератора, частотомеры — одинаковую частоту, соответствующую частоте вращения генератора, а стрелка синхроноскопа должна устанавливаться на черте «синхронно».

2.6. Разомкнуть перемычку в цепях исполнительного органа фильтрового реле обратной последовательности для исключения вибрации реле при возбуждении генератора и низкой частоте вращения.

3.14.3. При минимальном возбуждении генератора проверить ВАФ вторичные токи в ТТ нулевого вывода, сравнить с вторичными токами в короткозамкнутой фазе блочного трансформатора.

XIII.20. Построение при помощи характеристического треугольника внешних и регулировочных характеристик при независимом и параллельном возбуждении генератора постоянного тока

рактеристику можно снять опытным путем при независимом возбуждении генератора.

2.22. Гашение поля при независимом тиристорном возбуждении генератора: / —АГП; 2 — ввод резервного возбуждения; 3 — главный тиристорный возбудитель; 4 — тиристорный возбудитель вспомогательного генератора; 5 - контакты гашения поля (Лг — сопротивление гашения поля)

Установлено, что при возбуждении генератора через 0,5— 2 с падение напряжения в сети не превышает 20%. Такое падение не опасно для потребителей газопровода, так как напряжение восстанавливается через 1—2 с.

при малом возбуждении генератора конец вектора Zp скользит по окружности вокруг точки Л, например по окружности qy,

Электропроводность, обусловленную генерацией пар носителей заряда «электрон — дырка», называют собственной электропроводностью. Возвращение возбужденных электронов из зоны проводимости в валентную зону, в результате которого пара носителей заряда «электрон — дырка» исчезает, называют рекомбинацией. Рекомбинации сопровождается выделением кванта энергии в виде фотона.

освобожденные возбужденными электронами (дырки), за счет которых может происходить изменение энергии электронов валентной зоны. Исследования показали, что при наличии в валентной зоне дырок возникает электропроводность, имеющая характер движения положительных частиц с зарядом, равным по абсолютной величине заряду электрона. Такая электропроводность называется дырочной. Следовательно, при возбуждении электронов и переходе их из валентной зоны в зону проводимости тело обладает как электронной проводимостью за счет электронов, попавших в зону проводимости, так-и дырочной за счет освободившихся в валентной зоне уровней. Такие твердые тела называются полупроводниками с собственной проводимостью ( 1.5,6). В отличие от металлов собственная проводимость полупроводников должна возрастать с повышением температуры, так как при этом увеличивается число возбужденных электронов и равное ему число дырок.

Одновременно с процессом возбуждения (генерации) пар электрон — дырка происходит обратный процесс—возвращение возбужденных электронов в валентную зону, называемый рекомбинацией. При каждом акте рекомбинации исчезает пара носителей тока — электрон — дырка. Каждому значению теемпературы соответствует определенная концентрация электронов и дырок, при которой соблюдается динамическое равновесие между генерацией и рекомбинацией. Эту концентрацию, называемую равновесной для собственных полупроводников, можно определить-из выражения

практически не затронутыми. На 3.16, б показаны кривые равновесного распределения электронов по состояниям при Т = О К и при Т >0 К. Из рисунка видно, что повышение температуры вызывает размытие ступеньки фермиевскрго распределения на глубину порядка kT и появление «хвоста» распределения АВ, представляющего собой не что иное, как максвелловскую функцию распределения. Чем выше температура, тем сильнее размытие фермиевско-го распределения и длиннее хвост максвелловского распределения. Произведем приближенную оценку числа возбужденных электронов AN. В интервале энергий от 0 до ц, располагается N12 уровней, где ./V — число свободных электронов. Упрощая задачу, будем считать, что эти уровни отстоят друг от друга на одинаковом расстоянии Д? = 2 n/N, Термическому возбуждению подвергаются электроны полосы f&kT, расположенной ниже уровня Ферми ( 3.16, я). В этой полосе размещается &7УДЯ = NkT/2\n уровней, на которых располагается NkTl\a электронов. Полагая, что за уровень Ферми переходит половина из них, получаем следующее выражение для АЛ/:

Как указывалось в § 3.9, при нагревании металла до температуры Т термическому возбуждению подвергаются ДМ электронов (см. соотношение (3.99)). Каждый• возбужденный электрон приобретает в среднем энергию, равную 3/г kT. Умножив ее на число возбужденных электронов (3.99), получим изменение энергии электронного газа Е9П, обусловленное нагреванием его до температуры Т:

На 8.4 показана энергетическая схема вольфрама и кривая распределения электронов по энергиям при Т = О К (непрерывная линия) и при высокой температуре (штриховая линия). Из 8.4 видно, что при повышении температуры «хвост» кривой распределения заходит за нулевой уровень потенциальной ямы, что свидетельствует о появлении некоторого числа электронов, обладающих кинетической энергией, превышающей высоту потенциального барьера. Такие электроны способны выходить из металла («испаряться»). Поэтому нагретый металл испускает электроны. Это явление получило название термоэлектронной эмиссии. В заметной степени оно наблюдается лишь при высокой температуре, когда число термически возбужденных электронов, способных выйти из металла, оказывается достаточно большим.

Стимулированное излучение. Рассматривая процессы возбуждения электронов в полупроводниках под действием света и свечение, которое возникает при излучательной рекомбинации электронно-дырочных пар, мы оставили без внимания важный вопрос б влиянии -самого излучения на переходы возбужденных электронов в нормальные состояния, на особенность излучения, возникающего в этих условиях при таких переходах, ~и возможность их практического использования для усиления и генерации электромагнитных колебаний.

Электропроводность, обусловленную генерацией пар носителей заряда «электрон — дырка», называют собственной электропроводностью. Возвращение возбужденных электронов из зоны проводимости в валентную зону, в результате которого пара носителей заряда «электрон—дырка» исчезает, называют рекомбинацией. Рекомбинация сопровождается выделением кванта энергии в виде фотона.

где n, «i, HI — концентрация возбужденных электронов, захваченных электронов на локализованных состояниях и электронов в состоянии фотопотемнения соответственно. При анализе для упрощения считается, что возбуждающий импульс представляет собой 5-функцию. Начальные условия в момент t = 0 имеют вид

Полное изменение показателя преломления Ди (?,х) с учетом действия возбужденных электронов можно представить как

где n, «i, «2 - концентрация возбужденных электронов, захваченных электронов на локализованных состояниях и электронов в состоянии фотопотемнения соответственно. При анализе для упрощения считается, что возбуждающий импульс представляет собой 5-функцию. Начальные условия в момент t = 0 имеют вид