Вольтамперных характеристик

Вольтамперные характеристики нелинейных элементов показаны на 1.14, б.

13.10. К цепи-( 13.10) приложено напряжение V = 50 в. Вольтамперные характеристики элементов заданы уравнениями

= 2,4-103 ом, вольтамперные характеристики нелинейных сопротивлений заданы уравнением

Откройте файл с2_01.са4 ( 2.2 верхняя часть). Установите номиналы сопротивлений для любых двух резисторов в 100 и 200 Ом. Снимите вольтамперную характеристику поочередно для каждого из сопротивлений, используя амперметр и вольтметр и подключая к этим резисторам различные источники ЭДС. Постройте вольтамперные характеристики резисторов в разделе "Результаты экспериментов".

Эксперимент 7. Вольтамперные характеристики резисторов. а). Снятие волътамперных характеристик с помощью осциллографа

Совершенно аналогичны построения, если цепь со смешанным соединением, помимо линейных и нелинейных резисторов, содержит источники электрической энергии, например источники напряжения, вольтамперные характеристики которых без учета внутренних сопротивлений представляют собой прямые, параллельные оси абсцисс. Их ординаты и следует алгебраически просуммировать с ординатами вольтамперных характеристик участков (в том числе внутренних

стикой, из которой может быть получена вольтамперная характеристика его внутреннего сопротивления RB. Вольтамперные характеристики могут быть заданы не графически, а аналитически. Расчет этой цепи может быть произведен по уравнению

вольтамперные характеристики активного двухполюсника и генератора совпадут.

В электронике понятие «отрицательное сопротивление» известно давно. Так, вольтамперные характеристики с падающим участком наблюдаются при динатронном эффекте в многоэлектродных лампах. С помощью отрицательного сопротивления можно скомпенсировать потери, вносимые в схему положительным соиротивле-

Впервые образование потенциального барьера в приконтактной области металла и полупроводника было обнаружено в 1930 г. немецким физиком В. Шоттки. По имени ученого выпрямляющий контакт металл — полупроводник n-типа называют переходом Шоттки. Важнейшей особенностью перехода Шоттки по сравнению с р-п переходом является отсутствие инжещии неосновных носителей заряда. Эти переходы работают только на основных носителях. Отсюда следует, что в приборах, в которых используется 'переход Шоттки, отсутствует диффузионная емкость, связанная с накоплением и рассасыванием неосновных носителей. Отсутствие диффузионной емкости существенно повышает быстродействие приборов, в том числе работающих в режиме переключения. Не менее важной особенностью таких приборов является, значительно меньшее прямое напряжение по сравнению с напряжением на р-п переходе. Это объясняется тем, что при прохождении даже небольшого начального тока через контакт с большим сопротивлением на нем выделяется тепловая энергия, способствующая дополнительной термоэлектронной эмиссии и росту числа носителей заряда, принимающих участие Б образовании прямого тока. Для сравнения на 3.15 приведены вольтамперные характеристики перехода Шоттки и р-п перехода. '

6.2 приведены типовые вольтамперные характеристики германиевого и кремниевого диодов. Кремниевые диоды имеют во много раз меньшие обратные токи при одинаковом напряжении, чем германиевые. Допустимое обратное напряжение кремниевых диодов может достигать 1000...1500 В, в то время как у германиевых оно лежит в пределах 100...400 В. Кремниевые диоды могут работать при температурах —60... + 150 °С, а германиевые — 60...+ 85°С. Это обусловлено тем, что при температурах выше 85°С резко увеличивается собственная проводимость германия, приводящая к недопустимому возрастанию обратного тока. Вместе с тем прямое падение напряжения у кремниевых диодов больше, чем у германиевых. Это объясняется тем, что у германиевых диодов можно получить величину сопротивления в прямом направлении в 1,5—2 раза меньшую, чем у кремниевых, при одинаковом токе нагрузки. Поэтому мощность, рассеиваемая внутри германиевого диода во столько же раз меньше.' В связи с этим в выпрямительных устройствах низких напряжений выгоднее применять германиевые диоды.

1. Анализ вольтамперных характеристик пассивных двухполюсников резистивного типа.

а). Снятие вольтамперных характеристик с помощью амперметра и вольтметра.

б). Снятие вольтамперных характеристик с помощью осциллографа.

а). Снятие вольтамперных характеристик с помощью амперметра и вольтметра.

б). Снятие вольтамперных характеристик с помощью осциллографа.

а). Снятие вольтамперных характеристик с помощью амперметра и вольтметра.

б). Снятие вольтамперных характеристик с помощью осциллографа.

а). Снятие вольтамперных характеристик с помощью амперметра и вольтметра,

а). Снятие вольтамперных характеристик с помощью амперметра и вольтметра

а). Снятие вольтамперных характеристик с помощью амперметра и вольтметра

б). Снятие вольтамперных характеристик с помощью осциллографа