Технологических трудностей

Рассмотрим упрощенную схему ( 11.16) технологических трубопроводов головной насосной нефтеперекачивающей станции с четырьмя главными и двумя подпорными насосами. Подпорные насосы / забирают нефть из резервуара 10 через фильтр // и подают ее на вход главных насосов 2. При помощи задвижек с электроприводом 3 и 4 можно обеспечить работу одного, двух, трех последовательно включенных главных насосов. Обратные клапаны 6 предотвращают перетекание нефти из напорного трубопровода в подводящий на участке каждого насоса. Если в месте выхода вала из насоса применяется тор-

Одиночные и групповые трубные проводки прокладывают по стенам, перекрытиям, колоннам и другим элементам зданий, а также на эстакадах для технологических трубопроводов. Трубные проводки всех назначений, как правило, прокладывают на расстоянии 25—30 мм от стен, перекрытий и других элементов зданий. Однако одиночные медные и стальные трубы (кроме труб из нержавеющей стали) в виде исключения могут быть расположены непосредственно на стальных, бетонных или кирпичных основаниях и прикреплены к ним стальными крепежными деталями.

Короба. Конструкция коробов была рассмотрена в гл. XIX. В проектах, как правило, предусматривают прокладку коробов по кратчайшим расстояниям и в местах, доступных для монтажа, обслуживания и ремонта. Их располагают таким образом, чтобы обеспечить свободный доступ к крышкам и люкам, а также к коробкам для укладки и протяжки проводов и кабелей. Минимальные расстояния, мм, между параллельно проложенными коробами, а также от коробов до конструкций зданий и технологических трубопроводов следующие:

От коробов до технологических трубопроводов, проходящих под коробами................100

От коробов до технологических трубопроводов, проходящих над коробами................250

Если по условиям размещения технологических трубопроводов в месте установки отборного устройства невозможно обеспечить уклон соединительных линий в одну сторону и расположить дифма-нометр ниже сужающего устройства, допускается установка дифманометра выше сужающего устройства ( 205, б). В этом случае в высших точках линий необходимо устанавливать газосборники 6. При измерении- расхода газа дифманометры-расходомеры, как правило, располагают выше сужающего устройства ( 206 а). Если по условиям -размещения технологических трубопроводов это невозможно, то в этом случае в низших точках соединительных линий следует устанавливать отстойные сосуды 5 ( 206, б) для улавливания конденсата.

Для неповоротных стыков линейной части магистральных трубопроводов автоматическую сварку технологических трубопроводов диаметром 325 — 1020 мм порошковой проволокой с принудительным формированием выполняют комплексами "Стык 2". Основные отлич'ия определяются конструктивными особенностями оборудования и организацией работ.

Эстакады с односторонней прокладкой кабелей могут быть пристроены к глухим несгораемым стенам зданий. Иногда целесообразно использовать эстакады и галереи для совмещенной прокладки кабелей и других надземных коммуникаций (теплопроводов, других технологических трубопроводов и т. п.).

11 у с к законченного м о п т а ж ом агрегата осуществляется после опробования его электродвигателя. Первоначальный пуск агрегата производится на замкнутое кольцо газопровода, составленного из всасывающего н выкидного патрубков агрегата н имеющихся свободных газовых коллекторов на площадке КС, в зависимости от существующей схемы обвязки технологических трубопроводов. Давление газа при этом должно быть в пределах, согласованных с Газовой технической инспекцией.

а —плен; б — разрез; 1 — опора металлическая; 2 — ГПП; 3~ опора молниеотвода; 4 — производственный корпус; В~ тротуар; 6 — автодорога; 7 — эстакада технологических трубопроводов

эстакад на общей полосе отчуждения с другими коммуникациями (водо-, газо-, теплопроводов и технологических трубопроводов) в тех случаях, когда не удается совместная прокладка кабелей на общих эстакадах.

Для суперсистем увеличение глубины распараллеливания и переход к масс-процессорным ВС с числом процессоров > 10 наталкивалось на ряд технических и технологических трудностей. К ним можно отнести: низкую надежность микро- и мини-процессоров; недостаточную пропускную способность связующих линий связи; отсутствие серийных микро-ЭВМ высокой производительности и т. п. Интенсивное развитие микроэлектроники сняло большую часть затруднений.

самым восстановить уже отфильтрованный входной сигнал. Изменяя вид стробирующей функции, можно задерживать и пропускать отдельные спектральные составляющие входного сигнала в любой комбинации путем простого изменения ширины и местоположения стробирую-щего импульса или серии импульсов. В отличие от варианта программируемого фильтра, выполненного в виде линии задержки с коммутируемыми отводами (осуществление которого связано с рядом технологических трудностей), в данном случае используются стандартные компоненты, техника изготовления которых хорошо отработана. В экспериментальных образцах подобных устройств реализуется ослабление в полосе затухания не хуже 40 дБ.

уплотнение по конструкции проще гидростатического. При его изготовлении нет особых технологических трудностей (кроме обработки высокотвердых материалов трущихся элементов, по эта особенность присуща и гидростатическим уплотнениям);

Некоторые методы печатного монтажа — метод открытых контактных площадок ( 2.4), выступающих выводов ( 2.5), послойного наращивания фольгированного диэлектрика ( 2.6), попарного прессования ( 2.7) — в новых разработках не используются. Метод открытых контактных площадок применим только для корпусированной элементной базы и имеет ряд технологических трудностей при сборке. Метод выступающих

Индикаторы на жидких кристаллах работают на малом уровне мощности (порядка нескольких мкВт). Они обеспечивают яркость при сильной внешней засветке, обладают возможностью накопления поступающей информации, стоят сравнительно недорого. Однако в разработке таких индикаторов существует ряд конструктивно-технологических трудностей.

СВЧ-ИМС подобно низкочастотным интегральным микросхемам могут быть полупроводниковыми или гибридными. Для полупроводниковых ИМС активные элементы выращивают на поверхности полупроводниковой подложки или в ее объеме, а пассивные элементы и контакты к активным элементам изготовляют нанесением металлической пленки в областях, где удален эпитакси-альный слой. Полупроводниковые СВЧ-ИМС из-за низкого процента выхода годных схем, технологических трудностей и больших потерь имеют ограниченное применение. Однако такие важные преимущества полупроводниковых СВЧ-ИМС, как малые величины паразитных связей и возможность их контроля, дают основание полагать, что в будущем они получат более широкое распространение, особенно в миллиметровом диапазоне.

мощности сигнала. В зависимости от отдаваемой мощности он содержит один или несколько каскадов усиления. Выходное устройство (Вых. У) используется для передачи усиленного сигнала из выходной цепи усилителя мощности в нагрузку (Н). Оно применяется в тех случаях, когда непосредственное подключение нагрузки к усилителю мощности невозможно или нецелесообразно. Тогда роль выходного устройства могут выполнять разделительный конденсатор или трансформатор, не пропускающие постоянную составляющую тока с выхода усилителя в нагрузку. При использовании трансформатора добиваются согласования сопротивления выхода усилителя и нагрузки с целью достижения максимальных значений КПД и малых нелинейных искажений. В усилителях на основе интегральных схем избегают применения трансформаторов вследствие их больших габаритных размеров и технологических трудностей изготовления.

Печатные конденсаторы стремятся не применять не столько из-за технологических трудностей при изготовлении, сколько из-за того, что занимаемая ими площадь часто превышает площадь навесных конденсаторов той же емкости. Емкость в обычно применяемой двухобкладочной конструкции печатного конденсатора определяется (в пико-фарадах) выражением С = 8,85 s.s/t, где е — диэлектрическая проницаемость материала между обкладками; s — площадь проекции одной обкладки на другую, мм2; t — толщина диэлектрического слоя, мкм ( 4-9). Удельная емкость составляет примерно 12 пФ/мм2 при е = 80 и толщине диэлектрика 50 мкм. Это позволяет применять печатные конденсаторы емкостью примерно до 1000 пФ. Такой конденсатор занимает площадь около 1 см2. При более высокой емкости печатные конденсаторы не могут конкурировать с навесными ( 4-10 и табл. 4-1).

1. Использование в качестве выпрямляющего электрического перехода гетерогенного перехода (гетероперехода), т. е. электрического перехода, образованного в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны. Инжекция неосновных носителей при прямом включении будет отсутствовать при выполнении ряда условий и, в частности, при одинаковом типе электропроводности полупроводников, образующих гетеропереход (см. § 2.11). Этот способ устранения инжекции неосновных носителей заряда пока не нашел широкого применения в промышленном производстве монокристаллических полупроводниковых диодов из-за технологических трудностей.

В свою очередь, наименьшая толщина кристаллов полупроводника с высоким удельным сопротивлением для генераторов Ганна кроме технологических трудностей ограничена тем, что для перехода электрона из центральной в боковую долину необходима дополнительная энергия, которую электрон может приобрести в электрическом поле после прохождения некоторого расстояния. Так, дополнительную энергию (0,3 эВ) электрон может приобрести в арсениде галлия при пороговой напряженности электрического поля, равной 3 кВ/см, только на расстоянии 1 мкм. Сам домен также имеет некоторую протяженность, определяемую в основном толщиной слоя положительной части домена, так как плотность положительного заряда в обедненном электронами слое ограничена концентрацией доноров в высокоомном полупроводнике (Мл = 10м...10 6 см~3). Ограничение минимальной толщины высокоомного кристалла приводит к ограничению максимальной частоты генерации в пролетном режиме для генераторов Ганна из арсенида галлия значениями около 50 ГГц.

Однако для разработки интегральных микросхем на основе арсенида галлия необходимо преодолеть еще ряд технологических трудностей: в частности, научиться наращивать на монокристаллы арсенида галлия диэлектрические слои, не создавая яри этом большой плотности поверхностных состояний. Именно поэтому до сих пор не удалось изготовить качественные МДП-транзисторы на арсениде галлия.