Трудность получения

Простейший аппарат защиты — плавкий предохранитель — включается последовательно с защищаемым оборудованием. При определенных значениях тока плавкая вставка предохранителя плавится и отключает участок сети, на котором возникло короткое замыкание. Трудность обеспечения избирательности действия ограничивает

Кроме сложности в наладке и обслуживании дельта-кинескоп имеет еще один существенный недостаток — трудность обеспечения

До настоящего времени основным методом получения тонкопленочных ГИС являлось термическое испарение материалов и их конденсация в вакууме. Достоинствами метода являются: реализация высоких скоростей осаждения материалов в высоком вакууме, простота, отработанность технологических операций и наличие современного высокопроизводительного оборудования. Однако этому методу свойственны такие недостатки, как трудность обеспечения высокой воспроизводимости свойств пленок при осаждении веществ

Недостатком фильтровых направленных защит, в том числе с ВЧ блокировкой, является, как было показано в гл. 5, трудность обеспечения чувствительности по напряжению при удаленных КЗ, если мало сопротивление питающей системы (большая мощность системы). Для повышения чувствительности OHM по напряжению применяются в основном два способа:

Данная схема мультивибратора имеет ряд недостатков: большую длительность фронта импульса, невозможность получения больших скважностей, трудность обеспечения мягкого режима возбуждения колебаний. Последний недостаток следует рассмотреть отдельно. В мультивибраторе, выполненном по схеме 6.86, возможно состояние, когда оба транзистора, Т, и Та, насыщены. Предположим, что цепь обратной связи разомкнута, например отключен конденсатор Ct. Так как условие насыщения этих транзисторов (6.22) должно выполняться для минимального коэффициента В = Bmln, то при использовании

Средние волны получили широкое применение в радиовещании. Основным преимуществом волн длиннее 1000 г является устойчивость приема, недостатком — трудность обеспечения большой дальности действия ввиду значительного поглощения поверхностной волны. Поэтому на средних волнах осуществляется преимущественно местное радиовещание, рассчитанное на зоны с радиусом в несколько сотен километров. Лишь небольшое число сверхмощных средневолновых радиостанций обслуживает большие районы. В СССР, обладающем огромной территорией, существует наибольшее число мощных и сверхмощных радиовещательных станций средневолнового диапазона.

Гектометровые волны получили широкое применение в радиовещании. Основным преимуществом связи на волнах длиннее 1000м является устойчивость приема, недостатком — трудность обеспечения большой дальности действия ввиду значительного поглощения поверхностной волны. Поэтому на этих волнах осуществляется преимущественно местное радиовещание, рассчитанное на зоны с радиусом в несколько сотен километров. Лишь небольшое число сверхмощных гектометровых радиостанций обслуживает большие районы. В СССР, имеющем огромную территорию, существуют наиболее мощные в мире радиовещательные станции этого диапазона.

Рассмотренная схема автоколебательного мультивибратора имеет ряд недостатков: большая длительность фронта, невозможность получения больших скваж-ностей, трудность обеспечения мягкого режима возбуждения. О последнем недостатке следует сказать особо. В мультивибраторе, выполненном по схеме 5.89, возможен режим, когда оба транзистора, и 7\ и Тг, насыщены. Предположим, что цепь обратной связи разомкнута, например отключен конденсатор С±, Так как условие насыщения транзисторов выбранной группы (5.19) должно выполняться для минимального значения коэффициента В==Вт\п, то при использовании транзисторов той же группы с В = Вшах это условие тем более выполняется. Если при В = Вт\п степень насыщения транзисторов была принята равной единице, то при В = Втах степень насыщения s=5max/5mjn. При Втах^> Вт-т транзисторы с В = Втак сильно насыщены. При разомкнутой цепи обратной связи оба транзистора оказываются глубоко насыщенными: s^>l. В этих условиях замыкание цепи обратной связи путем подключения конденсатора Cj не приведет к возникновению колебаний. Изменение коллекторного тока транзистора Т±,

Однако для этих схем необходимо иметь несколько высоковольтных источников питания; помимо этого для них характерны ограниченное быстродействие, высокая стоимость проектирования и трудность обеспечения тестовой проверки.

между отдельными электродами (пластинами). Недостатками рассматриваемой секции являются: большая стоимость изготовления, трудность обеспечения зазоров и толщины пластин менее 2 мм. Для подгонки емкости в торцах по всей образующей пластин секции предусматриваются пазы. Регулировка емкости в пределах ±0,1— 0,5%' производится отгибом или сжатием краев пластин.

К недостаткам относятся трудность обеспечения заданного закона изменения частоты и ее подгонки, необходимой для сопряжения контуров; малый угол поворота ротора; сложность изготовления, требующая трудоемкой механической обработки и сборки (высокой точности); трудность, получения малых значений ТКЧ; большая стоимость, ограниченность применяемых типов ламп и транзисторов, удобных для подключения такого контура.

Пайка. Одной из традиционных областей применения индукционного нагрева является пайка [6]. При этом процессе используются такие достоинства индукционного метода, как чистота и большая скорость нагрева, возможность пайки в любой газовой среде и в вакууме, легкость регулирования мощности, достижимость любых температур, возможность локального нагрева зоны соединения. Основными недостатками являются большие капитальные затраты и трудность получения равномерного нагрева при пайке деталей сложной формы. Технико-экономическая эффективность сильно зависит от конкретных условий.

Качество схем фильтр-токовых измерительных органов прежде всего характеризуется их первичным током срабатывания /с,з, т. е. минимальным током З/о, необходимым для их срабатывания. Трудность получения часто необходимых

Особенностью рассматриваемого метода измерения является трудность получения линейного характера шкалы, т. е. линейной зависимости а = / (X), поскольку для этого необходимо либо обеспечить линейность функции преобразования всех преобразователей цепочки X --> а, либо так сочетать нелинейности функций преобразования отдельных преобразователей, чтобы в результате получить линейность функции а = / (X).

Законы Кирхгофа в первой форме записи (S/ft =' 0 для узлов и = 0 для контуров) могут быть использованы и для расчета нелинейных цепей. Аналитический расчет возможен на основе аналитически выраженных зависимостей U (/). Связь между током и напряжением в некоторых случаях выводится теоретически, например зависимость / == aU*!* в электронной лампе (см. § 23.3), или является аналитической аппроксимацией экспериментально полученных вольт-амперных характеристик. Трудность получения аналитических зависимостей заставляет широко применять графические методы расчета.

Кроме того, трудность получения желаемых характеристик заключается

Кривые на 18-2 построены с учетом данных гл. 15, например 15-4. Они позволяют оценить число лет безаварийной работы 1/р! для подстанций 35 и ПОкВ. Кривые подчеркивают трудность получения удовлетворительного показателя гро-зоупорности для малых подстанций при р = 300— 500 Ом-м.

К недостаткам УКД относятся: сравнительная сложность их эксплуатации, повышенная шумность, особенно при высоких частотах вращения, радиопомехи и трудность получения безыскровой коммутации на переменном токе. Это объясняется прежде всего тем, что в коммутируемых секциях кроме ЭДС вращения евр и реактивной ЭДС ер наводится ЭДС трансформации ет вследствие пульсации потока полюсов Фв. Векторная диаграмма ЭДС в коммутируемой секции, построенная в предположении, что отсутствуют потери в стали двигателя и размагничивающее действие коммутационных токов, приведена на 7.2.

воды, трудность получения низкой

ция в растворе фосфорнокислого натрия, промывка в потоке дистиллированной воды, сушка, проверка качества. Основной недостаток биметаллических масок — разность температурных коэффициентов линейного расширения образующего слоя и основы, что приводит к короблению масок при нагревании в процессе напыления и быстрому выходу их из строя. Для частичного устранения этого недостатка проводят отжиг заготовок маски и готовых масок. Указанный недостаток практически полностью устраняется при использовании трехслойных биметаллических масок. Основная трудность получения таких масок — необходимость изготовления второго зеркального фотошаблона и точного совмещения этих шаблонов в процессе двусторонней печати. Однако эту трудность можно избежать, используя вместо второго шаблона монометаллическую маску, изготовленную с первого фотошаблона. При этом за счет бокового растравления размеры элементов равномерно увеличиваются, а это позволяет значительно снизить требования по точности совмещения при двустороннем экспонировании. Метод свободной маски в настоящее время имеет достаточно широкое распространение, в частности, при изготовлении гибрид-нопленочных ИМС с малой и средней степенью интеграции. С помощью биметаллических масок повторяется конфигурация маски на подложке с точностью не хуже ±25 мкм (для элементов шириной 200 мкм), что обеспечивает допуск на электрические параметры элементов схемы в пределах ±15 %.

Отсюда видно, что основным недостатком фазовой модуляции, получаемой путем преобразования амплитудной модуляции, является трудность получения значительных индексов модуляции. При высоких требованиях к линейности модуляции приходится ограничиваться величиной 6макс <; 10Н-200. Примерно такой же результат получается при осуществлении модуляции фазы изменением расстройки колебательного контура в одной из усилительных ступеней,

Число возможных вариантов исполнения логических элементов, таким образом, весьма велико. Однако в настоящее время применяют в основном логические элементы в интегральном полупроводниковом исполнении. При интегральной технологии выполнения логических элементов приходится учитывать особенности процессов изготовления: трудность получения больших емкостей конденсаторов и сопротивлений резисторов (размеры этих элементов растут по мере увеличения их даминала), невозможность исполнения индуктивных катушек и импульсных трансформаторов, стремление к использованию однотипных транзисторов в элементе. По этим причинам наибольшее распространение получили схемы ТТЛ на биполярных и МДП-транзисторах.