Технологические параметры

Аналогичными методами выполняют и технологические отверстия, которые используют для предотвращения смещения заготовок слоев МПП в процессе прессования, но к точности их обработки не предъявляются такие жесткие требования, как к точности обработки фиксирующих отверстий, по которым идет совмещение заготовок с фотошаблонами и отдельных слоев в пакете.

При дутьевом формовании на размягченную заготовку 2, помещенную между прижимной плитой 3 и матрицей /, действует сжатый воздух, вынуждая заготовку деформироваться по форме матрицы /. Воздух из полости матрицы удаляется через технологические отверстия в матрице.

1. Из листов нарезают заготовки требуемых размеров и выдерживают их в термостате, например, в течение 1 ч при температуре 303±2К- Затем сверлят базовые (технологические) отверстия для монтажа негативов при экспонировании.

При выборе размеров для элементов печатного монтажа необходимо учитывать возможное несовмещение слоев, в результате чего, например, сквозное отверстие может оказаться смещенным относительно центра контактной площадки, через которую оно должно проходить. Совмещение слоев достаточно сложная технологическая задача. Кроме того, что изображение на каждом слое должно быть выполнено с определенной точностью, не должно произойти сдвига слоев в процессе прессовки платы. Чтобы выполнить последнюю задачу, на всех слоях платы по периферии (за пределами габаритов платы) делают технологические отверстия с шагом порядка 10 см. Для плат с размерами 250 мм и более такие отверстия следует делать и в центре платы. При прессовке платы надевают на специальные фиксирующие штыри, которые проходят через эти отверстия, что уменьшает взаимный сдвиг слоев. Пользуясь таким способом, можно обеспечить совмещение слоев с погрешностью не более + 125 мкм в пределах всей поверхности платы. В качестве фиксирующих отверстий используют те отверстия, которыми плата будет крепить-

Технология производства полупроводниковых интегральных микросхем преимущественно планарная и основана на поочередном легировании (обогащении) отдельных участков полупроводниковой пластинки донорными и акцепторными примесями через технологические отверстия — «окна». Легирование осуществляется через специально наносимую на поверхность полупроводника маску путем диффузии при высоких температурах из твердых, жидких или газообразных соединений, содержащих атомы примеси. При ионной имплантации ионы примеси ускоряются в специальных ускорителях до весьма больших скоростей, позволяющих им при попадании на поверхность полупроводника внедряться в него на заданную глубину.

Электроэрозионная обработка. К деталям, поступающим на ЭЭО, предъявляют следующие требования: они должны иметь две координатные базы с шероховатостью поверхности Ra 2,5 мкм; профилированный электрод-инструмент следует изготавливать с точностью на 1—2 квалитета вьше обрабатываемой детали; детали, подлежащие термообработке, должны быть обработаны перед ЭЭО; при обработке деталей непрофилированным инструментом-проволокой предварительно сверлят технологические отверстия.

При гибке П-образных деталей минимальная длина прямого участка полки должна быть Ямин>25 ( 2-13) при минимальной длине деформируемого участка /.минЗ^мии+з. Для мягких металлов LMHn=2s. В местах гибки делают вырезы для того, чтобы отогнутая полка не выходила за пределы контура детали ( 2-14, б). При конструировании деталей типа крышек в местах гибки в углах необходимы технологические отверстия. В зависимости от заданной конфигурации детали в месте гибки в развертке должны быть предусмотрены вырезы соответствующей формы ( 2-14, г, д). Диаметр технологических отверстий зависит от толщины материала:

Конструирование деталей с отверстиями. Отверстия в прессованных и литых деталях имеют разнообразное назначение: рабочие отверстия, отверстия для снижения массы детали и расхода материала, технологические отверстия и др. Расположение отверстий в детали, их разновидность (сквозные, глухие, ступенчатые) и форма в значительной степени определяют значение внутренних напряжений, усадку jrt точность диаметров и межцентровых расстояний, сложность пресс-форм^. Оформление отверстий может быть окончательное или частичное,,:с'последующей доработкой. При малой серии оказывается менее трудоемким выполнение отверстий сверлением, так как сборка формы со стержнями, образующими отверстия, требует ручного труда. При прессовании и литье можно получать отверстия такой формы, которую механической обработкой не получить или сделать это очень трудно ( 2-25). Например, фасонные отверстия, показанные на 2-25, а, которые механической обработкой практически не получить, при литье или прессовании получают легко с помощью цилиндрического вкладыша со снятой лыской. Сквозное отверстие получить легче, чем глухое ( 2-25,6), так как формующий стержень крепить консольно в форме труднее.

производиться на пазовых пресс-автоматах с электронным программным устройством, которое обеспечивает требуемые геометрические размеры. При этом заготовка фиксируется на заранее отштампованные технологические отверстия.

наращиванием на возвратных формах. В задней стенке корпуса предусматривают технологические отверстия. После опрессовки в полость волновода вводится оправка для формования поглощающего сопротивления. В волновод путем шприцевания через технологические отверстия в задней стенке вводится эпоксидный компаунд с наполнителем. Материал поглощающего сопротивления имеет хорошую адгезию со стенками волновода, поэтому дополнительного крепления поглощающего сопротивления не требуется.

Свойства электропроводящих клеев зависят не только от типа наполнителя, но и от его концентрации. Необходимым условием получения максимальной электропроводности контактолов является формирование в объеме композиции из частичек наполнителя так называемых цепочных структур. Увеличение количества наполнителя увеличивает проводимость, но одновременно ухудшаются механические свойства соединения. В связи с этим разработан способ искусственной ориентации металлических частиц никеля под действием магнитного поля, что позволяет увеличить электропроводность клеев в 5—10 раз при значительно меньшей концентрации наполнителя. Удельное электрическое сопротивление зависит также от температуры и времени отверждения. Более высокие технологические параметры соответствуют более высоким значениям электрической проводимости.

Технологические параметры — точность и качество поверхности отливок — различных способов литья приведены в табл. 2.5.

Важную роль играют конструктивно-технологические параметры и характеристики ЛЭ: площадь, занимаемая ЛЭ на кристалле (при заданном минимальном топологическом размере), и количество основных технологических операций, используемых при изготовлении микросхемы. Площадь ЛЭ наряду с потребляемой мощностью определяет максимально достижимую степень интеграции, а количество основных технологических операций — процент выхода годных микросхем и их стоимость. Для уменьшения площади ЛЭ стремятся упростить их электрическую схему, уменьшить число используемых в ней транзисторов, диодов и резисторов. При проектировании топологии и структуры ЛЭ для снижения его площади уменьшают число карманов, размещая там, где это возможно, несколько транзисторов или резисторов в одном кармане. Используют поликремниевые пленочные резисторы, сформированные на поверхности кристалла над транзисторами. Применяю! совмещение областей транзисторов; в этом случае одна область кристал ла может использоваться для нескольких транзисторов, например как база одного и коллектор другого биполярного транзистора (см. § 7.5).

Вторичные — это электрические, конструктивные и физико-технологические параметры изделий, а также условия их эксплуатации, которые прямо или косвенно влияют на первичные параметры. Сами пэ себе (в отдельности) вторичные параметры не определяют механизма отказа и вероятности его возникновения. Среди чвторичных параметров можно выделить внутренние (электрические, конструктивные) и внешние (параметры режимов и условий эксплуатации: температура среды, длительность импульса и пр.).

Основные технологические параметры процесса жид-кофазной эпитаксии следующие: 1) степень насыщения расплава в момент контакта его с подложкой относитель-

Комплексное решение для одной группы обрабатываемых деталей охватывает унифицированные переходы одной операции, унифицированные средства обработки (групповые инструменты, групповые приспособления), оборудование, унифицированную настройку (технологические параметры) и в большинстве случаев более высокую, чем прежде, организационную форму производства.

б) измерять механические, химические и технологические параметры (частоту вращения, вибрацию, давление, температуру, плотность и химический состав различных сред, расход жидкостей, газов и твердых тел и т. п.).

. Из уравнений (6-6) и (6-23) видно, что размеры критического зародыша и энергетический барьер зарождения зависят от значений поверхностной энергии, контактного угла, температуры и скорости конденсации, энергии активации поверхностной диффузии. Все эти характеристики могут рассматриваться как технологические параметры процесса и исходных материалов, и поэтому рассмотрим более подробно их влияние на стадии зарождения и образования первых (моноатомных) слоев.

Помимо рассмотренных в качестве классификационных признаков широко используются и другие отличия: полупроводниковый материал (кремниевые, германиевые, арсенид-галлиевые' и другие приборы); область рабочих частот (низкочастотные, высокочастотные и приборы диапазона СВЧ); значение допустимой мощности рассеяния; конструктивно-технологические параметры (сплавные, диффузионные, мезатранзйсторы, р-п-р и п-р-п приборы) и т. д.

Расстояние катод — подложка нельзя сделать меньше величины темного катодного пространства, иначе разряд погаснет. Это явление используют для защиты отдельных частей катода от распыления. Поскольку все технологические параметры (U, J, р, D) распыления функционально связаны друг с другом, задание одного из .них ведет к заданию остальных. Это становится понятным из рассмотрения вольт-амлерных характеристик тлеющего разряда

Для радиоэлементов характерны следующие конструктивно-технологические параметры: конструктивное исполнение (тип корпуса, расположение выводов и др.); шаг между выводами; размеры корпусов и выводов; радиусы изгиба выводов при формовке; расстояние от корпуса до места изгиба и пайки выводов; температура лужения и пайки; необходимость применения теплоот-вода; рекомендуемые к применению припои, флюсы и другие материалы.